1 電路研究
1.1 應(yīng)用電路(一)
該應(yīng)用電路是一個開關(guān)電源,是鑒于以下幾點考慮而設(shè)計的:(1)針對電機調(diào)速,、溫度控制等大功率應(yīng)用方向,,確定是AC-DC變換,這里AC 專指交流50周單相電壓220V工頻電網(wǎng),;(2)該電源輸入必須是高功率因數(shù)0.95以上,,還必須是低噪擾,符合或優(yōu)于國家標(biāo)準(zhǔn),;(3)該電源效率要求在 90%以上,;(4)能體現(xiàn)SITH管的優(yōu)勢,避開其弱點,。
這里采用了BOOST變換程式(圖1),。圖中 R1:1kΩ;R2:20Ω,;R3:10kΩ,;R 4:5kΩ;R5:5kΩ,;R6:800kΩ,;R7:10k Ω,;R8:20kΩ,;R9:1MΩ;R10:0.2 Ω,;R11:50kΩ,;R12:10kΩ;C1:0.01mf,;C2:200pf,; C3:0.1mf;C4:50mf,;C5:100mf/400V,; C6:2mf/~250V,;C7:2000pf;D1:12V/0.5W穩(wěn)壓二極管,;D2: 3A快恢二極管HER308,; D3、D6:2A/400V整流橋,;Q1,、Q3:npn三極管8050;Q2:pnp三極管8550,;Q4:VDMOS 10A/30V,;L1:2mH/ 1A高頻電感;L2:2mH/ 1A高頻電感,;IC:UC3852,。
UC3852的詳細工作原理請參閱Texas Instruments公司有關(guān)資料。要著重指出的是,, UC3852是一種專門用來提高輸入功率因數(shù)的開關(guān)電源控制芯片,,它的基本原理是在遠高于50周的頻率下工作, 控制開關(guān)管以一個恒定的時間Ton導(dǎo)通,,導(dǎo)通時電感L2承受全部交流輸入電壓Vin ,。在Ton結(jié)束時, 電感電流,,也就是輸入電流I in=(Vin /L2)×Ton ,,因此Iin與Vin成正比。接著,,UC3852使開關(guān)管關(guān)閉,, L2向負載端放電,Iin呈線性衰減,, 當(dāng)UC3852檢測到Iin衰減到零時,,又控制開關(guān)管導(dǎo)通,進入下一個Ton,,見圖2,。
圖中, 上部是UC3852的驅(qū)動波形,, 高電平是驅(qū)動開關(guān)管導(dǎo)通,,高電平的時間Ton 是恒定的;下部是輸入電壓Vin和輸入電流 Iin的波形,。在Ton時段內(nèi),,Iin線性上升, 上升的速率與當(dāng)時的Vin值成正比, 由于每次都是從零開始,, 因此Iin的峰值也與Vin 成正比,。實際上,UC3852的工作頻率要比圖中表示的高得多,,約25kHz,。因此可認(rèn)為在每個三角形區(qū)段Vin恒定, 則Iin的平均值也正比于V in,,經(jīng)過L1,、C6低通濾波后,輸入電流波形與輸入電壓一致,, 則功率因數(shù)必然很高,。這就是UC3852的簡單工作原理。
圖1的電路參數(shù)構(gòu)成一個輸出為100W的電路,, SITH管為主開關(guān),,采用驅(qū)動電路(一)的方案,由Q1,、Q2,、Q3和Q4組成SITH管的驅(qū)動電路; L2是BOOST電感,;C5是輸出濾波電容,;R 6、R7,、R8,、R9和C3組成反饋電路, 供UC3852采用,, 控制輸出電壓穩(wěn)定,;R12和C7是UC3852工作頻率的定時電路, 這里定在25kHz左右,;L1和C6是低通濾波器,, 阻止Iin中的高頻成分傳回電網(wǎng);R 10是電流采樣電阻,, 向UC3852提供Iin的波形,。
從圖2的波形上可以看出, 這是一種電流非連續(xù)方式,, 它的好處是開關(guān)管總是從零電流開始導(dǎo)通,,最終達到二倍的平均電流,, 從而使SITH管避開了導(dǎo)通慢的弱點,, 又發(fā)揚了其大電流性能好的優(yōu)點。它又使二極管D2在正向電流到零后再承受反壓,, 避開了反向恢復(fù)損耗的問題,。D2的作用是阻止輸出電容 C5向L2和SITH管放電,, 它正向流過的就是負載電流, 而反向承受的是400V電壓,。測試中D2使用中速的快恢二極管,, 溫升很低。 輸出電壓取400V是電路工作要求的(參閱Texas Instruments 公司有關(guān)資料),,因而不能降低,。 SITH管在關(guān)斷時也承受400V的反壓, 對它來說余量較大,,也是優(yōu)勢所在,。
測得其主要指標(biāo)如下:輸入電壓:AC220V 50Hz;輸入電流:0.58A,;輸入功率:111W,;功率因數(shù):0.95;輸出電壓:DC410V,, 紋波峰峰值:Vpp=20V,;輸出負載電阻:1610Ω;輸出功率:104W,; 效率:0.94,。由此看來,SITH器件及其驅(qū)動電路滿足了要求,,結(jié)果是令人滿意的,。
