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美光轉(zhuǎn)向3D芯片 40億美元擴(kuò)建工廠

2015-03-11
關(guān)鍵詞: 美光 3D 擴(kuò)建

        傳統(tǒng)的平面閃存在16/15nm工藝之后面臨瓶頸,,廠商開始轉(zhuǎn)向3D閃存,這其中三星動(dòng)作最快,,去年就已經(jīng)開始量產(chǎn)第二代V-NAND閃存了,,850 Pro及850 Evo硬盤也上市了,。東芝/閃迪系也在跟進(jìn),在日本擴(kuò)建Fab 2工廠準(zhǔn)備3D閃存生產(chǎn),,Intel/美光系去年底也公開了他們的3D NAND閃存,,現(xiàn)在也準(zhǔn)備量產(chǎn)了,。日前美光宣布投資40億美元擴(kuò)建新加坡的Fab 10晶圓廠,明年底開始量產(chǎn)第二代3D NAND閃存,。

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  美光斥資40億美元升級(jí)Fab 10X晶圓廠生產(chǎn)3D NAND閃存

  美光在新加坡現(xiàn)有Fab 10N晶圓廠,,每月產(chǎn)能約為14萬片等效晶圓,這次投資新建的是Fab 10X晶圓廠,,主要生產(chǎn)第二代3D NAND閃存,,建成后每月產(chǎn)能還是大約14萬片等效晶圓,不過之后就是3D NAND閃存了,,因此總產(chǎn)能更大,,在未來的幾年里可支撐每年bit容量增長(zhǎng)40-50%。

  此次投資總額約為40億美元,,整個(gè)項(xiàng)目要到2017財(cái)年也就是2016年Q4季度才能完成,其中2015財(cái)年先期投資為5億美元,。

  美光的Fab 10X工廠主要是生產(chǎn)第二代的3D NAND閃存,,根據(jù)Intel之前所說,二代3D NAND閃存最高可以堆疊32層NAND,,die核心容量則高達(dá)256Gb,,這樣就能達(dá)到1TB容量,如果是TLC閃存,,die容量則可以達(dá)到 384Gb,,2mm厚度下就能實(shí)現(xiàn)1TB的容量,也就是一張SD卡的大小就有TB+的容量,。

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  美光的3D NAND閃存路線圖

  在美光的路線圖上,,平面的16nm工藝之后他們就會(huì)100%專注于3D NAND閃存,2015年底首先會(huì)在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)推出3D NAND閃存的固態(tài)硬盤,,不過這個(gè)應(yīng)該是第一代3D NAND的,,堆疊層數(shù)為16層,比三星的V-NAND略低,。


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