初級開關管（MOSFET）,。假設輸入電壓恒定為60V，情況同上,。從兩個方面考慮反激,、正激、半橋：選用mosfet的最大耐壓和流過mosfet的最大電流有效值,。

可見在理想狀態(tài)下,，三種拓撲的差別并沒有體現(xiàn)在初級mosfet的導通損耗上（注意半橋使用了兩個功率mosfet），開關管的另一個損耗是開關損耗" title="開關損耗">開關損耗,，公式的推導見EXEL文件,。假設開通關斷有相同損耗，電感量無窮大,，則計算公式如下：

反激：

正激：

半橋： 

從公式可以看出,，在只針對一個輸入電壓點優(yōu)化的情況下，反激的開關損耗最大，正激和半橋沒有區(qū)別,，這是限制反激大功率運用的一個原因,。

次級mosfet

次級mosfet都是零電壓開通關斷，不存在開關損耗

次級mosfet的導通損耗同樣限制了反激在大功率場合的運用,，mosfet體內二極管的反向恢復同樣產(chǎn)生損耗,，值得注意的是這個損耗源于次級，發(fā)生在初級mosfet,，計算公式如下

考慮到半橋的占空比D可以是0.9,，所以以上三個公式基本上沒有區(qū)別。

3,、磁性器件,。反激的變壓器等效理想變壓器和電感器的結合，不知道該如何正激和半橋的磁性器件比較,，這里只討論下為什么反激變壓器中漏感的影響大,。具體分析見EXEL中《磁性器件》頁面

4、電容,。同樣關心電容的電流應力和電壓,。電壓應力沒什么區(qū)別。

 

輸入電容電流應力基本沒有區(qū)別,，輸出電容上反激的電流應力很糟糕,，但需要注意的是，輸出電容的電流應力與輸出電流成正比,，與輸出功率并沒有直接關系,，正激和半橋的輸出電容電流應力為0是因為電感假設為無窮大，實際值與△I有關,。

5,、總結：通過以上分析,，反激不適合大功率引用原因如下：

初級mosfet開關損耗

次級mosfet導通損耗

變壓器漏感導致的損耗

輸出電容電流應力

上面的計算基于輸入電壓恒定為60V,，但實際情況是25~125V。這個情況下,，反激拓撲顯示出它的優(yōu)勢,，可能更恰當?shù)恼f應該是正激、半橋變得更加難以設計,，其原因在于占空比變化過大,，導致次級開關管電壓應力大，同時初級mosfet的開關損耗可能超過反激

  因為功率為400W,，我考慮三個方案：全橋,，雙相交錯有源嵌位正激或反激。全橋初級需要四個mosfet，且驅動要浮驅,，比較難找到合適的驅動芯片,；雙相交錯有源嵌位正激需要兩個N管，兩個P管,，同樣有驅動芯片難找的問題,；同時因為以前沒有做過反激，對反激比較感興趣,，在一個以前的同事建議下選擇雙相交錯反激,。后來事實證明我當時錯誤估計了漏感的影響，導致了使用復雜的吸收電路,。