Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄
2014-03-27
2014 年3 月27 日— 日前,,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用超小尺寸的熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET®功率MOSFET,。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率,,在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的導(dǎo)通電阻,,占位面積為2mm x 2mm。
今天發(fā)布的器件適用于負(fù)載和充電器開(kāi)關(guān),、DC/DC轉(zhuǎn)換器,,以及智能手機(jī),、平板電腦、移動(dòng)計(jì)算設(shè)備,、非植入便攜式醫(yī)療產(chǎn)品,、帶有小型無(wú)刷直流電機(jī)的手持式消費(fèi)電子產(chǎn)品中電源管理應(yīng)用的H橋和電池保護(hù)。SiA936EDJ為這些應(yīng)用提供了34mΩ(4.5V),、37mΩ(3.7V)和45mΩ(2.5V)的極低導(dǎo)通電阻,,并內(nèi)建ESD保護(hù)功能。器件在2.5V下的導(dǎo)通電阻比最接近的8V VGS器件低11.7%,,同時(shí)具有更高的(G-S)防護(hù)頻帶,,比使用12V VGS的最接近器件的導(dǎo)通電阻低15.1%。
器件的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計(jì)者可以在其電路里實(shí)現(xiàn)更低的壓降,,更有效地使用電能,,并延長(zhǎng)電池壽命。雙片SiA936EDJ把兩顆MOSFET集成在一個(gè)小尺寸封裝里,,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),,降低了元器件數(shù)量,節(jié)省了重要的PCB空間,。MOSFET進(jìn)行了100%的Rg測(cè)試,,符合JEDEC JS709A的無(wú)鹵素規(guī)定,符合RoHS指令2011/65/EU,。
SiA936EDJ現(xiàn)可提供樣品,,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周,。