《電子技術(shù)應(yīng)用》
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雙管正激變換器Saber仿真應(yīng)用研究
2014年微型機(jī)與應(yīng)用第18期
范立榮,楊 帆,,張凱強(qiáng)
珠海格力電器股份有限公司,,廣東 珠海 519070
摘要: 傳統(tǒng)的單管正激變換器由于磁芯復(fù)位導(dǎo)致占空比漂移限制,MOSFET承受輸入2倍或更多的電源電壓,使其應(yīng)用受到限制,而雙管正激變換器具有開(kāi)關(guān)管電壓低、無(wú)橋臂直通危險(xiǎn),、可靠性高及無(wú)需外加磁芯復(fù)位電路等優(yōu)點(diǎn),因而廣泛應(yīng)用在中大功率電路中,。從雙管正激變換器的原理入手,,在Saber軟件平臺(tái)搭建一個(gè)中等功率(200 W~500 W)雙管正激變換器模型,并對(duì)搭建的變換器模型進(jìn)行在線(xiàn)實(shí)時(shí)仿真與修改,,最終得到了較為滿(mǎn)意的效果,。仿真結(jié)果不僅驗(yàn)證了前面所述雙管正激變換器的優(yōu)點(diǎn),而且表明該模型對(duì)縮短開(kāi)發(fā)周期,、降低設(shè)計(jì)成本有顯著的效果,。
Abstract:
Key words :

  摘  要: 傳統(tǒng)的單管正激變換器由于磁芯復(fù)位導(dǎo)致占空比漂移限制,MOSFET承受輸入2倍或更多的電源電壓,,使其應(yīng)用受到限制,,而雙管正激變換器具有開(kāi)關(guān)管電壓低、無(wú)橋臂直通危險(xiǎn)、可靠性高及無(wú)需外加磁芯復(fù)位電路等優(yōu)點(diǎn),,因而廣泛應(yīng)用在中大功率電路中,。從雙管正激變換器的原理入手,在Saber軟件平臺(tái)搭建一個(gè)中等功率(200 W~500 W)雙管正激變換器模型,,并對(duì)搭建的變換器模型進(jìn)行在線(xiàn)實(shí)時(shí)仿真與修改,,最終得到了較為滿(mǎn)意的效果。仿真結(jié)果不僅驗(yàn)證了前面所述雙管正激變換器的優(yōu)點(diǎn),,而且表明該模型對(duì)縮短開(kāi)發(fā)周期,、降低設(shè)計(jì)成本有顯著的效果。

  關(guān)鍵詞: 雙管正激,;磁芯復(fù)位;Saber

0 引言

  單管正激變換器拓?fù)渚哂薪Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,、工作可靠,、成本低廉等特點(diǎn)[1],但必須在開(kāi)關(guān)管關(guān)斷期間使高頻變壓器進(jìn)行去磁復(fù)位,,因此必須增加去磁繞組或外加RCD復(fù)位,,而外加RCD會(huì)造成較大的能量損失,使其變換器的效率下降,。

  本文在單管正激基礎(chǔ)上額外增加一個(gè)低功率的MOSFET和兩個(gè)高壓低功率二極管完成變壓器的磁通復(fù)位,,并將儲(chǔ)存在電感中的能量返回到輸入端,沒(méi)有功率損耗,,從而提高了電源的效率,。

1 變換器電路模型


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  圖1為雙管正激變換器電路基本模型,圖中Q1,、Q2為高壓低功率MOSFET,;D1、D2為Q1,、Q2內(nèi)部寄生的反并聯(lián)二極管,;D3和D4為輸出整流和續(xù)流二極管,起能量的儲(chǔ)存及傳遞作用,;T1為隔離和降壓用高頻變壓器,;LP為原邊繞組電感;Ls為副邊繞組電感,。高壓MOSFET-Q1和Q2關(guān)斷時(shí)通過(guò)D1,、D2釋放能量,同時(shí)Np的漏感將通過(guò)D1,、D2返回給輸入,,因此變壓器初級(jí)無(wú)需再有復(fù)位繞組。

2 關(guān)鍵參數(shù)計(jì)算

  2.1 電路設(shè)計(jì)規(guī)格

  電路設(shè)計(jì)規(guī)格如表1所示。

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  2.2 高頻變壓器參數(shù)選型

 ?。?)確定變壓器銘牌型號(hào)

  首先選出與輸出功率大小及工作模式相匹配的高頻變壓器磁芯型號(hào),,同時(shí)結(jié)合成本考慮,在此選擇PQ32/30,,Ap=2.408 6 cm4(根據(jù)經(jīng)驗(yàn)公式求得的Ap值查磁芯規(guī)格表[2]),。

  (2)求匝比

  由相關(guān)公式求得變壓器初次級(jí)匝比n=0.236 8,。

 ?。?)求CCM磁化激磁電感Lmag

  由經(jīng)驗(yàn)及相關(guān)公式計(jì)算原邊所需最小電感量為L(zhǎng)mag=5.495 mH。

 ?。?)計(jì)算初次級(jí)匝數(shù)

  經(jīng)計(jì)算,,原邊繞組匝數(shù)可取50匝,次級(jí)繞組取12匝,。

  2.3 高壓MOSFET選型

  功率管Q1,、Q2可選擇800 V功率MOSFET,電流可按變壓器最大初級(jí)峰值計(jì)算為4 A,,適當(dāng)留一些裕量及功率擴(kuò)展,,因此選擇800 V/7 A的FQA7N80C功率管。

