·??新型 2830 系列寬波段明場(chǎng)晶圓缺陷檢測(cè)系統(tǒng)采用 PowerBroadband^TM 技術(shù)；有了這種技術(shù),，對(duì)于 3Xnm 或更小設(shè)計(jì)規(guī)格的器件來(lái)說(shuō)，那些最難以發(fā)現(xiàn)的缺陷也就更容易被重復(fù)捕捉,。?

·??新型 Puma 9500 系列暗場(chǎng)晶圓缺陷檢測(cè)系統(tǒng),，其解析度和速度都是其前身的兩倍,，允許晶片廠在不損失產(chǎn)能的前提下,，支持了晶圓關(guān)鍵尺寸的縮小,。 ?

·? 新型 eDR-5210 電子束缺陷再檢測(cè)和分類(lèi)系統(tǒng)，為KLA-Tencor 檢測(cè)系統(tǒng)的提供了卓越的缺陷影像質(zhì)量和強(qiáng)大的同KLA-Tencor其他檢測(cè)設(shè)備的連接能力,，可加速及查明缺陷源?

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今日的KLA-Tencor 公司（納斯達(dá)克股票代碼 ：KLAC),，是專(zhuān)為半導(dǎo)體及相關(guān)產(chǎn)業(yè)提供工藝控制與良率管理解決方案的領(lǐng)先提供商，宣布推出兩款新型的晶圓缺陷檢測(cè)系統(tǒng),，以及一款新型的電子束再檢測(cè)系統(tǒng),，以解決 3Xnm / 2Xnm 節(jié)點(diǎn)的缺陷問(wèn)題。2830 系列明場(chǎng)晶圓檢測(cè)平臺(tái)采用創(chuàng)新的大功率等離子光源,，可以照亮和探測(cè)先前因尺寸和位置限制而無(wú)法反復(fù)探測(cè)的缺陷類(lèi)型,。Puma 9500 系列暗場(chǎng)晶圓檢測(cè)平臺(tái)采用突破性的光學(xué)和影像獲取技術(shù)，賦予其兩倍于其前身的分辨率和速度,，因此新型 Puma 工具可以暗場(chǎng)速度監(jiān)控更多層和更多的缺陷類(lèi)型,。 eDR-5210 電子束缺陷再檢測(cè)和分類(lèi)系統(tǒng)以第二代浸潤(rùn)式電磁場(chǎng)技術(shù)為特征,，以高生產(chǎn)力組合提供卓越的畫(huà)質(zhì)及可操作缺陷分類(lèi)提供集卓越缺陷影像質(zhì)量,，可采取措施的缺陷分類(lèi)以及高效產(chǎn)能為一體的組合。 每個(gè)新的系統(tǒng)都提供了超越其本身現(xiàn)有技術(shù)的實(shí)質(zhì)好處,。 此外,，新的檢測(cè)和再檢測(cè)系統(tǒng)可密切協(xié)作，優(yōu)先檢測(cè)和報(bào)告與良率有關(guān)的缺陷，使晶片廠能更加迅速地定位及糾正 3Xnm 和 2Xnm 節(jié)點(diǎn)的復(fù)雜缺陷問(wèn)題,。 ?

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?KLA-Tencor 晶圓檢測(cè)集團(tuán)副總裁兼總經(jīng)理 Mike Kirk 博士表示：“盡管目前經(jīng)濟(jì)低迷,，其他許多設(shè)備公司都在忙著縮減計(jì)劃，并延遲推出新平臺(tái),，但 KLA-Tencor 仍繼續(xù)大力投入開(kāi)發(fā)下一代產(chǎn)品,，其中包括針對(duì) 3Xnm 和 2Xnm 節(jié)點(diǎn)的兩套創(chuàng)新型晶圓缺陷檢測(cè)系統(tǒng)和一種獨(dú)特的再檢測(cè)工具。我們的客戶(hù)正在采用復(fù)雜的光刻技術(shù),、新穎的材料和異乎尋常的結(jié)構(gòu),。他們要處理額外的層和更小的工藝窗口，且對(duì)價(jià)值高度關(guān)注,。 為解決這些問(wèn)題,，我們的工程團(tuán)隊(duì)和供應(yīng)商以及客戶(hù)共同合作，針對(duì) 2830 系列,、Puma 9500 系列和 eDR-5210 系統(tǒng)開(kāi)發(fā)出真正的創(chuàng)新技術(shù),，賦予其前所未有的能力。 每款工具讓性能和產(chǎn)能均有大幅提升,。每款工具都可靈活用于多種應(yīng)用領(lǐng)域,，在當(dāng)今的經(jīng)濟(jì)環(huán)境下，這無(wú)疑會(huì)令價(jià)值大增,。每款工具均專(zhuān)門(mén)針對(duì),、或源于下一代器件的擴(kuò)展性而設(shè)計(jì)，因此晶片廠能夠最充分地重新利用其固定設(shè)備投資,。 我們深信,，這兩款新型檢測(cè)及再檢測(cè)產(chǎn)品系列的問(wèn)世，代表著我們所屬產(chǎn)業(yè)在缺陷檢測(cè)整體管理方面,，投資報(bào)酬率 (ROI) 大有提高： 更快檢測(cè)出偏移問(wèn)題,、更快解決疑難缺陷問(wèn)題、讓客戶(hù)的“次世代晶片”更快上市,?！?/SPAN>?

