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飛兆半導(dǎo)體Generation III XS? DrMOS系列為電源設(shè)計(jì)人員提供 最高效率,更佳功率密度并節(jié)省線路板空間

60A多芯片模塊系列可讓設(shè)計(jì)人員滿足嚴(yán)苛的節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)
2012-04-17
作者:飛兆半導(dǎo)體


新能源標(biāo)準(zhǔn)以及針對(duì)刀片式服務(wù)器、高性能筆記本電腦,、游戲主機(jī)和負(fù)載點(diǎn)(point-of-load)模塊的新系統(tǒng)規(guī)范,正在推動(dòng)業(yè)界對(duì)更高效率,、更大電流,、更高開(kāi)關(guān)頻率以及更大功率密度的需求。為了配合行業(yè)發(fā)展趨勢(shì),,飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模塊(MCM)系列,。

FDMF68xx系列經(jīng)設(shè)計(jì)能夠降低輸出感量和減少輸出電容器數(shù)目,與普通分立器件解決方案相比,,該系列能夠節(jié)省多達(dá)50%的線路板空間,,并提高效率,以期滿足新能源標(biāo)準(zhǔn)要求,。使用飛兆半導(dǎo)體的高性能PowerTrench® MOSFET技術(shù),,FDMF68xx系列能夠顯著減少開(kāi)關(guān)振鈴(switch ringing),省去大多數(shù)降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中使用的緩沖器電路,。

Gen III DrMOSMCM系列能夠支持?jǐn)?shù)字和模擬PWM控制器的3.3V和5V三態(tài)PWM輸入電壓,,30V器件選項(xiàng)使得DrMOS能夠適應(yīng)筆記本電腦或UltraBookTM 電源系統(tǒng)的要求。Gen III DrMOS系列在1MHz以上開(kāi)關(guān)頻率下提供更高的效率,,更高的最大負(fù)載電流和功率密度,,該系列器件采用6x6mm2 PQFN封裝,能夠達(dá)到效率標(biāo)準(zhǔn)要求并提供每相高達(dá)60A的電流,。要了解更多的信息及索取樣品,,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)公司網(wǎng)頁(yè):

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特性和優(yōu)勢(shì)

• 峰值效率達(dá)93%;30A效率達(dá)91%,;500KHz頻率,,12VIN,,1VOUT

• 峰值效率達(dá)90%;30A效率達(dá)88%,;1MHz頻率,,12VIN,1VOUT

• 大電流處理能力:結(jié)溫100°C時(shí)60A

• 能夠達(dá)到1.5MHz的開(kāi)關(guān)頻率

• 省去典型設(shè)計(jì)中的散熱器

飛兆半導(dǎo)體Genernation III DrMOS系列器件提供業(yè)界領(lǐng)先技術(shù),,以應(yīng)對(duì)現(xiàn)今設(shè)計(jì)所遇到的能效和外形尺寸挑戰(zhàn),。Genernation III DrMOS器件是飛兆半導(dǎo)體高能效的功率模擬、功率分立和光電子解決方案的一部分,,能夠在功率敏感應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最大節(jié)能,。

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