為提升NAND Flash性能而將Cell垂直堆疊的3D堆疊技術競爭逐漸升溫,。目前三星電子(Samsung Electronics)已具備生產系統(tǒng)獨大市場,，SK海力士(SK Hynix),、東芝(Toshiba),、美光(Micron)等半導體大廠也正加速展開相關技術研發(fā)和生產作業(yè),。

　　據(jù)ET News報導，NAND Flash的2D平面微細制程,，因Cell間易發(fā)生訊號干擾現(xiàn)象等問題,，已進入瓶頸。主要半導體大廠轉而致力確保將Cell垂直堆疊的3D技術,。半導體業(yè)界的技術競爭焦點從制程微細化，轉變?yōu)榇怪倍询B能力,。

　　在3D NAND的發(fā)展方面,，目前三星暫時領先。2014年三星完成32層Cell堆疊并投入量產,，2015年下半將生產48層堆疊產品,。同時，三星也計劃在2016年上半投入64層堆疊產品量產,。三星的技術發(fā)展較其他競爭業(yè)者更快,，在3D領域確保獨步全球的技術競爭力。

　　三星利用大陸西安工廠生產3D NAND,，未來大容量固態(tài)硬碟(SSD)也將大部分以3D NAND制造,。南韓業(yè)界認為，三星的3D NAND比重將從2015年的15%,，在2016年提升到35%水準,。

　　SK海力士2014年研發(fā)出24層堆疊的NAND Flash,，并對部分客戶提供樣品，目前正在研發(fā)36,、40層堆疊的產品,。2015年將完成實驗產線生產及生產性驗證，并于2016年初選定主力產品投入量產,。

　　東芝和美光最快將在2015年底投入量產,。兩大廠都已確保24層堆疊技術。2015年底或2016年初實際生產的產品,，堆疊層數(shù)預估會是30~40層,。3D NAND的核心競爭力在于面積相同Cell的堆疊層數(shù)。因在裝置上占的面積最小化,，并確保更大的儲存容量,。

　　即使采用同樣的制程技術，3D堆疊的芯片較2D在理論上寫入速度快2倍,、寫入次數(shù)最大可提升到10倍,，集成度也可提升2倍以上，而耗電量則減少一半耐用度也較2D產品優(yōu)越,。

　　南韓業(yè)者表示,，目前尚未知存儲器芯片堆疊技術的瓶頸，未來也有可能出現(xiàn)堆疊100層以上的設計,。惟3D制程在蝕刻和蒸鍍的難易度較高,，確保尖端設備變得非常重要。