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2830 系列、Puma 9550 系列晶圓缺陷檢測(cè)系統(tǒng)和 eDR-5210 電子束缺陷再檢測(cè)和分類(lèi)系統(tǒng)由 KLA-Tencor 廣泛的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)提供支持,，可確保其高性能和工作效率,。有關(guān)各產(chǎn)品的更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱隨附的《技術(shù)摘要》,。?

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技術(shù)摘要：2830 系列寬波段明場(chǎng)缺陷檢測(cè)系統(tǒng)?

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在 3Xnm/2Xnm 設(shè)計(jì)規(guī)格會(huì)有多種多樣的缺陷方面的技術(shù)問(wèn)題,，起因首先是，與在較大線寬時(shí)相比,，影響良率的關(guān)鍵缺陷通常更小,，且更難捕獲,。這些缺陷也更難與諸如圖形邊緣粗糙度或色差等自然差異區(qū)分開(kāi)來(lái)，而這些自然差異屬于會(huì)影響根源分析的海量“非關(guān)鍵”缺陷,。晶圓上的系統(tǒng)缺陷,，即在晶圓上同一位置，或在同一圖案類(lèi)型內(nèi)反復(fù)印刷的那些缺陷,，會(huì)隨著設(shè)計(jì)規(guī)格的縮小而普遍增加,，這將對(duì)良率造成嚴(yán)重影響。3Xnm/2Xnm 節(jié)點(diǎn)的新型成形圖技術(shù)和結(jié)構(gòu)需要晶片廠對(duì)新材料和額外的工藝層進(jìn)行檢測(cè),。 ?

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新型 2830 系列明場(chǎng)檢測(cè)平臺(tái)采用 PowerBroadband^TM,，這是一種獨(dú)特的高亮度光源，其設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)更多重復(fù)捕獲難以發(fā)現(xiàn)的缺陷,，加快檢測(cè)速度,，并更好地區(qū)分關(guān)鍵缺陷和非關(guān)鍵缺陷。 此外,，由于裝備了一種新型的影像獲取系統(tǒng),，2830 系列的數(shù)據(jù)速率是其前身 2810 系列的兩倍，能夠在以生產(chǎn)需要的速度顯著增強(qiáng)檢測(cè)能力,。 ?

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·?激光放大式等離子光源可在從深紫外光到可見(jiàn)光的每個(gè)波長(zhǎng)提供更多的光,，從而實(shí)現(xiàn)了能夠顯著提高分辨率、對(duì)比度和工藝層穿透控制的新型光學(xué)模式,。?

·??波長(zhǎng)和光學(xué)模式的新型組合設(shè)計(jì)能夠捕捉迄今為止范圍最廣泛的缺陷類(lèi)型,，其中包括最具挑戰(zhàn)性的 3Xnm/2Xnm 節(jié)點(diǎn)的缺陷： 微橋 (micro-bridge) 和納米橋 (nano-bridge)、底橋 (bottom bridge),、凸起和微小空隙,。 ?

·??新型光學(xué)模式，包括獨(dú)有的 Broadband Directional E-Field^TM 技術(shù)在內(nèi),，可提供頂層識(shí)別功能,，這對(duì)捕捉諸如STI*、柵極蝕刻,、epi*,、接觸孔 (Contact/via)、銅 CMP* 和 ADI* 等設(shè)備器件層上的缺陷特別有價(jià)值,。 ?

