意法半導體(ST)支持插電式混合動力汽車充電器,、太陽能發(fā)電機等各種應用對逆變器小型化的強勁需求
2014-12-17
來源:意法半導體
橫跨多重電子應用領域,、全球領先的半導體供應商、功率芯片大廠意法半導體(STMicroelectronics,,簡稱ST,;紐約證券交易所代碼:STM)推出新款汽車質(zhì)量級碳化硅 (SiC) 二極管,,以滿足電動汽車和插電式混合動力汽車(PHEV, Plug-in Hybrids) 等新能源汽車對車載充電器(OBC, on-board battery chargers)在有限空間內(nèi)處理大功率的苛刻要求。
這些二極管讓設計人員能夠研發(fā)更小的電源模塊,,這不僅對汽車電源系統(tǒng)有益,,還使其成為克服Google和IEEE提出的逆變器小型化挑戰(zhàn)的關鍵選擇。Google出資高達100萬美元獎金征集比現(xiàn)有逆變器的十分之一還小,,且適合各種應用領域,,特別是太陽能微型發(fā)電機(solar micro-generator) 的千瓦級逆變器設計;意法半導體是這項公開挑戰(zhàn)賽的合作廠商,。
新款二極管采用先進技術,,防止大脈沖電流(high-current spikes) 燒毀裝置。為了安全起見,,設計人員至今還在超額使用二極管,。意法半導體開發(fā)的新產(chǎn)品徹底改變了這一局面,過流保護值是額定電流值的2.5倍,,因此設計人員可選用更小,、更經(jīng)濟且可靠性和能效都不會受到影響的電流更小的二極管。
意法半導體的新碳化硅二極管通過汽車級產(chǎn)品測試,,極性接反擊穿電壓提高到650V,,能夠滿足設計人員和汽車廠商希望降低電壓補償系數(shù)(voltage derating factor) 的要求,以確保車載充電半導體元器件的標稱電壓與瞬間峰壓(peak voltage) 之間有充足的安全裕度(safety margin),。
碳化硅作為寬帶隙(WBG, Wide Band-Gap)技術,,具有眾所周知的能效優(yōu)勢;相對于元器件本身的尺寸,,比較開關損耗(switching loss) 和額定電壓(voltage rating) 兩項參數(shù),新產(chǎn)品均優(yōu)于傳統(tǒng)硅二極管,。這次推出的650V二極管包括TO-220AC功率封裝的10A STPSC10H065DY和 TO-220AC封裝的12A STPSC12H065DY,。此外,TO-220AB封裝的STPSC20H065CTY和TO-247封裝的STPSC20H065CWY是內(nèi)置2個10A二極管的雙管產(chǎn)品(dual-diode),,可最大限度提升空間利用率,,降低車載充電器的重量。
所有新產(chǎn)品均已量產(chǎn),,可立即供貨,。詳情請訪問:www.st.com/sic-auto-diodes