DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會急匆匆地到來,。最新消息顯示,，DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務(wù)器領(lǐng)域，然后再過一年半左右才進(jìn)入桌面,。據(jù)悉,，Intel的再下代企業(yè)級服務(wù)器平臺Haswell-EX將會第一個整合DDR4內(nèi)存控制器。Haswell-EX和我們經(jīng)常展望的Haswell屬于同一家族,，面向數(shù)據(jù)中心等大型企業(yè)領(lǐng)域,，最多擁有16個核心，四路就是64核心,。
　　
　　DDR4內(nèi)存不僅會帶來頻率的大幅提升(最高可達(dá)4266MHz),，更會有1.2V低電壓、更好的對等保護(hù)和錯誤恢復(fù)等技術(shù),，這些大規(guī)模用于服務(wù)器和企業(yè)中心自然能看到立竿見影的好處,。
　　
　　至于桌面上,，22nmHaswell,、14nmBroadwell都會使用相同的LGA1150封裝接口，內(nèi)存控制器自然也都局限于DDR3,，DDR4的支持很可能要等到再往后的14nm工藝新架構(gòu)“Skylake”,，那就是大約2015年的事情了。
　　
　　這樣的步調(diào)可不算快,，之前市場調(diào)研機(jī)構(gòu)曾經(jīng)認(rèn)為,，DDR4內(nèi)存到2015年就應(yīng)該基本普及了。不過也好,，升級太快了不見得是什么好事兒,，大家可以更安心地享受廉價DDR3了。
　　
　　另外,，如果你擔(dān)心Haswell,、Broadwell會因此在內(nèi)存性能上無所作為,，倒也大可不必，因為一則DDR3的頻率肯定會越來越高,，二者這兩代新處理器會有超低延遲內(nèi)部內(nèi)存控制器總線,、刷功能被浮點(diǎn)峰值發(fā)射率、FMA運(yùn)算,、四級緩存等新特性,，都有利于帶來更好的內(nèi)存性能。