·??PowerBroadband 和新型高速影像獲取系統(tǒng)提供了現(xiàn)今市場(chǎng)上速度最快的明場(chǎng)微缺陷檢測(cè)系統(tǒng),。工程師可利用此超高速度，在生產(chǎn)中實(shí)現(xiàn)更高靈敏度的操作,，更密集地抽驗(yàn)晶圓,，以進(jìn)行更嚴(yán)格的工藝控制，或支持產(chǎn)能擴(kuò)展,。?

·??我們最近針對(duì) 28XX 系列系統(tǒng)推出了新的 XP 選項(xiàng)升級(jí)包,，它采用標(biāo)準(zhǔn)的集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)布局文件，可協(xié)助改善與良率相關(guān)的缺陷捕捉,，并能識(shí)別可能表示光罩設(shè)計(jì)中邊臨近極限的特征的系統(tǒng)缺陷,。XP 選項(xiàng)還可以加快檢測(cè)程式創(chuàng)建與優(yōu)化，提高檢測(cè)系統(tǒng)儀的產(chǎn)能,。?

·?2830 系列可作為一整套系統(tǒng)提供,，也將可作為升級(jí)提供，我們廣泛裝設(shè)的 281X 或 282X 檢測(cè)系統(tǒng)中的任何一款均可升級(jí),，這種選項(xiàng)設(shè)計(jì)讓晶片廠能夠以具有成本效益的方式,，將其資本投資延伸至 3Xnm 和 2Xnm 節(jié)點(diǎn)。?

·?如想取得2830 系列檢測(cè)系統(tǒng)的更多詳細(xì)資訊,，請(qǐng)參看產(chǎn)品網(wǎng)頁(yè)：http://www.kla-tencor.com/patterned-wafer/283x-series.html. ?http://www.kla-tencor.com/patterned-wafer/283x-series.html,。?

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技術(shù)摘要：Puma 9500 系列暗場(chǎng)缺陷檢測(cè)系統(tǒng)?

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即使采用尖端技術(shù)，明場(chǎng)缺陷檢測(cè)系統(tǒng)也難以用來(lái)對(duì)每個(gè)設(shè)備工藝層提供最佳檢測(cè),。激光成像暗場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)可在大幅提高的產(chǎn)能下運(yùn)轉(zhuǎn)作,，且其提供的缺陷捕捉捉率對(duì)于許多應(yīng)用領(lǐng)域（通常為薄膜、蝕刻和 CMP）而言已是綽綽有余,。由于可在更高產(chǎn)能下工運(yùn)作,，其工藝的取樣可以更加頻繁，因此能夠在損失額外晶圓之前找出缺陷偏移,，并采取補(bǔ)救措施,。新產(chǎn)品上市時(shí)間和良率對(duì)客戶(hù)的盈利能力至關(guān)重要。因此,，在戰(zhàn)策略上,，晶片廠有必要結(jié)合使用明場(chǎng)和暗場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)，讓晶片廠對(duì)檢測(cè)設(shè)備的投資實(shí)現(xiàn)最佳回報(bào),。?

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Puma 9500 系列暗場(chǎng)檢測(cè)平臺(tái)采用了突破性使能技術(shù),，即獨(dú)特的高數(shù)值孔徑 (NA*) 收集光學(xué)系統(tǒng)。該系統(tǒng)集合了更大功率的激光,、實(shí)際數(shù)值孔徑,、一種新型的影像獲取系統(tǒng)和創(chuàng)新算法，這些技術(shù)讓暗場(chǎng)檢測(cè)平臺(tái)的產(chǎn)能敏感度大大提高,，超過(guò)上一代檢測(cè)工具 30% 以上,。此項(xiàng)重大進(jìn)步旨在讓我們的客戶(hù)能夠步入具備更高靈敏度的操運(yùn)作能力，在不損失產(chǎn)能的前提下支持滿(mǎn)足關(guān)鍵尺寸的縮小的需求,。此外,，Puma 9500 還可以將其增強(qiáng)的高靈敏度及高產(chǎn)能應(yīng)用于檢測(cè)新額外的工藝層，捕捉捉更小缺陷,，其速度優(yōu)勢(shì)可幫助晶片廠盡快達(dá)到最先進(jìn)器件生產(chǎn)的良率目標(biāo),。?

