《電子技術(shù)應(yīng)用》
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開關(guān)電源EMI整改頻段干擾原因及抑制辦法
摘要: 開關(guān)電源EMI整改頻段干擾原因及抑制辦法,。
Abstract:
Key words :

開關(guān)電源" title="開關(guān)電源">開關(guān)電源EMI整改中,,關(guān)于不同頻段" title="頻段">頻段干擾" title="干擾">干擾原因及抑制" title="抑制">抑制辦法:

  1MHZ以內(nèi)----以差模干擾為主

  1.增大X電容量,;

  2.添加差模電感,;

  3.小功率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些),。

  1MHZ---5MHZ---差模共?;旌?br />
  采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標并以解決,,

  1.對于差模干擾超標可調(diào)整X電容量,添加差模電感器,,調(diào)差模電感量;

  2.對于共模干擾超標可添加共模電感,選用合理的電感量來抑制;

  3.也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107一對普通整流二極管1N4007,。

  5M---以上以共摸干擾為主,,采用抑制共摸的方法。

  對于外殼接地的,,在地線上用一個磁環(huán)串繞2-3圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;

  可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環(huán).

  處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小,。

        對于20--30MHZ,

  1.對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2電容量或改變Y2電容位置,;

  2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值,;

  3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層,;調(diào)整變壓器的各繞組的排布,。

  4.改變PCB LAYOUT;

  5.輸出線前面接一個雙線并繞的小共模電感,;

  6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù),;

  7.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE;

  8.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容,。

  9. 可以用增大MOS驅(qū)動電阻.

  30---50MHZ    普遍是MOS管高速開通關(guān)斷引起

  1.可以用增大MOS驅(qū)動電阻,;

  2.RCD緩沖電路采用1N4007慢管;

  3.VCC供電電壓用1N4007慢管來解決,;

  4.或者輸出線前端串接一個雙線并繞的小共模電感,;

  5.在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個小吸收電路,;

  6.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE;

  7.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容,;

  8.PCB心LAYOUT時大電解電容,,變壓器,MOS構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的??;

  9.變壓器,輸出二極管,,輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小,。

  50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起

  1.可以在整流管上串磁珠;

  2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù),;

  3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當?shù)碾娮瑁?br />
  4.也可改變MOSFET,,輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE,改變散熱器的接地點),。

  5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.

  200MHZ以上開關(guān)電源已基本輻射量很小,,一般可過EMI標準

  補充說明:

  開關(guān)電源高頻變壓器初次間一般是屏蔽層的,以上未加綴述.

  開關(guān)電源是高頻產(chǎn)品,PCB的元器件布局對EMI.,請密切注意此點.

  開關(guān)電源若有機械外殼,外殼的結(jié)構(gòu)對輻射有很大的影響.請密切注意此點.

  主開關(guān)管,主二極管不同的生產(chǎn)廠家參數(shù)有一定的差異,對EMC有一定的影響.

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