在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS,，雪崩電流IAR,，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中,，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系,，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)定這些參數(shù)對(duì)其的影響,，以及在哪些應(yīng)用條件下需要考慮這些參數(shù)。這里將論述這些問(wèn)題,，同時(shí)探討功率MOSFET在非鉗位感性開(kāi)關(guān)條件下的工作狀態(tài),。
EAS，IAR和EAR的定義及測(cè)量
MOSFET的雪崩能量與器件的熱性能和工作狀態(tài)相關(guān),，其最終的表現(xiàn)就是溫度的上升,，而溫度上升與功率水平和硅片封裝的熱性能相關(guān)。功率半導(dǎo)體對(duì)快速功率脈沖（時(shí)間為100～200μs）的熱響應(yīng)可以由式1說(shuō)明：
其中,，A是硅片面積,，K常數(shù)與硅片的熱性能相關(guān)。由式(1)得：
其中,，tav是脈沖時(shí)間,。當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間在低電流下測(cè)量雪崩能量時(shí)，消耗的功率將使器件的溫度升高,，器件的失效電流由其達(dá)到的峰值溫度所決定,。如果器件足夠牢靠，溫度不超過(guò)最高的允許結(jié)溫,，就可以維持測(cè)量,。在此過(guò)程內(nèi)，結(jié)溫通常從25℃增加到TJMAX,，外部環(huán)境溫度恒定為25℃,，電流通常設(shè)定在ID的60%。雪崩電壓VAV大約為1.3倍器件額定電壓,。
雪崩能量通常在非鉗位感性開(kāi)關(guān)UIS條件下測(cè)量,。其中，有兩個(gè)值EAS和EAR,，EAS為單脈沖雪崩能量,，定義了單次雪崩狀態(tài)下器件能夠消耗的最大能量；EAR為重復(fù)脈沖雪崩能量,。雪崩能量依賴于電感值和起始的電流值,。
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS,，雪崩電流IAR,，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中,，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系,，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)定這些參數(shù)對(duì)其的影響，以及在哪些應(yīng)用條件下需要考慮這些參數(shù),。這里將論述這些問(wèn)題,，同時(shí)探討功率MOSFET在非鉗位感性開(kāi)關(guān)條件下的工作狀態(tài),。
EAS，IAR和EAR的定義及測(cè)量
MOSFET的雪崩能量與器件的熱性能和工作狀態(tài)相關(guān),，其最終的表現(xiàn)就是溫度的上升,，而溫度上升與功率水平和硅片封裝的熱性能相關(guān)。功率半導(dǎo)體對(duì)快速功率脈沖（時(shí)間為100～200μs）的熱響應(yīng)可以由式1說(shuō)明：
其中,，A是硅片面積,，K常數(shù)與硅片的熱性能相關(guān)。由式(1)得：
其中,，tav是脈沖時(shí)間,。當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間在低電流下測(cè)量雪崩能量時(shí)，消耗的功率將使器件的溫度升高,，器件的失效電流由其達(dá)到的峰值溫度所決定,。如果器件足夠牢靠，溫度不超過(guò)最高的允許結(jié)溫,，就可以維持測(cè)量,。在此過(guò)程內(nèi)，結(jié)溫通常從25℃增加到TJMAX,，外部環(huán)境溫度恒定為25℃,，電流通常設(shè)定在ID的60%。雪崩電壓VAV大約為1.3倍器件額定電壓,。
雪崩能量通常在非鉗位感性開(kāi)關(guān)UIS條件下測(cè)量。其中,，有兩個(gè)值EAS和EAR,，EAS為單脈沖雪崩能量，定義了單次雪崩狀態(tài)下器件能夠消耗的最大能量,；EAR為重復(fù)脈沖雪崩能量,。雪崩能量依賴于電感值和起始的電流值。
圖1為VDD去耦的EAS測(cè)量電路及波形,。其中,，驅(qū)動(dòng)MOSFET為Q1，待測(cè)量的MOSFET為DUT,，L為電感,，D為續(xù)流管。待測(cè)量的MOSFET和驅(qū)動(dòng)MOSFET同時(shí)導(dǎo)通,，電源電壓VDD加在電感上,，電感激磁，其電流線性上升,，經(jīng)導(dǎo)通時(shí)間tp后,，電感電流達(dá)到最大值,；然后待測(cè)量的MOSFET和驅(qū)動(dòng)MOSFET同時(shí)關(guān)斷，由于電感的電流不能突變,，在切換的瞬間,，要維持原來(lái)的大小和方向，因此續(xù)流二極管D導(dǎo)通,。
由于MOSFET的DS之間有寄生電容,，因此，在D導(dǎo)通續(xù)流時(shí),，電感L和CDS形成諧振回路,，L的電流降低使CDS上的電壓上升，直到電感的電流為0,，D自然關(guān)斷,，L中儲(chǔ)存的能量應(yīng)該全部轉(zhuǎn)換到CDS中。
