外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜,，展完外延片,，接下來(lái)就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大,，波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等),。良品的外延片就要開(kāi)始做電極(P極,，N極),，接下來(lái)就用激光切割外延片，然后百分百分撿,，根據(jù)不同的電壓,，波長(zhǎng)，亮度進(jìn)行全自動(dòng)化分檢,，也就是形成led晶片(方片),。然后還要進(jìn)行目測(cè)，把有一點(diǎn)缺陷或者電極有磨損的,，分撿出來(lái),，這些就是后面的散晶。此時(shí)在藍(lán)膜上有不符合正常出貨要求的晶片,，也就自然成了邊片或毛片等,。不良品的外延片(主要是有一些參數(shù)不符合要求)，就不用來(lái)做方片,，就直接做電極(P極,，N極)，也不做分檢了,，也就是目前市場(chǎng)上的LED大圓片(這里面也有好東西,，如方片等)。

　　半導(dǎo)體制造商主要用拋光Si片(PW)和外延Si片作為IC的原材料,。20世紀(jì)80年代早期開(kāi)始使用外延片,，它具有標(biāo)準(zhǔn)PW所不具有的某些電學(xué)特性并消除了許多在晶體生長(zhǎng)和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。

　　歷史上,，外延片是由Si片制造商生產(chǎn)并自用,，在IC中用量不大，它需要在單晶Si片表面上沉積一薄的單晶Si層,。一般外延層的厚度為2～20μm,，而襯底Si厚度為610μm(150mm直徑片和725μm(200mm片)。

　　外延沉積既可(同時(shí))一次加工多片,，也可加工單片,。單片反應(yīng)器可生產(chǎn)出質(zhì)量最好的外延層(厚度、電阻率均勻性好,、缺陷少);這種外延片用于150mm“前沿”產(chǎn)品和所有重要200 mm產(chǎn)品的生產(chǎn),。

　　外延產(chǎn)品

　　外延產(chǎn)品應(yīng)用于4個(gè)方面，CMOS互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體支持了要求小器件尺寸的前沿工藝。CMOS產(chǎn)品是外延片的最大應(yīng)用領(lǐng)域,，并被IC制造商用于不可恢復(fù)器件工藝,，包括微處理器和邏輯芯片以及存儲(chǔ)器應(yīng)用方面的閃速存儲(chǔ)器和DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。分立半導(dǎo)體用于制造要求具有精密Si特性的元件,。“奇異”(exotic)半導(dǎo)體類包含一些特種產(chǎn)品,它們要用非Si材料,，其中許多要用化合物半導(dǎo)體材料并入外延層中。掩埋層半導(dǎo)體利用雙極晶體管元件內(nèi)重?fù)诫s區(qū)進(jìn)行物理隔離,，這也是在外延加工中沉積的,。

　　外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜，展完外延片,，接下來(lái)就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試,，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大,，波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等),。良品的外延片就要開(kāi)始做電極(P極，N極),，接下來(lái)就用激光切割外延片,，然后百分百分撿，根據(jù)不同的電壓,，波長(zhǎng),，亮度進(jìn)行全自動(dòng)化分檢，也就是形成led晶片(方片),。然后還要進(jìn)行目測(cè),，把有一點(diǎn)缺陷或者電極有磨損的，分撿出來(lái),，這些就是后面的散晶,。此時(shí)在藍(lán)膜上有不符合正常出貨要求的晶片，也就自然成了邊片或毛片等,。不良品的外延片(主要是有一些參數(shù)不符合要求),，就不用來(lái)做方片，就直接做電極(P極,，N極),，也不做分檢了，也就是目前市場(chǎng)上的LED大圓片(這里面也有好東西,，如方片等),。

　　半導(dǎo)體制造商主要用拋光Si片(PW)和外延Si片作為IC的原材料。20世紀(jì)80年代早期開(kāi)始使用外延片,，它具有標(biāo)準(zhǔn)PW所不具有的某些電學(xué)特性并消除了許多在晶體生長(zhǎng)和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷,。

　　歷史上,，外延片是由Si片制造商生產(chǎn)并自用，在IC中用量不大,，它需要在單晶Si片表面上沉積一薄的單晶Si層,。一般外延層的厚度為2～20μm，而襯底Si厚度為610μm(150mm直徑片和725μm(200mm片),。

