美國IBM公司利用以石墨烯作通道的晶體管（GFET）等制成了混頻器IC,。從GFET的形成,、層疊到電感器和布線的集成，均在晶圓上一次性制成,，首次展現(xiàn)了采用石墨烯的IC量產(chǎn)的可能性,。

　　此次制成的混頻器IC因尺寸非常小，顯示出了其特性溫度依存性小,，而且可在10GHz的大帶寬工作等出色性能,。IBM稱今后的目標是將GFET混載于更復雜的電路中。

IBM以前制作的GFET的示意圖（點擊放大）

　　在SiC基板上外延生長

　　混頻器是無線通信中用于調(diào)制頻率的電路,。此次的混頻器IC由1個柵極長為550nm的GFET,、2個電感器以及4個端子焊盤等組成（圖1）。試制芯片的尺寸約為900μm×600μm,。

　　試制時,，首先用熱分解法令石墨烯膜在SiC基板上外延生長。具體為,，把SiC基板的表面加熱至1400℃,，只令Si從表面2～3層的SiC結晶中脫離出來。剩下的C會自動形成石墨烯膜,。該石墨烯膜顯示出n型半導體的特性,。

圖：GFET和電感器混載于一枚芯片上（點擊放大）

　　圖中展示了IBM開發(fā)的混頻器IC。在利用熱分解法形成石墨烯后,，依次制作布線層的源漏電極,、柵極電極及電感器。柵極長為550nm,，通道寬度為30μm,。

　　在該石墨烯膜上制作掩模，使用基于電子光束（EB）的光刻技術在石墨烯膜上形成圖案,。然后,，層疊源漏電極。在形成作為柵極絕緣膜的Al2O3后,，形成柵極電極,。接著通過使用墊片疊加Al層，以EB加工成電感器,。

　　在評價此次的試制品時,，確認了其可按照設計工作。即輸入4GHz的局部振蕩（LO）頻率和3.8GHz的模擬信號時,，輸出了這兩種頻率的和7.8GHz及差200MHz,。

　　此次混頻器IC使用了高價的SiC基板,，這是其實用化所面臨的主要課題。不過,，與使用GaAs,、工作頻率為幾GHz的混頻器IC產(chǎn)品相比，還是有其優(yōu)勢的,。因為現(xiàn)有混頻器IC無法混載電感器,，需要外置被動部件。