2010 年全球DRAM市場規(guī)模為391億美元,，行動裝置相關應用就占14％,，達到55億美元。行動DRAM的出貨量和記憶容量也不斷提高,。蘋果iPhone 4的行動DRAM容量達到512MB,，而宏達電的Desire HD更有768MB。而iPad的行動DRAM容量有256MB,，三星的Galaxy Tab更有512MB,。

    根據(jù)市調機構Gartner預估，今年媒體平板裝置平均行動DRAM容量為 507MB,，而智慧手機平均容量為279MB,，明年可提高到392MB。iSuppli則是預估,，今年Mobile DRAM的成長率將達到71％,，出貨量可達29億GB，2015年此一數(shù)字更將突破205億GB,，比起2010年的17億GB大幅成長12倍之多,。

    行動DRAM并沒有標準規(guī)格，屬于利基型記憶體產(chǎn)品,。虛擬SRAM整合DRAM核心和SRAM介面,，晶片內含refresh電路設計、與傳統(tǒng)SRAM相容,，可直接替代SRAM,，容量更高、尺寸更輕薄,、價格更便宜,。Mobile DRAM是透過自動溫度補償自更新TCSR（Temperature Compensated Self Refresh）、記憶體陣列進行自更新PASR（Partial Array Self Refresh）和深度休眠DPD（Deep Power Down）等技術,，來達到省電降低功耗的效果?，F(xiàn)在Mobile DRAM已朝向DDR 2制程演進，

    目前包括三星,、海力士,、爾必達,、美光、南科及華亞科,、華邦,、茂德等均投入行動DRAM領域，爾必達已將重心從標準型DRAM轉向Mobile DRAM,，后者營收已占整體DRAM營收50％以上；爾必達合作夥伴瑞晶今年第3季可望取得技轉,，首度量產(chǎn)Mobile DRAM,，并導入30奈米制程。華邦則是鎖定中低階容量的虛擬SRAM產(chǎn)品區(qū)間,，南科則已經(jīng)推出Mobile LPDDR和LPDDR2樣品,。

    三星電子依舊站穩(wěn)行動DRAM霸主地位，在3月初宣布采用50奈米技術開發(fā)出Wide I/O介面的行動DRAM樣品,，傳輸速率可達12.8Gb/s,，功耗更可大幅降低87％，同時預計到2013年,，三星可開發(fā)出20奈米制程,、4GB封裝容量的Wide I/O行動DRAM樣品。值得注意的是,，三星已經(jīng)進一步量產(chǎn)30奈米制程,、功耗可降低25％、厚度只有0.8公厘的低功耗LPDDR2產(chǎn)品,，儲存容量可達 1～2GB等級,，將直接威脅其他競爭對手在智慧手機和媒體平板裝置的生存空間。