　　外延沉積既可(同時(shí))一次加工多片,，也可加工單片。單片反應(yīng)器可生產(chǎn)出質(zhì)量最好的外延層(厚度,、電阻率均勻性好,、缺陷少);這種外延片用于150mm“前沿”產(chǎn)品和所有重要200 mm產(chǎn)品的生產(chǎn),。

　　外延產(chǎn)品

　　外延產(chǎn)品應(yīng)用于4個(gè)方面,，CMOS互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體支持了要求小器件尺寸的前沿工藝。CMOS產(chǎn)品是外延片的最大應(yīng)用領(lǐng)域,，并被IC制造商用于不可恢復(fù)器件工藝,，包括微處理器和邏輯芯片以及存儲(chǔ)器應(yīng)用方面的閃速存儲(chǔ)器和DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。分立半導(dǎo)體用于制造要求具有精密Si特性的元件,。“奇異”(exotic)半導(dǎo)體類包含一些特種產(chǎn)品,它們要用非Si材料,，其中許多要用化合物半導(dǎo)體材料并入外延層中。掩埋層半導(dǎo)體利用雙極晶體管元件內(nèi)重?fù)诫s區(qū)進(jìn)行物理隔離,，這也是在外延加工中沉積的,。

　　目前，200 mm晶片中,，外延片占1/3,。2000年，包括掩埋層在內(nèi),，用于邏輯器件的CMOS占所有外延片的69%,，DRAM占11%，分立器件占20%,。到2005年,，CMOS邏輯將占55%，DRAM占30%,，分立器件占15%,。

　　LED外延片--襯底材料

　　襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料,，需要不同的外延生長(zhǎng)技術(shù),、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線,。襯底材料的選擇主要取決于以下九個(gè)方面：

　　[1]結(jié)構(gòu)特性好,，外延材料與襯底的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近,、晶格常數(shù)失配度小、結(jié)晶性能好,、缺陷密度小;

　　[2]界面特性好,，有利于外延材料成核且黏附性強(qiáng);

　　[3]化學(xué)穩(wěn)定性好，在外延生長(zhǎng)的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕;

　　[4]熱學(xué)性能好,，包括導(dǎo)熱性好和熱失配度小;

　　[5]導(dǎo)電性好,，能制成上下結(jié)構(gòu);

　　[6]光學(xué)性能好，制作的器件所發(fā)出的光被襯底吸收小;

　　[7]機(jī)械性能好,，器件容易加工,，包括減薄、拋光和切割等;

　　[8]價(jià)格低廉;

　　[9]大尺寸,，一般要求直徑不小于2英吋,。

　　襯底的選擇要同時(shí)滿足以上九個(gè)方面是非常困難的。所以,，目前只能通過(guò)外延生長(zhǎng)技術(shù)的變更和器件加工工藝的調(diào)整來(lái)適應(yīng)不同襯底上的半導(dǎo)體發(fā)光器件的研發(fā)和生產(chǎn),。用于氮化鎵研究的襯底材料比較多，但是能用于生產(chǎn)的襯底目前只有三種,，即藍(lán)寶石Al2O3和碳化硅SiC襯底以及Si襯底,。

評(píng)價(jià)襯底材料必須綜合考慮下列因素：
 
　　1.襯底與外延膜的結(jié)構(gòu)匹配：外延材料與襯底材料的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配小,、結(jié)晶性能好,、缺陷密度低;

　　2.襯底與外延膜的熱膨脹系數(shù)匹配：熱膨脹系數(shù)的匹配非常重要，外延膜與襯底材料在熱膨脹系數(shù)上相差過(guò)大不僅可能使外延膜質(zhì)量下降,，還會(huì)在器件工作過(guò)程中,，由于發(fā)熱而造成器件的損壞;

　　3.襯底與外延膜的化學(xué)穩(wěn)定性匹配：襯底材料要有好的化學(xué)穩(wěn)定性，在外延生長(zhǎng)的溫度和氣氛中不易分解和腐蝕,，不能因?yàn)榕c外延膜的化學(xué)反應(yīng)使外延膜質(zhì)量下降;

　　4.材料制備的難易程度及成本的高低：考慮到產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的需要,，襯底材料的制備要求簡(jiǎn)潔，成本不宜很高,。襯底尺寸一般不小于2英寸,。

　　當(dāng)前用于GaN基LED的襯底材料比較多，但是能用于商品化的襯底目前只有三種,，即藍(lán)寶石和碳化硅以及硅襯底,。其它諸如GaN、ZnO襯底還處于研發(fā)階段,，離產(chǎn)業(yè)化還有一段距離,。

