在近日于美國(guó)舉行的閃存高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上,，一位業(yè)界高層對(duì)NAND市場(chǎng)做出了大膽的預(yù)測(cè),。在專題演說(shuō)中,，SanDisk創(chuàng)辦人暨總裁,、執(zhí)行長(zhǎng)Eli Harari警告，NAND產(chǎn)業(yè)正處于“十字路口”,，主要是因?yàn)槭袌?chǎng)產(chǎn)能供應(yīng)與需求之間存在“隔閡”,。
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以下是Harari對(duì)NAND閃存市場(chǎng)的8個(gè)預(yù)言：
1. 產(chǎn)業(yè)已經(jīng)開(kāi)始復(fù)蘇。在經(jīng)歷衰退之后,，NAND正朝向復(fù)蘇之路，目前的市場(chǎng)供需平衡處于較佳的狀態(tài),。
2. NAND平均價(jià)格(ASP)并沒(méi)有像過(guò)去下跌得那么快,。預(yù)計(jì)在2010~2013年之間，NAND價(jià)格的年衰退幅度在40%左右,；而該數(shù)字在2005年~2009年之間大約是60%,。
3. 多位(multi-bit)技術(shù)持續(xù)當(dāng)?shù)馈Ｔ?009年~2015年之間,，x3 (3-bit-per-cell)與x4 (4-bit-per-cell)技術(shù)將會(huì)取代目前的2-bit-per-cell主流技術(shù),。
4. 受管理型(Managed) NAND將成市場(chǎng)主角?？刂破餍酒瑢⒊蔀镹AND市場(chǎng)關(guān)鍵,，以支持NAND包括固態(tài)硬盤(pán)(SSD)在內(nèi)的不同應(yīng)用；未來(lái)市場(chǎng)焦點(diǎn)將會(huì)由未加工(raw) NAND──或者說(shuō)是離散式零件──轉(zhuǎn)向受管理型NAND,。
5. NAND仍將稱霸通用內(nèi)存技術(shù),。在NAND之外尚未誕生可行的通用內(nèi)存技術(shù)，包括FRAM,、MRAM與相變化(phase-change)內(nèi)存等等,，都還上不了臺(tái)面。
6. 3D技術(shù)可望冒出頭,。3D讀寫(xiě)(3-D read/write)有可能從通用內(nèi)存技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)中嶄露頭角,；SanDisk與Toshiba正在研發(fā)可能取代NAND的3D技術(shù)。不過(guò)盡管材料上能取得突破,，向3D內(nèi)存技術(shù)的轉(zhuǎn)移還需要數(shù)年時(shí)間,。
7. 18吋晶圓技術(shù)是未知數(shù)。NAND廠應(yīng)該不會(huì)從12吋晶圓轉(zhuǎn)向18吋晶圓,，所需的資本支出成本實(shí)在太高,。
8. 超紫外光(EUV)技術(shù)瀕臨危機(jī)。目前的先進(jìn)NAND制程是采用193納米浸潤(rùn)式微影(immersion lithography),；而NAND供貨商們將會(huì)發(fā)現(xiàn)要轉(zhuǎn)向EUV是件困難的工作,。