我們知道現(xiàn)在DDR3內(nèi)存逐步發(fā)展,，已經(jīng)成為目前主流的選擇,，而且現(xiàn)在性能最高也達(dá)到了DDR3-2133，明年DDR4內(nèi)存將會(huì)出現(xiàn),，預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)傳輸率將會(huì)從1600起跳,，可以達(dá)到4266的水平，是DDR3的兩倍,。在很多人看來,，內(nèi)存已經(jīng)很少給電腦性能帶來太大幫助，DDR4內(nèi)存是否性能過剩,，成為末路黃花?目前還不好說，不管怎么樣,，技術(shù)總是要向前發(fā)展的,。

今天我們就看到國外媒體有討論DDR4內(nèi)存的發(fā)展,。有興趣的朋友可以通過下面的文檔進(jìn)行了解,。

現(xiàn)在Intel平臺(tái)內(nèi)存規(guī)格

DDR內(nèi)存的發(fā)展趨勢(shì)

此前JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)就正式宣布未來DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵技術(shù)，預(yù)計(jì)將會(huì)在2012年中,，DDR4內(nèi)存將會(huì)具備更高的性能,，并且功耗方面更低,。