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業(yè)界最?。×_姆開發(fā)出車載用內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器

2012-05-22

 

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部位于日本京都市)開發(fā)出內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器“BM6103FV-C”,最適合作為電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力車(HEV)逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)元件。

本產(chǎn)品融合了羅姆獨(dú)創(chuàng)的BiCDMOS技術(shù)與新開發(fā)的片上變壓器工藝技術(shù),作為內(nèi)置了絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器,,是業(yè)界最小小型封裝,有助于逆變器電路的小型化,。另外,,與傳統(tǒng)的光耦方式相比,可大幅降低耗電量,,而且由于具備了所有必要的保護(hù)功能和品質(zhì)要求,,可減少設(shè)計(jì)時(shí)的工作量。

不僅如此,,還支持作為新一代功率半導(dǎo)體備受期待的SiC(Silicon carbide:碳化硅)的功率MOSFET的高速開關(guān),,非常有助于實(shí)現(xiàn)更加高效、更加低功耗的新一代電動(dòng)汽車,。

生產(chǎn)基地在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國),,預(yù)計(jì)從2012年6月份開始銷售樣品(樣品價(jià)格:1,000日元),從2012年9月份開始以月產(chǎn)1萬個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn),。

※ 根據(jù)羅姆的調(diào)查(截至2012年5月22日)

近年來,隨著EV和HEV的不斷普及,,為了進(jìn)一步提高性能,,對(duì)動(dòng)力單元的逆變器電路小型化的要求高漲。一方面,,一般每個(gè)車載用逆變器內(nèi)置6個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器,,為了實(shí)現(xiàn)逆變器電路的小型化,柵極驅(qū)動(dòng)器的小型化勢在必行,。此外,,在車載特有的苛刻的驅(qū)動(dòng)環(huán)境中,為實(shí)現(xiàn)確保安全性的逆變器電路,,不僅需要各種保護(hù)功能,,為了防止駕駛員觸電,作為絕緣元件必須配備光耦等外置零件,。在這種情況下,,對(duì)于內(nèi)置絕緣元件、并且小型的柵極驅(qū)動(dòng)器的需求日益高漲,。

另一方面,,有望內(nèi)置于新一代EV/HEV的SiC元件用于逆變器電路時(shí),解決其高速開關(guān)性能所導(dǎo)致的噪音也已成為重大課題,。   

此次羅姆采用獨(dú)創(chuàng)的微細(xì)加工技術(shù),,開發(fā)出片上變壓器工藝,進(jìn)而成功開發(fā)出小型并且內(nèi)置了絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器。無需外置零件,,同時(shí)通過采用小型封裝,,與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,安裝面積減少了約50%,。不僅如此,,由于內(nèi)置車載逆變器電路所需的全部保護(hù)功能,不僅有助于實(shí)現(xiàn)逆變器的小型化,,還非常有助于減輕設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān),。

另外,針對(duì)逆變器電路中內(nèi)置SiC元件,、模塊時(shí)的噪音,,通過與引以為豪的“業(yè)界最尖端”的羅姆自產(chǎn)SiC元件、模塊相結(jié)合進(jìn)行開發(fā),,以最佳的電路設(shè)計(jì)成功解決了這個(gè)問題,,從而成為業(yè)界唯一支持SiC的內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器。

羅姆將以SiC為首的功率元件事業(yè)作為發(fā)展戰(zhàn)略之一定位,,于2012年3月世界首家開始了“全SiC”功率模塊的量產(chǎn),。今后,羅姆繼續(xù)推進(jìn)最大限度發(fā)揮SiC特性的柵極驅(qū)動(dòng)器的開發(fā),,同時(shí),,還將推進(jìn)SiC-IPM(智能功率模塊)等的開發(fā),不斷完善SiC相關(guān)產(chǎn)品的陣容,。

<特點(diǎn)>

1)  通過羅姆獨(dú)創(chuàng)的無鐵芯變壓器技術(shù),,內(nèi)置2,500Vrms絕緣元件

2)  小型封裝

與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,SSOP-B20W(6.5mm×8.1mm H=Max 2.01mm)將安裝面積減少了50%以上

3)  通過內(nèi)置所有的保護(hù)功能,,實(shí)現(xiàn)安全設(shè)計(jì)

內(nèi)置了車載逆變器電路所要求的全部保護(hù)功能:米勒鉗位功能,、故障輸出功能、低電壓時(shí)誤動(dòng)作防止功能,、熱保護(hù)功能,、短路保護(hù)功能、短路保護(hù)時(shí)軟關(guān)斷功能,。

《主要規(guī)格》

  

4)  還支持SiC的高速開關(guān)

業(yè)界唯一支持SiC元件電路的產(chǎn)品,。羅姆生產(chǎn)的SiC可以在最大800V、400A輸出狀態(tài)下確保穩(wěn)定驅(qū)動(dòng),。

 
 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

<術(shù)語解說>

?IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor的簡稱)

絕緣柵雙極晶體管,。在柵極構(gòu)建了MOSFET的雙極晶體管。

?MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的簡稱)

金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,,是FET中最被普遍使用的結(jié)構(gòu),。作為開關(guān)元件使用,。

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