初級(jí)開關(guān)管（MOSFET）,。假設(shè)輸入電壓恒定為60V,，情況同上。從兩個(gè)方面考慮反激,、正激,、半橋：選用mosfet的最大耐壓和流過mosfet的最大電流有效值。

可見在理想狀態(tài)下,，三種拓?fù)涞牟顒e并沒有體現(xiàn)在初級(jí)mosfet的導(dǎo)通損耗上（注意半橋使用了兩個(gè)功率mosfet）,，開關(guān)管的另一個(gè)損耗是開關(guān)損耗" title="開關(guān)損耗">開關(guān)損耗，公式的推導(dǎo)見EXEL文件,。假設(shè)開通關(guān)斷有相同損耗,，電感量無窮大，則計(jì)算公式如下：

反激：

正激：

半橋： 

從公式可以看出,，在只針對(duì)一個(gè)輸入電壓點(diǎn)優(yōu)化的情況下,，反激的開關(guān)損耗最大,，正激和半橋沒有區(qū)別，這是限制反激大功率運(yùn)用的一個(gè)原因,。

次級(jí)mosfet

次級(jí)mosfet都是零電壓開通關(guān)斷,，不存在開關(guān)損耗

次級(jí)mosfet的導(dǎo)通損耗同樣限制了反激在大功率場(chǎng)合的運(yùn)用，mosfet體內(nèi)二極管的反向恢復(fù)同樣產(chǎn)生損耗,，值得注意的是這個(gè)損耗源于次級(jí),，發(fā)生在初級(jí)mosfet，計(jì)算公式如下

考慮到半橋的占空比D可以是0.9,，所以以上三個(gè)公式基本上沒有區(qū)別,。

3、磁性器件,。反激的變壓器等效理想變壓器和電感器的結(jié)合,，不知道該如何正激和半橋的磁性器件比較，這里只討論下為什么反激變壓器中漏感的影響大,。具體分析見EXEL中《磁性器件》頁面

4,、電容。同樣關(guān)心電容的電流應(yīng)力和電壓,。電壓應(yīng)力沒什么區(qū)別,。

 

輸入電容電流應(yīng)力基本沒有區(qū)別，輸出電容上反激的電流應(yīng)力很糟糕,，但需要注意的是,，輸出電容的電流應(yīng)力與輸出電流成正比，與輸出功率并沒有直接關(guān)系,，正激和半橋的輸出電容電流應(yīng)力為0是因?yàn)殡姼屑僭O(shè)為無窮大,，實(shí)際值與△I有關(guān)。

5,、總結(jié)：通過以上分析,，反激不適合大功率引用原因如下：

初級(jí)mosfet開關(guān)損耗

次級(jí)mosfet導(dǎo)通損耗

變壓器漏感導(dǎo)致的損耗

輸出電容電流應(yīng)力

上面的計(jì)算基于輸入電壓恒定為60V，但實(shí)際情況是25~125V,。這個(gè)情況下,，反激拓?fù)滹@示出它的優(yōu)勢(shì)，可能更恰當(dāng)?shù)恼f應(yīng)該是正激,、半橋變得更加難以設(shè)計(jì),，其原因在于占空比變化過大，導(dǎo)致次級(jí)開關(guān)管電壓應(yīng)力大,，同時(shí)初級(jí)mosfet的開關(guān)損耗可能超過反激

  因?yàn)楣β蕿?00W,，我考慮三個(gè)方案：全橋，雙相交錯(cuò)有源嵌位正激或反激,。全橋初級(jí)需要四個(gè)mosfet,，且驅(qū)動(dòng)要浮驅(qū),，比較難找到合適的驅(qū)動(dòng)芯片；雙相交錯(cuò)有源嵌位正激需要兩個(gè)N管,，兩個(gè)P管,，同樣有驅(qū)動(dòng)芯片難找的問題；同時(shí)因?yàn)橐郧皼]有做過反激,，對(duì)反激比較感興趣,，在一個(gè)以前的同事建議下選擇雙相交錯(cuò)反激。后來事實(shí)證明我當(dāng)時(shí)錯(cuò)誤估計(jì)了漏感的影響,，導(dǎo)致了使用復(fù)雜的吸收電路,。