　　氮化鎵：

　　用于GaN生長(zhǎng)的最理想襯底是GaN單晶材料，可大大提高外延膜的晶體質(zhì)量,，降低位錯(cuò)密度,，提高器件工作壽命,，提高發(fā)光效率，提高器件工作電流密度,。但是制備GaN體單晶非常困難,，到目前為止還未有行之有效的辦法。

　　氧化鋅：

　　ZnO之所以能成為GaN外延的候選襯底,，是因?yàn)閮烧呔哂蟹浅ｓ@人的相似之處,。兩者晶體結(jié)構(gòu)相同、晶格識(shí)別度非常小,，禁帶寬度接近(能帶不連續(xù)值小,，接觸勢(shì)壘小)。但是,，ZnO作為GaN外延襯底的致命弱點(diǎn)是在GaN外延生長(zhǎng)的溫度和氣氛中易分解和腐蝕,。目前，ZnO半導(dǎo)體材料尚不能用來(lái)制造光電子器件或高溫電子器件,，主要是材料質(zhì)量達(dá)不到器件水平和P型摻雜問(wèn)題沒(méi)有得到真正解決,，適合ZnO基半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)的設(shè)備尚未研制成功。

　　藍(lán)寶石：

　　用于GaN生長(zhǎng)最普遍的襯底是Al2O3,。其優(yōu)點(diǎn)是化學(xué)穩(wěn)定性好，不吸收可見(jiàn)光,、價(jià)格適中,、制造技術(shù)相對(duì)成熟。導(dǎo)熱性差雖然在器件小電流工作中沒(méi)有暴露明顯不足,，卻在功率型器件大電流工作下問(wèn)題十分突出,。

　　碳化硅：

　　SiC作為襯底材料應(yīng)用的廣泛程度僅次于藍(lán)寶石，目前中國(guó)的晶能光電的江風(fēng)益教授在Si襯底上生長(zhǎng)出了可以用來(lái)商業(yè)化的LED外延片,。Si襯底在導(dǎo)熱性,、穩(wěn)定性方面要優(yōu)于藍(lán)寶石，價(jià)格也遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于藍(lán)寶石,，是一種非常有前途的襯底,。SiC襯底有化學(xué)穩(wěn)定性好、導(dǎo)電性能好,、導(dǎo)熱性能好,、不吸收可見(jiàn)光等，但不足方面也很突出,，如價(jià)格太高,，晶體質(zhì)量難以達(dá)到Al2O3和Si那么好、機(jī)械加工性能比較差,，另外,，SiC襯底吸收380納米以下的紫外光,，不適合用來(lái)研發(fā)380納米以下的紫外LED。由于SiC襯底有益的導(dǎo)電性能和導(dǎo)熱性能,，可以較好地解決功率型GaN LED器件的散熱問(wèn)題,，故在半導(dǎo)體照明技術(shù)領(lǐng)域占重要地位。

　　同藍(lán)寶石相比,，SiC與GaN外延膜的晶格匹配得到改善,。此外，SiC具有藍(lán)色發(fā)光特性,，而且為低阻材料,，可以制作電極，使器件在包裝前對(duì)外延膜進(jìn)行完全測(cè)試成為可能,，增強(qiáng)了SiC作為襯底材料的競(jìng)爭(zhēng)力,。由于SiC的層狀結(jié)構(gòu)易于解理，襯底與外延膜之間可以獲得高質(zhì)量的解理面,，這將大大簡(jiǎn)化器件的結(jié)構(gòu);但是同時(shí)由于其層狀結(jié)構(gòu),，在襯底的表面常有給外延膜引入大量的缺陷的臺(tái)階出現(xiàn)。

　　實(shí)現(xiàn)發(fā)光效率的目標(biāo)要寄希望于GaN襯底的LED,，實(shí)現(xiàn)低成本,，也要通過(guò)GaN襯底導(dǎo)致高效、大面積,、單燈大功率的實(shí)現(xiàn),，以及帶動(dòng)的工藝技術(shù)的簡(jiǎn)化和成品率的大大提高。半導(dǎo)體照明一旦成為現(xiàn)實(shí),，其意義不亞于愛(ài)迪生發(fā)明白熾燈,。一旦在襯底等關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域取得突破，其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程將會(huì)取得長(zhǎng)足發(fā)展,。