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羅姆旗下LAPIS Semiconductor開發(fā)出業(yè)界頂級(jí)水平的超低功耗微控制器

功耗再降1/2!非常有助于小容量電池長(zhǎng)時(shí)間工作
2013-02-05

 

羅姆集團(tuán)旗下的LAPIS Semiconductor面向安全令牌注1等需要紐扣電池或干電池長(zhǎng)時(shí)間工作的設(shè)備,,開發(fā)出超低功耗微控制器“ML610Q474家族”,,耗電量相比以往產(chǎn)品降低1/2。本LSI實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)水平的低耗電量(Halt模式2時(shí)僅0.25μA),,使紐扣電池等小型小容量電池的長(zhǎng)時(shí)間使用成為可能,。另外,不僅耗電量低,,在IEC61000-4-2電磁兼容性試驗(yàn)中,,成功實(shí)現(xiàn)了±30KV3 的超強(qiáng)電磁兼容性能。

本商品已于2012年11月份開始出售樣品(樣品價(jià)格:200日元),,計(jì)劃于2013月3月份投入量產(chǎn),。生產(chǎn)基地位于LAPIS Semiconductor Miyagi Co., Ltd.(日本宮城縣黑川郡)。

在越來越普及的網(wǎng)上銀行生成一次性密碼用的安全令牌,、鐘表等電池驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中,,要求1個(gè)紐扣電池來實(shí)現(xiàn)幾年的長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作,。LAPIS Semiconductor為了滿足這種需求,,一直以來專注于開發(fā)更低耗電量的產(chǎn)品,并為客戶供應(yīng)實(shí)現(xiàn)業(yè)界最低耗電量0.5μA的ML610400系列產(chǎn)品,。但是,,近年來,這些應(yīng)用的功能不斷增加,,功耗不斷增大,,使電池壽命變短,為了解決這個(gè)課題,,需要更低功耗的商品,。

文本框: ※根據(jù)LAPIS Semiconductor 調(diào)查(截至2013年2月4日)

 

另一方面,一直以來存在“抑制內(nèi)部的耗電量就會(huì)容易受電磁的干擾,,導(dǎo)致誤動(dòng)作的可能性增加”的課題,,因此一直無法實(shí)現(xiàn)低功耗。

 

此次LAPIS Semiconductor最新開發(fā)了內(nèi)部穩(wěn)壓器和振蕩電路,,采用獨(dú)創(chuàng)的低漏電流工藝,,實(shí)現(xiàn)了比以往產(chǎn)品降低1/2的,、業(yè)界頂級(jí)水平的低功耗。不僅如此,,通過優(yōu)化內(nèi)部電路和布局,,確保了更高抗電磁干擾性能,在IEC61000-4-2電磁兼容性試驗(yàn)中,,實(shí)現(xiàn)了±30KV的電磁兼容性能,。另外,同時(shí)兼顧了低耗電量與高抗電磁干擾性能,,從而使設(shè)備的長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作也成為可能,。由于耗電量更低,客戶可使用價(jià)格便宜的小容量紐扣電池,,還非常有助于客戶降低系統(tǒng)成本并實(shí)現(xiàn)小型化,。

而且,“ML61Q474家族”配合可輕松開始評(píng)估的ML610Q474參考板和軟件開發(fā)環(huán)境而開發(fā),,用戶登錄LAPIS Semiconductor官方網(wǎng)站即可利用各種手冊(cè)和工具等,,具備完善的支持體制。

<低功耗微控制器“ML610Q474”家族的特點(diǎn)>

?僅1枚芯片即可實(shí)現(xiàn)安全令牌所需的功能

?內(nèi)置LAPIS Semiconductor獨(dú)創(chuàng)的高性能8bitRISC內(nèi)核

?低功耗

?Halt模式時(shí),,耗電量?jī)H0.25μA

?內(nèi)置16KB Flash(ML610Q474,、ML610Q475、ML610Q476)

(同時(shí)備有內(nèi)置16KB ROM而非Flash的ML610474,、ML610475,、ML610476)

?內(nèi)置1KB RAM

?封裝:die, 80個(gè)引腳TQFP

?樣品出貨中。計(jì)劃2013年3月份開始量產(chǎn)出貨

?樣品價(jià)格(參考):200日元(稅前)

 

<應(yīng)用領(lǐng)域>

?安全令牌/鐘表/玩具

 

<術(shù)語解說>

?注1:安全令牌

網(wǎng)上銀行等利用網(wǎng)絡(luò)的系統(tǒng)中,,進(jìn)行個(gè)人認(rèn)證時(shí)生成所需密碼的認(rèn)證裝置,。

?注2:Halt模式

微控制器待機(jī)模式的一種(32KHz振蕩時(shí))

?注3:通過LAPIS Semiconductor參考板以間接放電方法進(jìn)行測(cè)試。

 

※  本文所提及的公司名稱,、商品名稱基本上是各公司的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo),。

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