一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/h3>

    1,、學(xué)習(xí)片外存貯器擴(kuò)展方法,。
    2、學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)存貯器不同的讀寫方法,。
    3,、學(xué)習(xí)片外程序存貯器的讀方法。
二,、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
1.實(shí)驗(yàn)原理圖：

 
2,、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
    （1）使用一片2764EPROM，作為片外擴(kuò)展的程序存貯器,，對(duì)其進(jìn)行讀,。
    （2）使用一片6264RAM，作為片外擴(kuò)展的數(shù)據(jù)存貯器,，對(duì)其進(jìn)行讀寫(使用鍵盤監(jiān)控命令和程序運(yùn)行兩種方法),。
3、實(shí)驗(yàn)說明
    （1）在使用鍵盤監(jiān)控命令讀片外擴(kuò)展的程序存貯器2764中內(nèi)容時(shí),，由于本系統(tǒng)中該程序存貯器作為用戶目標(biāo)系統(tǒng)的程序存貯器,，因此DVCC系統(tǒng)必須處于仿真2狀態(tài)，即“H.....”態(tài),，用MEM鍵即可讀出,。
    （2）在使用鍵盤監(jiān)控命令讀寫片外擴(kuò)展的數(shù)據(jù)存貯器6264中的內(nèi)容時(shí)，由于本系統(tǒng)中該數(shù)據(jù)存貯器作為用戶目標(biāo)系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存貯器,，因此DVCC系統(tǒng)處于仿真1態(tài)(“P.....”態(tài))或仿真2態(tài)(“H.....”態(tài)),，用ODRW鍵即可讀寫。
    （3）讀寫數(shù)據(jù)的選用,。
    本實(shí)驗(yàn)采用的是55H(0101,，0101)與AAH(1010，1010),，一般采用這兩個(gè)數(shù)據(jù)的讀寫操作就可查出數(shù)據(jù)總線的短路,、斷路等，在實(shí)驗(yàn)調(diào)試用戶電路時(shí)非常有效,。
    （4）在仿真1態(tài)即“P.....”狀態(tài)下,，編寫程序?qū)ζ鈹U(kuò)展的數(shù)據(jù)存貯器進(jìn)行讀寫,，若L1燈閃動(dòng)說明RAM讀寫正常。
三,、程序
程序清單：
        ORG   0C80H
        MOV        DPTR,#8000H
        MOV        R6,#0FH
        MOV        A,#55H
RAM1:  MOV        R7,#0FFH
RAM2:  MOVX  @DPTR,A
        CLR   P1.0
        INC   DPTR
        DJNZ        R7,RAM2
        DJNZ        R6,RAM1
        MOV DPTR,#8000H
        MOV R6,#0FH
RAM3:  MOV R7,#0FFH
RAM4:  MOVX       A,@DPTR
        CJNE A,#55H,RAM6
        SETB P1.0
        INC    DPTR
        DJNZ R7,RAM4
        DJNZ R6,RAM3
RAM5:  CLR    P1.0
        CALL  DELAY
        SETB P1.0
        CALL        DELAY
        SJMP RAM5
DELAY:       MOV    R5,#0FFH
DELAY1: MOV R4,#0FFH
        DJNZ R4,$
        DJNZ R5,DELAY1
        RET
RAM6:  SETB P1.0
        SJMP RAM6
        END
四,、實(shí)驗(yàn)步驟
    1、片外擴(kuò)展程序存貯器的讀,。
      (1)將RAM/EPROM區(qū)的D0—D7用排線連到BUS2區(qū)XD0—XD7,，同樣用排線將A0—A7連到BUS1區(qū)XA0—XA7，A8—A12連到BUS3區(qū)XA8—XA12,。
      (2)PGM插孔連到+5V插孔,。
      (3)CS1插孔連到譯碼輸出Y0插孔。
      (4)OE插孔連到BUS3區(qū)XPSEN插孔,。
      (5)在DVCC系統(tǒng)處于“P?”狀態(tài)下,，按F1鍵進(jìn)入仿真2態(tài)(“H.....”狀態(tài))。
      (6)輸入四位程序存貯器地址8000后按MEM鍵讀出2764中的內(nèi)容,。
    2,、片外擴(kuò)展數(shù)據(jù)存貯器的讀寫(用鍵盤監(jiān)控命令)
      (1)取出RAM/EPROM區(qū)中的實(shí)驗(yàn)監(jiān)控，再插上數(shù)據(jù)存貯器6264,。
      (2)將RAM/EPROM區(qū)的D0—D7用排線連到BUS1區(qū)XD0—XD7,，A0—A7連到BUS1區(qū)XA0—XA7，A8—A12連到BUS3區(qū)XA8—XA12,。
      (3)WE插孔與BUS3區(qū)XWR相連,。
      (4)CS1插孔連到譯碼輸出Y0插孔。
      (5)OE插孔連到BUS3區(qū)XRD插孔,。
      (6)CS2插孔與+5V插孔相連,。
      (7)在DVCC系統(tǒng)處于“P?”狀態(tài)下，按F2鍵進(jìn)入仿真1態(tài)(即“P.....”)或按F1鍵進(jìn)入仿真1態(tài)(即“P.....”),。
      (8)輸入四位地址8000后按ODRW鍵可讀寫6264中的內(nèi)容,。
    3、片外數(shù)據(jù)存貯器的讀寫(用程序)
步驟同上①—⑥,。
      (7)按框圖編制程序,，在上位機(jī)上進(jìn)行編譯,，鏈接形成Hex(或ABS)最終目標(biāo)文件,，然后傳送到DVCC實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)仿真RAM區(qū)中。
(8)在“P?”狀態(tài)下,，按F2鍵,，進(jìn)入仿真1態(tài)(“P.....”)，從起始地址0C80H開始連續(xù)運(yùn)行程序,。對(duì)6264進(jìn)行讀寫,。若L1燈閃動(dòng),，表示6264 RAM讀寫正常。