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CISSOID 推出 60A /1200V 高溫電源模塊 PLUTO

2015-06-05

  高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者 CISSOID 公司宣布推出高溫電源模塊CHT-PLUTO,,它可在-55~225℃的范圍內(nèi)實現(xiàn)可靠的運行,,并輸出高達60A的電流,。CHT-PLUTO 是一種雙碳化硅 MOSFET 模塊,,主要應(yīng)用于在低端和高端均可持續(xù)供應(yīng) 30 A 電流的半橋,。低端和高端的兩個獨立開關(guān)可并聯(lián)使用,,輸出總電流為 60 A,,擊穿電壓超過 1200 V,,當(dāng) VGS=20 V 時,,導(dǎo)通電阻在 25℃和 225℃的溫度下分別低至23 m? 50 m?,。

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  由于碳化硅晶體管的開關(guān)損耗較低,故而可實現(xiàn)較高的工作頻率,。CHT-PLUTO 還可嵌入正向電壓 Vf 較低的續(xù)流肖特基二極管,,它可以在死區(qū)時間降低功耗。每個開關(guān)均可采用 -5/+20 V的標(biāo)準柵電壓進行控制,。

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  CHT-PLUTO 采用密封的 8 引腳專用“H8MA”金屬封裝,,其尺寸規(guī)格為 18mm x 29mm (不包括安裝耳)。器件與封裝外殼之間采用電氣隔離。該模塊的特點是每個 30 A 通道的結(jié)面至外殼熱阻都低至 0.7℃/W,。另外,,兩個附加的源連接器則可輕松地將模塊牢牢連接到柵極驅(qū)動器。
  CHT-PLUTO 適合為功率轉(zhuǎn)換器,、逆變器或電機驅(qū)動器等應(yīng)用構(gòu)建半橋,。當(dāng)將兩個開關(guān)并聯(lián)時,CHT-PLUTO 的輸出電流可達 60 A,,同時熱阻 (Rth) 低至 0.35℃/W,。還可將幾個模塊并聯(lián),以獲得更高的輸出電流,。
  CISSOID公司最近已發(fā)布的高溫柵極驅(qū)動器 HADES?v2 是驅(qū)動 CHT-PLUTO 的理想器件,。HADES?v2 的峰值電流和 dV/dT 耐用性均較高,因此可實現(xiàn)快速切換,,降低模塊功耗,。借助這些優(yōu)化功能,電源設(shè)計人員可以提高工作頻率,,為無源元件(輸入/輸出濾波器,、去耦電容器)選擇下限值,從而在這些高成本的元件上節(jié)約大量成本,,并減小系統(tǒng)的體積和重量,。CHT-PLUTO 與 HADES?v2 的結(jié)合打開了使用結(jié)構(gòu)緊湊的、高度集成的功率轉(zhuǎn)換器/電機驅(qū)動器的大門,,這些功率轉(zhuǎn)換器/電機驅(qū)動器的額定功率從幾千瓦到幾十千瓦不等,,在高達 225℃的溫度下也可實現(xiàn)可靠運行。
  CISSOID公司的首席技術(shù)官 Pierre Delatte 表示: “CHT-PLUTO 是我們?yōu)楦邷?高壓電源開關(guān)推出的第二款產(chǎn)品,。繼 2013 年推出 10A/1200V 單極開關(guān) CHT-NEPTUNE 之后,,CHT-PLUTO 又為我們帶來了額定電流更高且同樣支持極端環(huán)境(從-55℃到225℃)的半橋模塊。經(jīng)過大量的研發(fā)努力,,現(xiàn)在,,我們可以自豪地推出這款能夠戰(zhàn)勝高溫挑戰(zhàn),實現(xiàn)可靠運行的 CHT-PLUTO 產(chǎn)品,。CHT-PLUTO 真正滿足了系統(tǒng)設(shè)計師對 CISSOID 產(chǎn)品的期望:讓 CISSOID 做到言行如一,。該模塊在不降低原有解決方案耐用性的條件下,為高溫大功率應(yīng)用帶來了新的可能,?!?br/>  現(xiàn)在可以訪問 CISSOID 網(wǎng)站 http://www.cissoid.com/images/stories/pdf/Datasheets/CHT-PLUTO.pdf,獲取 CHT-PLUTO 數(shù)據(jù)手冊,。還可根據(jù)元件編號 CHT-PLA6888A-HM8A-T 訂購 CHT-PLUTO,。欲了解更多信息,,請訪問 www.cissoid.com,或通過 www.cissoid.com/company/about-us/contacts.html 聯(lián)系公司代表,。

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