LSI 公司(NASDAQ: LSI)發(fā)布其最新LSI^®SandForce^®閃存控制器的創(chuàng)新技術,，并在近期舉行的美國加州閃存存儲器峰會上進行了演示。

    LSI^®SandForce^®閃存控制器的新技術包括LSI SHIELD™技術,。這是一種高級的糾錯方法，即便同時使用出錯率較高的廉價閃存存儲器也能實現(xiàn)企業(yè)級的SSD耐久度和數據完整性,。SHIELD是低密度奇偶校驗（LDPC）代碼與數字信號處理（DSP）的一種獨特實現(xiàn),，其將用于新一代SandForce閃存控制器。該技術完美融合硬判決,、軟判決和DSP,，可提供面向閃存存儲器的最優(yōu)化綜合糾錯碼（ECC）解決方案。

    LSI SHIELD技術與現(xiàn)有的LDPC實現(xiàn)方式相比具有多種優(yōu)勢,，并集合了如下特性：

.        自適應編碼速率：在SSD生命周期內動態(tài)地平衡性能與可靠性,；

.         智能處理瞬態(tài)噪聲：降低總體LDPC延遲，改善ECC效率,；

.         多級ECC模式：適時地應用更高級別的ECC,，實現(xiàn)延遲最小化，同時保持最佳閃存性能,。

    LSI副總裁兼閃存組件部總經理Huibert Verhoeven表示：“雖然NAND閃存存儲器的價值得以提升,，且不斷推動閃存存儲解決方案的普及率，但必須考慮的是,，現(xiàn)今產品制造尺寸的縮小會帶來可靠性降低和使用壽命縮短等問題,。LSI SHIELD技術能憑借專門針對SSD進行優(yōu)化的高級糾錯功能解決這些難題，并將最新NAND閃存存儲器轉化為更加穩(wěn)健的存儲解決方案,。”

最新技術亮點：

.   SHIELD技術：演示過程中將根據閃存的各種原始比特差錯率（RBER）對三種技術進行比較,，用以展示SHIELD技術與現(xiàn)有LDPC和Bose-Chaudhuri-Hocquenghem（BCH）代碼相比在糾錯方面所具備的優(yōu)勢。

.  DuraWrite™Virtual Capacity（DVC）：是一種獨特的SandForce閃存控制器功能,，可在底層閃存存儲器物理容量的基礎上擴大典型數據的可用存儲容量,。通過增加相同物理閃存存儲器容量，DVC可幫助降低每GB的用戶存儲成本,。LSI利用典型數據庫應用進行的內部測試表明,，DVC可將用戶數據的存儲容量提升三倍多。演示DVC功能的過程中展示了該技術的多種應用,。

.   東芝先進19nm閃存：LSI SandForce SF-2000閃存控制器現(xiàn)已支持東芝第二代先進19nm NAND閃存存儲器（A19nm）,，使SSD制造商能夠制造出成本更低的SSD產品。本演示將展示設置為二級驅動器的東芝A19nm閃存技術SSD,，介紹典型文件傳輸操作,。

客戶引言

Kingston公司的SSD業(yè)務經理Ariel Perez表示：“Kingston已可為現(xiàn)有的工作負載信息量較輕的關鍵客戶提供最新的LSI SandForceDuraWrite Virtual Capacity技術,，為此我感到格外興奮。通過與這些客戶的存儲工程師進行密切合作,，我們確定了能顯著降低客戶每GB可用容量成本的具體實施方案,。DVC將使更多的企業(yè)客戶放棄傳統(tǒng)的硬盤，轉而采用基于閃存存儲器的SSD產品,，以便充分利用這種技術的多方面性能優(yōu)勢。”

東芝美國電子元件公司（TAEC）存儲器業(yè)務部高級副總裁Scott Nelson 表示：“我們與LSI公司密切合作,，將東芝第二代先進19nm（A19nm）NAND產品成功用于固態(tài)驅動器,，并進行首次公開演示。LSI SandForce閃存控制器的設計靈活性便于將我們的A19nm NAND 閃存技術實現(xiàn)有效集成,，這無疑使該技術在固態(tài)存儲市場占據了重要地位,。”

ITBrand Pulse是一家獨立的市場研究與驗證實驗室，LSI憑借SSD控制器芯片產品獲得了該機構評選的“創(chuàng)新領袖”獎,。在由IT Brand Pulse開展的近期調查中,，LSI SandForce閃存控制器被IT專業(yè)人士評選為2013年最具市場、價格,、性能,、可靠性、服務與支持以及創(chuàng)新優(yōu)勢的SSD控制器芯片產品,。