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·???????????? 新的光學(xué)與影像獲取技術(shù)相結(jié)合,，再加上訊號(hào)處理架構(gòu)的改變，可產(chǎn)生兩倍于上世一代 Puma 系列的解析度,；讓該系統(tǒng)在檢測(cè)期間不僅能從總體缺陷群中更好地過(guò)濾出非關(guān)鍵缺陷,，還能顯著增強(qiáng)影圖像對(duì)比度。 ?

·???????????? 改善分辨率,、非關(guān)鍵缺陷抑制和圖像對(duì)比度工作,，讓 Puma 9500 能夠更好地捕捉極細(xì)小的微粒和圖案缺陷，例如線開(kāi)口與線變細(xì),、微橋 (micro-bridge) 與納米橋 (nano-bridge),，以及在 ≤3Xnm 設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)器件設(shè)備上產(chǎn)生的諸如多晶層中的凸起和傾倒問(wèn)題。?

·???????????? 由于 Puma 9500 系列平臺(tái)的檢測(cè)速度比以前的 Puma 系列快一倍,，因此它可以更快速地抽取樣,，以實(shí)現(xiàn)更嚴(yán)格的工藝控制或在生產(chǎn)過(guò)程中實(shí)現(xiàn)更高靈敏度的操運(yùn)作。?

·???????????? 如想取得9500 系列檢測(cè)系統(tǒng)的更多詳細(xì)資訊,，請(qǐng)參看產(chǎn)品網(wǎng)頁(yè):http://www.kla-tencor.com/patterned-wafer/puma95xxseries.html. http://www.kla-tencor.com/patterned-wafer/puma95xxseries.html,。?

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技術(shù)摘要： eDR-5210 電子束缺陷再檢測(cè)和分類(lèi)系統(tǒng)?

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當(dāng)前，光學(xué)圖像的最小缺陷尺度已精確到單個(gè)像素,，電子束再檢測(cè)對(duì)檢測(cè)缺陷是必不可少的 – 反過(guò)來(lái)說(shuō),，這對(duì)判斷缺陷源及糾正此等問(wèn)題也是至關(guān)重要。 電子束再檢測(cè)工具的有效缺陷分類(lèi),，必須要能擷取高質(zhì)圖像,，然后對(duì)其進(jìn)行可靠且有效的缺陷重新檢測(cè)¹。 基于電子束圖像的分類(lèi)算法受益于有關(guān)缺陷的補(bǔ)充資訊,，如元素分析,，檢測(cè)工具提供的相應(yīng)光學(xué)圖像，以及缺陷所處的模式環(huán)境,。 整個(gè)過(guò)程的自動(dòng)化可增強(qiáng)可靠性,，加快認(rèn)識(shí)問(wèn)題的時(shí)間。 ?

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eDR-5210 電子束缺陷再檢測(cè)和分類(lèi)系統(tǒng)支持多種技術(shù)和架構(gòu)的改進(jìn),，旨在提升設(shè)備的解析度,、再檢測(cè)率、分類(lèi)精確度和生產(chǎn)力,。 作為再檢測(cè)設(shè)備,，附加了與KLA – Tencor 檢測(cè)系統(tǒng)進(jìn)階連接能力，提高與良率相關(guān)的缺陷數(shù)據(jù)結(jié)果,，并提高檢測(cè)再檢測(cè)解決方案的整體生產(chǎn)力,。?

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·???????????? 第二代浸潤(rùn)式電磁場(chǎng)技術(shù)，自上而下同步高解析度成像、高解析度的拓?fù)涑上?/SPAN>,，帶來(lái)超卓畫(huà)質(zhì),。 ?

·???????????? 設(shè)計(jì)感知能力² 以標(biāo)準(zhǔn)IC 設(shè)計(jì)布局檔案（定義晶片圖樣的說(shuō)明指引）的資訊來(lái)補(bǔ)充缺陷數(shù)據(jù)——以便更快地識(shí)別嚴(yán)重影響良率的系統(tǒng)缺陷問(wèn)題。?

·???????????? 設(shè)計(jì)感知能力,，從KLA – Tencor 檢測(cè)系統(tǒng)中取得的專(zhuān)有光學(xué)圖像與現(xiàn)場(chǎng)SEM* 圖像,，引導(dǎo)更快地對(duì)3Xnm 和2Xnm 節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵制圖問(wèn)題有一個(gè)根源性的了解。?