然而,SITH管在工作時大約有3.5W左右的管耗,,是電路中唯一有明顯溫升的器件,。電路中使用的SITH管是TO-220封裝,最初加上50mm× 60mm散熱片,,開機5分鐘內(nèi)表面溫升達50℃,, 輸入功率增加了3W。 后來,, 改用帶有風(fēng)扇的CPU散熱器,, 風(fēng)扇功率1W, 開機15分鐘后,,表面溫升仍不迢過5℃,, 輸入功率始終在111W左右。由此可以認(rèn)為,, SITH管與其它電力器件一樣,,開關(guān)損耗隨溫度升高而增加。若散熱不好,會形成惡性循環(huán),。頻繁的高溫差變化還會使焊錫過早脆化,, 使焊接質(zhì)量變壞。因此良好散熱是保證可靠性,、保證高效率的最有效最重要的手段,。由于SITH管具有較強的過流能力, 因此在良好散熱下,, 不必采用“降容量使用”的傳統(tǒng)方法,, 可以選用電流額定值與工作額定值相當(dāng)?shù)钠骷?以降低成本又不影響可靠性。
1.2 應(yīng)用電路(二)
應(yīng)用電路(一)的輸出電壓是固定直流400V,, 不能靈活調(diào)整,, 又沒能與輸入隔離, 往往需要加后級電路,。本應(yīng)用電路(二)是在電路(一)基礎(chǔ)上加以改動,, 將輸出隔離, 又能調(diào)整電壓,, 見圖3,。圖中:R1:1kΩ;R2:20Ω,;R 3:10kΩ,;R4:5kΩ;R5:5kΩ,;R6:800kΩ,;R7:10kΩ;R8:20kΩ,;R9:1MΩ ,;R10:0.2Ω;R11:50kΩ,;R12:10k Ω,;R13:20kΩ/3W;R14:40Ω/10W,;C 1:0.01mf,;C2:200pf;C3:0.1mf,;C 4:50mf,;C5:2000pf / 400V;C6:2mf / ~250V,;C7:2000pf,;C8:0.1mf / 600V,;C9:3000mf / 50V;C10:2mf / 400V,; D1:12V / 0.5W穩(wěn)壓二極管;D2,、D7,、D8、D9:3A快恢二極管HER308,; D3,、D4、D5,、D6:2A/400V整流橋,;D10:46V / 1W稻壓二極管;Q1,、Q3:npn三極管8050,;Q2:pnp三極管8550;Q4:VDMOS 10A/30V,;L1:2mH/ 1A高頻電感,; L2:2mH/ 1A高頻電感;L3:500mH/ 2A高頻電感,;Tr:高頻變壓器,;匝比:2:1×2;IC1:UC3852,; IC2:光耦521-1,。
此電路參數(shù)是48V/100W輸出的直流電源。它的工作原理與電路(一)相同,,只是輸出部分用電容C 10將SITH管漏極的直流方波割直成交流方波,,送到變壓器Tr的初級,然后耦合到次級改變了電壓,,再經(jīng)過整流濾波輸出,。次級分成兩個線圈,分別通過不同的整流濾波環(huán)節(jié),,這是因為通過 C10的交流方波,,是不對稱的, 正向部分實際上是電感L2放電,, 是電流源,, 要用副邊的上半部分整流;負向部分實際上是C10放電,, 是電壓源,, 要用副邊的下半部分整流,。
改變Tr的匝比可以得到需要的輸出電壓, 也與輸入電網(wǎng)隔離,。光耦521-1是負反饋的隔離元件,。D2、 C5,、C8,、R13、R14組成上沖吸收電路,, 由于漏感的原因,,變壓器在接受電流源脈沖時, 上沖十分強烈,, 對器件很不利,, 同時還造成很大的高頻噪擾, 必須衰減它,。吸收電路可以有效地衰減上沖,, 但是經(jīng)大量試驗表明, 這種衰減的能耗相當(dāng)大,, 是以降低效率為代價的,。本試驗中吸收環(huán)節(jié)要消耗6W左右的功率, 上沖仍占主波的25%,, 使效率從91%下降到84%,, 線路板上有一塊明顯的發(fā)熱源。因此在沒解決高效吸收問題之前,, 該電路應(yīng)考慮在小功率應(yīng)用,。
1.3 應(yīng)用電路(三)
這是一個交流開關(guān),可切換1000W的負載,,應(yīng)用很廣,。原本是用可控硅或雙向可控硅組成,現(xiàn)用兩只SITH管取代,。它具有過零開通和過零關(guān)斷的功能,, 以減小對電網(wǎng)的沖擊,在需要時也可以立即關(guān)斷,。由于使用了SITH管,, 才具有強迫關(guān)斷, 即快速關(guān)斷的功能,。這是可控硅或雙向可控硅做不到的,,它可以與單片機配合使用。這里僅提供強電部分原理圖(圖4),。圖中:R1,、R2:1kΩ,; R3:10kΩ;R4:200Ω,; R5,、R6、R7:5.1kΩ,; C1:300mF /16V ,;D1、D2:10A/400V整流二極管,;D3,、D4,、D5:1N4001,;Q1、Q2:VDMOS (Ron=0.05W):IC1:LM393雙比較器,;IC2: CD4013 D觸發(fā)器,;IC3、IC4:光耦521,;Tr1:電源變壓器220V/9V×2~3W,。
圖中, 兩只SITH管反串聯(lián),, 而各自又與一個二極管反并聯(lián),, 兩只SITH管同時導(dǎo)通或同時關(guān)斷,形成了交流開關(guān),。IC1比較器產(chǎn)生過零脈沖信號,, 作為IC2 D觸發(fā)器的時鐘信號, 因此IC2只能在交流電壓過零時改變輸出,。它的一對互補輸出分別控制SITH管的柵極注入和VDMOS管,, 也就控制了交流開關(guān)的過零導(dǎo)通和關(guān)斷。強迫關(guān)斷信號直接控制D觸發(fā)器的R復(fù)位端,, 立即關(guān)斷交流開關(guān),。控制信號通過光耦輸入,, 這是為了防止干擾,。