如果電感L為0.1mH,，IAS=10A,，CDS=1nF，理論上,，電壓VDS為
這樣高的電壓值是不可能的,，那么為什么會(huì)有這樣的情況？從實(shí)際的波形上看,，MOSFET的DS區(qū)域相當(dāng)于一個(gè)反并聯(lián)的二極管,。由于這個(gè)二極管兩端加的是反向電壓，因此處于反向工作區(qū),，隨著DS的電壓VDS增加,，增加到接近于對(duì)應(yīng)穩(wěn)壓管的鉗位電壓也就是 V(BR)DSS時(shí)，VDS的電壓就不會(huì)再明顯的增加,，而是維持在V(BR)DSS值基本不變,，如圖1所示。此時(shí),，MOSFET工作于雪崩區(qū),，V(BR)DSS就是雪崩電壓，對(duì)于單次脈沖,，加在MOSFET上的能量即為雪崩能量EAS：
同時(shí),，由于雪崩電壓是正溫度系數(shù)，當(dāng)MOSFET內(nèi)部的某些單元溫度增加,，其耐壓值也增加,，因此，那些溫度低的單元自動(dòng)平衡，流過(guò)更多的電流以提高溫度從而提高雪崩電壓,。另外,，測(cè)量值依賴于雪崩電壓，而在去磁期間,，雪崩電壓將隨溫度的增加而變化,。
在上述公式中，有一個(gè)問(wèn)題,，那就是如何確定IAS,？當(dāng)電感確定后，是由tp來(lái)確定的嗎,？事實(shí)上,，對(duì)于一個(gè)MOSFET器件，要首先確定IAS,。如圖1所示的電路中,，電感選定后，不斷地增加電流,，直到將MOSFET完全損壞,，然后將此時(shí)的電流值除以1.2或1.3，即降額70%或80%,，所得到的電流值即為IAS,。注意到IAS和L固定后，tp也是確定的,。
過(guò)去,，傳統(tǒng)的測(cè)量EAS的電路圖和波形如圖2所示。注意到,，VDS最后的電壓沒(méi)有降到0,，而是VDD，也就是有部分的能量沒(méi)有轉(zhuǎn)換到雪崩能量中,。
在關(guān)斷區(qū)，圖2（b）對(duì)應(yīng)的三角形面積為能量,，不考慮VDD,，去磁電壓為VDS，實(shí)際的去磁電壓為VDS-VDD,，因此雪崩能量為
對(duì)于一些低壓的器件,，VDS-VDD變得很小，引入的誤差會(huì)較大,，因此限制了此測(cè)量電路的在低壓器件中的使用,。
目前測(cè)量使用的電感，不同的公司有不同的標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)于低壓的MOSFET,，大多數(shù)公司開(kāi)始趨向于用0.1mH的電感值,。通常發(fā)現(xiàn)：如果電感值越大，盡管雪崩的電流值會(huì)降低,，但最終測(cè)量的雪崩能量值會(huì)增加,，原因在于電感增加，電流上升的速度變慢,，這樣芯片就有更多的時(shí)間散熱,，因此最后測(cè)量的雪崩能量值會(huì)增加。這其中存在動(dòng)態(tài)熱阻和熱容的問(wèn)題,，以后再論述這個(gè)問(wèn)題,。
雪崩的損壞方式
圖3顯示了UIS工作條件下，器件雪崩損壞以及器件沒(méi)有損壞的狀態(tài),。
事實(shí)上,，器件在UIS工作條件下的雪崩損壞有兩種模式：熱損壞和寄生三極管導(dǎo)通損壞。熱損壞就是功率MOSFET在功率脈沖的作用下,，由于功耗增加導(dǎo)致結(jié)溫升高,，結(jié)溫升高到硅片特性允許的臨界值，失效將發(fā)生,。
寄生三極管導(dǎo)通損壞：在MOSFET內(nèi)部,，有一個(gè)寄生的三極管（見(jiàn)圖4），通常三級(jí)管的擊穿電壓通常低于MOSFET的電壓,。當(dāng)DS的反向電流開(kāi)始流過(guò)P區(qū)后,，Rp和Rc產(chǎn)生壓降，Rp和Rc的壓降等于三極管BJT的VBEon,。由于局部單元的不一致,，那些弱的單元，由于基級(jí)電流IB增加和三級(jí)管的放大作用促使局部的三極管BJT導(dǎo)通,，從而導(dǎo)致失控發(fā)生,。此時(shí)，柵極的電壓不再能夠關(guān)斷MOSFET,。
在圖4中,，Rp為源極下體內(nèi)收縮區(qū)的電阻，Rc為接觸電阻,，Rp和Rc隨溫度增加而增加,，射極和基極的開(kāi)啟電壓VBE隨溫度的增加而降低。因此,，UIS的能力隨度的增加而降低,。
在什么的應(yīng)用條件下要考慮雪崩能量從上面的分析就可以知道，對(duì)于那些在MOSFET的D和S極產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用，就要考慮器件的雪崩能量,，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定,，因此對(duì)于反激的應(yīng)用，MOSFET關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰,。通常的情況下,，功率器件都會(huì)降額，從而留有足夠的電壓余量,。但是,，一些電源在輸出短路時(shí)，初級(jí)中會(huì)產(chǎn)生較大的電流,，加上初級(jí)電感,，器件就會(huì)有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應(yīng)用條件下,，就要考慮器件的雪崩能量,。另外，由于一些電機(jī)的負(fù)載是感性負(fù)載,，而啟動(dòng)和堵轉(zhuǎn)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生極大的沖擊電流,，因此也要考慮器件的雪崩能量。