日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，其VCNL4000接近與環(huán)境光光學(xué)傳感器及SiR880DP ThunderFET® 80 V功率MOSFET榮獲EN-Genius Network (www.en-genius.net)頒發(fā)的年度產(chǎn)品獎,，該網(wǎng)站在為電子設(shè)計工程師提供信息來源方面走在業(yè)界前列。
　
　　EN-Genius 2010年度產(chǎn)品獎的獲獎產(chǎn)品是由EN-Genius主編Paul McGoldrick,，以及編輯Lee Goldberg和Alex Mendelsohn從年內(nèi)公開發(fā)布的產(chǎn)品中挑選出來的,。
　
　　Vishay的VCNL4000被EN-Genius授予光檢測領(lǐng)域的最佳研發(fā)獎,。該器件完整集成了接近與環(huán)境光光學(xué)傳感器,，在業(yè)內(nèi)首次將紅外濾波器,、光PIN二極管,、環(huán)境光探測器,、信號處理IC和16bit ADC集成進(jìn)小尺寸的3.95 mm x 3.95 mm x 0.75 mm無引線(LLP)表面貼裝封裝里。節(jié)省空間的VCNL4000支持易用的I2C總線通信接口,，能夠在各種消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用中大幅簡化設(shè)計,。
　
　　EN-Genius表示：“Vishay將光探測領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)應(yīng)用到這個產(chǎn)品上，對于移動設(shè)備的接近檢測,、顯示/鍵盤對比度控制和調(diào)光應(yīng)用,，這款產(chǎn)品在性能和尺寸都堪稱完美。產(chǎn)品定價非常合理,，在性能表現(xiàn)上也極為出色,。”
　
　　Vishay的ThunderFET SiR880DP被EN-Genius評為最佳高壓功率MOSFET,，該MOSFET在制造過程中采用了一種新的為更高電壓MOSFET優(yōu)化的低導(dǎo)通電阻技術(shù)。SiR880DP是首款可在4.5V柵極驅(qū)動下導(dǎo)通的80V功率MOSFET,，采用熱增強(qiáng)型PowerPAK® SO-8封裝,，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ,、6.7mΩ和5.9mΩ的超低導(dǎo)通電阻,。在4.5V下，典型導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積為161,，該數(shù)值是衡量DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM,，單位是nC-mΩ)。
　
　　EN-Genius評價：“N溝道SiR880DP的顯著特點(diǎn)是兼有高電壓等級和4.5V柵極驅(qū)動等級,，且能提供超低的導(dǎo)通電阻,。SiR880DP能在4.5V電壓下導(dǎo)通，這樣就能用5V PWM IC實(shí)現(xiàn)更高頻率的轉(zhuǎn)換器,，而不需要目前所使用的6V器件,。產(chǎn)品定價非常有吸引力，還能讓以前的設(shè)計在DC-DC轉(zhuǎn)換器中繼續(xù)發(fā)揮余熱,。”
　
Vishay獲獎產(chǎn)品的鏈接如下：
　　http://www.vishay.com/docs/83798 (VCNL4000)
　　http://www.vishay.com/docs/65702 (SiR880DP)
　
　　VCNL4000和SiR880DP現(xiàn)可提供樣品,，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期分別為十周和十六周,。