??? 瑞薩科技公司(Renesas)在近日宣布推出面向新一代通信網(wǎng)絡(luò)內(nèi)高端路由器和交換機(jī)使用的高速SRAM產(chǎn)品系列,。這些SRAM產(chǎn)品不僅符合QDR聯(lián)盟行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求,，還實(shí)現(xiàn)了72Mb四倍數(shù)據(jù)速率II+(QDRTM II+)和雙數(shù)據(jù)速率II+(DDR II+)的業(yè)內(nèi)最高工作速度，并且包含72Mb QDRII和DDRII SRAM器件,。整個(gè)器件系列(具有多種速度和配置)將于2009年8月在日本開始陸續(xù)進(jìn)行銷售,。
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新產(chǎn)品特性如下：
(1)業(yè)內(nèi)最高的工作速度：533 MHz(QDRII+和DDRII+ SRAM)和333 MHz(QDRII和DDRII版)；
?? 瑞薩大幅提高了新產(chǎn)品的工作速度,，同時(shí)還通過利用先進(jìn)的45nm生產(chǎn)工藝而保持了低壓操作,。QDRII SRAM產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的工作速度——333 MHz，QDRII+ SRAM產(chǎn)品也達(dá)到了業(yè)內(nèi)最高的工作速度——533 MHz,。這些器件可以支持高端路由器與交換機(jī)(其支持10G,、40G和容量更大的多層通信系統(tǒng))內(nèi)的分組查找和包緩沖器應(yīng)用所需的高速處理。
(2)大量72Mb器件,；
?? 瑞薩將為3種數(shù)據(jù)I/O寬度(9,、18或36位)和2種突發(fā)長(zhǎng)度(2或4字)的產(chǎn)品提供支持。此外,，瑞薩還提供具有內(nèi)置式ODT(晶片上終端電阻)功能的產(chǎn)品,，極大地降低了高速操作過程中可能發(fā)生的信號(hào)質(zhì)量下降。瑞薩豐富的QDRII,、DDR II,、QDRII+和DDRII+ SRAM產(chǎn)品系列使得用戶能夠選擇最符合其系統(tǒng)要求的解決方案。
?? 新產(chǎn)品均提供所有突發(fā)長(zhǎng)度和位寬度組合,，并且標(biāo)準(zhǔn)HSTL(高速晶體管邏輯)接口用于超高速同步SRAM.
?? 新產(chǎn)品采用165-引腳塑料FBGA封裝,，尺寸為15 mm × 17 mm，具有出色的散熱特性,，適于大密度安裝,。這些產(chǎn)品符合RoHS指令*4的要求，還提供無鉛版本,。QDR引腳配置支持將來向高達(dá)288Mb的密度無縫移植,。并且,，采用FBGA封裝的產(chǎn)品支持IEEE標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試存取端口和邊界掃描架構(gòu)(IEEE標(biāo)準(zhǔn)1149.1-1990)，能夠在板級(jí)模塊安裝過程中實(shí)現(xiàn)交叉連接檢查,。
?? 對(duì)于將來該領(lǐng)域的開發(fā),，瑞薩制定了長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展規(guī)劃，并致力于開發(fā)容量更大,、性能更高的QDR/DDR SRAM產(chǎn)品以支持不斷變化的用戶需求,。
?? 典型應(yīng)用：新一代通信設(shè)備，如高端路由器和交換機(jī)