·???????????? 裸晶圓和無(wú)圖形薄膜晶圓的自動(dòng)再檢測(cè)解決方案,，透過(guò)利用可靠的多點(diǎn)晶片對(duì)準(zhǔn)技術(shù)，螺旋搜尋算法和自動(dòng)元素分析后,，對(duì)最微小的缺陷都能提供顯著增強(qiáng)的重新檢測(cè)與分類(lèi),。?

·???????????? 想要取得有關(guān)eDR-5210 電子束缺陷再檢測(cè)和分類(lèi)系統(tǒng)的更多詳情，請(qǐng)參看產(chǎn)品網(wǎng)頁(yè)： ?http://www.kla-tencor.com/patterned-wafer/eDR-5210.html,。http://www.kla-tencor.com/patterned-wafer/eDR-5210.html.?

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*縮略詞：?

STI = 淺溝糟隔離?

Epi = 外延(epitaxial)硅?

CMP = 化學(xué)機(jī)械研磨拋光?

ADI = 顯影后檢測(cè)?

NA = 數(shù)值孔徑?

SEM = 掃瞄式電子顯微鏡?

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注：?

1. 使用“重新檢測(cè)”一詞是指出這樣一個(gè)事實(shí),，一旦晶圓從檢測(cè)系統(tǒng)轉(zhuǎn)移到再檢測(cè)系統(tǒng)時(shí)，缺陷必須再次定位,。?

2. 當(dāng)eDR-5210 配合KLA-Tencor 檢測(cè)系統(tǒng)使用時(shí)可提供該功能,，支持XP 選項(xiàng)[鏈接： http://www.kla-tencor.com/patterned-wafer/xp.html] ?

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關(guān)于 KLA-Tencor：? ?

KLA-Tencor 公司 （納斯達(dá)克股票代碼：KLAC）是工藝控制與良率管理解決方案的領(lǐng)先提供商，它與全球客戶(hù)合作,，開(kāi)發(fā)先進(jìn)的檢測(cè)與度量技術(shù),。 這些技術(shù)為半導(dǎo)體、資料儲(chǔ)存,、化合物半導(dǎo)體,、光電及其他相關(guān)奈米電子產(chǎn)業(yè)提供服務(wù)。公司擁有廣泛的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品系列及世界一流的工程師與科學(xué)家團(tuán)隊(duì),，三十余年來(lái)為客戶(hù)努力打造優(yōu)秀的解決方案,。KLA-Tencor 的總部設(shè)在美國(guó)加利福尼亞州 Milpitas，并在全球各地設(shè)有專(zhuān)屬的客戶(hù)運(yùn)營(yíng)與服務(wù)中心,。?? 如需獲取更多詳情,，可訪問(wèn)本公司網(wǎng)站：www.kla-tencor.com。(KLAC-P)?

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前瞻性聲明：?

本新聞稿中除歷史事實(shí)以外的聲明,，例如關(guān)于向 3Xnm 與 2Xnm 臨界線寬的預(yù)期技術(shù)轉(zhuǎn)移,，解決有關(guān)此預(yù)期轉(zhuǎn)移挑戰(zhàn)的 2830 系列、Puma 9500 系列或 eDR-5210 晶片檢測(cè)系統(tǒng)的能力,，這些工具的性能標(biāo)準(zhǔn),，針對(duì)或源于其他產(chǎn)品或我們工具的升級(jí)能力的新工具的可擴(kuò)展性，以及客戶(hù)投資回報(bào)的預(yù)期改善,，或加快上市速度的能力等陳述,，均為前瞻性聲明，并受到《1995 年美國(guó)私人證券訴訟改革法案》(Private Securities Litigation Reform Act of 1995) 規(guī)定的“安全港”(Safe Harbor) 條款的制約,。由于各種因素,，包括因未曾預(yù)料的成本或性能問(wèn)題而導(dǎo)致延遲采用新技術(shù),，我們持續(xù)不懈的內(nèi)部開(kāi)發(fā)工作取得成功，以及我們的客戶(hù)采取可能影響其投資回報(bào)或上市時(shí)間的業(yè)務(wù)與運(yùn)營(yíng)措施等,，實(shí)際結(jié)果可能與此類(lèi)聲明中的預(yù)期結(jié)果實(shí)質(zhì)不同,。?

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圖片/多媒體庫(kù)可從以下網(wǎng)址獲得 : http://www.businesswire.com/cgi-bin/mmg.cgi?eid=6005577&lang=en?

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