日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET,、全功能MOSFET驅(qū)動IC,、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD,。
　
　　器件的工作頻率超過1MHz，效率大于93%,。所有這些都集成在低外形,、熱增強型PowerPAK® MLP 6x6的40腳封裝里。新的SiC779CD完全符合針對服務(wù)器和桌面電腦,、圖形卡,、工作站、游戲機和其他采用CPU的高功率系統(tǒng)中電壓調(diào)節(jié)器的DrMOS 4.0標準,。
　
　　SiC779CD的先進柵極驅(qū)動IC可接收來自VR控制器的一個PWM輸入,，并把輸入轉(zhuǎn)換成高邊和低邊MOSFET的柵極驅(qū)動信號。器件的5V PWM輸入兼容所有控制器,，經(jīng)過特殊設(shè)計,，可支持具有三態(tài)PWM輸出函數(shù)的控制器。
　　　
　　調(diào)節(jié)器可使用3V～16V的輸入電壓進行工作,，最高可輸出40A的連續(xù)電流,。集成的功率MOSFET為0.8V～2.0V的輸出電壓進行了優(yōu)化，標稱輸入電壓為12V,。SiC779CD在5V輸出下可為ASIC應(yīng)用提供非常高的功率,。
　　
　　器件的驅(qū)動IC具有能自動偵測輕負載情況的電路，能自動開啟系統(tǒng)中為在輕負載條件下實現(xiàn)高效率而設(shè)計的跳頻模式工作(SMOD)。主動式失效時間控制有助于進一步提高在所有負載點上的效率,。保護功能包括UVLO,、擊穿保護，在結(jié)溫過高時,，熱告警功能可對系統(tǒng)發(fā)出報警信號,。
　　
　　在SiC779CD里集成的驅(qū)動IC和功率MOSFET能夠減少功率損耗，減小與高頻分立功率級相關(guān)的寄生阻抗,。設(shè)計者可以為高頻開關(guān)進行優(yōu)化,，改善瞬態(tài)響應(yīng)，節(jié)約輸出濾波器元件的成本,，在多相Vcore應(yīng)用中實現(xiàn)盡可能高的功率密度,。
　　
　　器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2002/95/EC,。
　　
　　SiC779CD現(xiàn)可提供樣品,，將在2011年6月實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周,。