科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布推出可適用于軍用和商用S 波段雷達中的高效GaN HEMT 晶體管。新型S 波段GaN HEMT 晶體管的額定功率為60W,，頻率為3.1至3.5GHz 之間,，與傳統(tǒng)Si或GaAs MESFET 器件相比，能夠提供優(yōu)越的漏極效率（接近70%）,。同時,，高效率和高功率密度的結(jié)合有助于最大限度地降低散熱的要求，并減少在商用雷達系統(tǒng)應(yīng)用中的尺寸與重量,。

科銳無線射頻（RF）及微波部門總監(jiān)Jim Milligan表示：“新型S 波段GaN HEMT 器件的推出豐富了科銳高效S 波段GaN晶體管與單片式微波集成電路（MMIC）產(chǎn)品系列,，從而為客戶在商用雷達系統(tǒng)高功率放大電路的應(yīng)用中提供更多的選擇。高效的S 波段GaN HEMT 器件率,，在具有優(yōu)異信號保真度的同時擴展脈沖能力,，并最大限度地降低散熱管理需求，從而能夠幫助無線射頻設(shè)計工程師大幅度地降低雷達系統(tǒng)的尺寸和重量,，同時擴大應(yīng)用范圍并降低安裝成本,。”

科銳CGH35060 GaN HEMT 晶體管28V 工作電壓下的額定脈沖功率為60W（當脈寬為100微秒時），功率增益為12dB,，漏極效率為65%,，與傳統(tǒng)硅LDMOS 器件相比高出50%。CGH35060 型GaN 器件已經(jīng)在高功率放大器參考設(shè)計（S 波段頻率在3.1至3.5GHz 之間）中得到驗證,。與GaAs和Si技術(shù)相比，CGH35060 還具有長脈沖,、高功率性能（低于0.6dB）,、優(yōu)異的信號保真度以及非常低的功率衰減等特性,。

新型GaN HEMT 晶體管與科銳S 波段全套產(chǎn)品系列相匹配，包括CGH31240F/CGH35240F全面匹配240W GaN HEMT 器件（2.7 – 2.9GHz / 3.1 – 3.5GHz）以及CMPA2735075F兩級封裝GaN HEMT 單片式微波集成電路（MMIC）,。

如欲了解更多最新S波段GaN HEMT器件詳情,，敬請訪問：www.cree.com。

關(guān)于科銳（CREE）

科銳成立于1987年,，是美國上市公司（1993年,，納斯達克：CREE），為全球LED外延,、芯片,、封裝、LED照明解決方案,、化合物半導體材料,、功率器件和射頻于一體的著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者?？其JLED 照明產(chǎn)品的優(yōu)勢體現(xiàn)在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等方面獨一無二的材料技術(shù)與先進的白光技術(shù),，擁有1,300多項美國專利、2,900多項國際專利和近390項中國專利（以上包括已授權(quán)和在審專利）,，使得科銳LED產(chǎn)品始終處于世界領(lǐng)先水平,。科銳照明級大功率LED,，具有光效高,、色點穩(wěn)、壽命長等優(yōu)點,?？其J在向客戶提供高質(zhì)量、高可靠發(fā)光器件產(chǎn)品的同時也向客戶提供成套的LED照明解決方案,?？其J碳化硅金屬氧化物半導體場效應(yīng)管開關(guān)器件（MOSFET Switch）的導通電阻小、溫度系數(shù)穩(wěn),、漏電流低,、開關(guān)時間短，以及科銳碳化硅肖特基功率二極管（Schottky Power Diode）零反向恢復電流等特性,，使得科銳碳化硅功率器件特別適用于高頻,、高效、高功率密度,、高可靠性需求的電力電子系統(tǒng),。