高功率和高頻率感應(yīng)加熱(IH)家用電器需要更低的傳導(dǎo)損耗和卓越的開(kāi)關(guān)性能，以便在IH電飯煲,、臺(tái)式電磁爐和基于逆變器的微波爐等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的效率和系統(tǒng)可靠性,。飛兆半導(dǎo)體的高電壓場(chǎng)截止陽(yáng)極短路(Shorted Anode)trench IGBT可針對(duì)這些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)為設(shè)計(jì)人員提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠且高效的解決方案。

該款全新產(chǎn)品系列針對(duì)軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用,，在1000V至1400V的電壓范圍內(nèi),，利用固有的反并聯(lián)二極管進(jìn)行了優(yōu)化。隨著超越典型非穿通型(NPT) IGBT技術(shù)的不斷進(jìn)步,，飛兆半導(dǎo)體的陽(yáng)極短路硅技術(shù)可提供更低的飽和電壓,，比額定功率相同的NPT-trench IGBT要低12%以上。此外,，如果與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的IGBT產(chǎn)品相比,，該產(chǎn)品系列的拖尾電流速率要低20%以上。由于具有這些豐富特性,，飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的IGBT因而能提供更佳的熱性能,、更高的效率以及更低的功耗。

特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)：

·        高速開(kāi)關(guān)頻率范圍：10至50 kHz

·        業(yè)界最低的拖尾電流,，可改進(jìn)開(kāi)關(guān)損耗(FGA20S140P)

·        與現(xiàn)有的NPT trench IGBT相比,，飽和壓降更低

·        電位計(jì)檢測(cè)抗噪能力強(qiáng)健，可提高可靠性

·        高溫穩(wěn)定特性：T_j(max) = 175 ºC

·        符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)（無(wú)鉛引腳電鍍）

封裝和報(bào)價(jià)信息（1,000片起訂,，價(jià)格單位：美元）

按請(qǐng)求提供樣品,。交貨期：收到訂單后8-12周內(nèi)

采用TO-3P 3L封裝：

·        1250V FGA20S125P  $2.03

·        1250V FGA25S125P   $2.03

·        1300V FGA30S120P  $5.25

·        1400V FGA20S140P  $2.25

采用TO-247 3L封裝：

·        1300V FGH30S130P$3.40

飛兆半導(dǎo)體的場(chǎng)截止陽(yáng)極短路trench IGBT提供業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)，以應(yīng)對(duì)在當(dāng)今設(shè)計(jì)中遇到的能效和形狀因數(shù)挑戰(zhàn),。這些應(yīng)用都是飛兆半導(dǎo)體節(jié)能型功率模擬IC,、功率分立式器件和光電子器件解決方案的一部分,，而這些解決方案可在功率敏感型應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最大限度的節(jié)能。

飛兆半導(dǎo)體：解決方案助您成功,！

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