3 變換器Saber模型仿真

  3.1 Saber簡(jiǎn)介

  Saber是美國(guó)Synopsys公司的一款EDA軟件,,它為復(fù)雜的混合信號(hào)設(shè)計(jì)和驗(yàn)證提供了一個(gè)功能強(qiáng)大的混合仿真器,,可以解決從系統(tǒng)開(kāi)發(fā)到詳細(xì)設(shè)計(jì)、驗(yàn)證等一系列問(wèn)題[3],。Saber中含有豐富的模型庫(kù),,尤其是含有豐富的變壓器模型,可兼容擴(kuò)展Spice模型,,因此非常適合于開(kāi)關(guān)電源及含PFC類(lèi)的仿真,,本文充分利用Saber軟件這一功能在其軟件中搭建相關(guān)模型,并取得了較好的控制效果,。

  3.2 變換器仿真

  開(kāi)關(guān)電源控制芯片采用Saber中較為通用的uc系列電流脈寬控制型芯片,,使電源系統(tǒng)由二階降為一階,使系統(tǒng)不存在有條件的環(huán)路穩(wěn)定問(wèn)題,。同時(shí)由于雙管正激拓?fù)涔ぷ髟谡伎毡菵<0.5,,故不需要像在單管正激中加入磁芯復(fù)位繞組。系統(tǒng)仿真模型如圖2所示,。

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  3.2.1 最低輸入電壓最大負(fù)載情況

  設(shè)置V1=Vin=Vinmin=265 V,,負(fù)載R5=242/200=2.88 Ω,圖3為仿真波形,。圖中,,從上到下依次為Q1,、Q2的驅(qū)動(dòng)PWM波信號(hào)、變壓器原邊激磁電感兩端電壓信號(hào),、上橋臂Q1-Vds信號(hào),、內(nèi)部寄生二極管D1及變壓器初次級(jí)端電流信號(hào)。

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  從圖3可以看出,,兩路驅(qū)動(dòng)信號(hào)滿(mǎn)足雙管正激驅(qū)動(dòng)指令信號(hào)要求,,驅(qū)動(dòng)最高幅值為14.716 V,開(kāi)關(guān)頻率f=102.26 kHz,,最大占空比與設(shè)計(jì)的大體一致,,說(shuō)明設(shè)計(jì)正確。

  圖4給出了輸出電壓及輸出電感電流波形,。

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  從圖4(a)可以看出,,輸出電壓及電感電流波形動(dòng)態(tài)及靜態(tài)性能良好(10 ms即達(dá)到穩(wěn)態(tài));從圖4(b)看出,,主路24 V輸出23.898 V,,電壓紋波均在10 mV以?xún)?nèi),滿(mǎn)足設(shè)計(jì)精度150 mV要求,,電流紋波為53.6 mA,在100 mA以?xún)?nèi),,均滿(mǎn)足設(shè)計(jì)精度要求,。

  3.2.2 額定電壓滿(mǎn)負(fù)荷情況

  設(shè)置Vin=Vinnom=311 V,主路24 V負(fù)載2.88 Ω,,圖5為仿真輸出波形,。圖中,從上到下為Q1,、Q2的驅(qū)動(dòng)PWM波信號(hào),、變壓器原邊激磁電感兩端電壓信號(hào)、上橋臂Q1-Vds信號(hào),、內(nèi)部寄生二極管D1及變壓器初次級(jí)端電流信號(hào),。

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  從圖5可以看出,兩路驅(qū)動(dòng)信號(hào)滿(mǎn)足正激驅(qū)動(dòng)信號(hào)要求,,驅(qū)動(dòng)最高幅值為13.961 V,,開(kāi)關(guān)頻率f=103.24 kHz,最大占空比為0.408 23,,功率管承受最大峰值為電源電壓311.85 V,。

  圖6給出了輸出電壓及輸出電感電流波形。

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  從圖6可以看出,,主路24 V輸出24.005 V,,電流輸出8.020 8 A,,電壓紋波均在10 mV以?xún)?nèi),電流紋波為58.49 mA,,均滿(mǎn)足設(shè)計(jì)精度要求,,到達(dá)穩(wěn)態(tài)時(shí)間比低壓滿(mǎn)載快,為11 ms左右,。

  3.2.3 最高工作電壓輕載情況

  設(shè)置輸入最高工作電壓360 V,,主路負(fù)載100 Ω,即負(fù)載為滿(mǎn)載的6/200=1/30時(shí)(略?。?,測(cè)試變換器的輕負(fù)載特性,圖7為仿真輸出波形,。圖中從上到下依次為Q1,、Q2的驅(qū)動(dòng)PWM波信號(hào)、變壓器原邊激磁電感兩端電壓信號(hào),、上橋臂Q1-Vds信號(hào),、內(nèi)部寄生二極管D1及變壓器初次級(jí)端電流信號(hào)。

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  從圖7可以看出,,2路驅(qū)動(dòng)信號(hào)滿(mǎn)足雙管正激驅(qū)動(dòng)指令信號(hào)要求,,驅(qū)動(dòng)最高幅值為14.017 V,開(kāi)關(guān)頻率f=101.66 kHz,,最小占空比為0.313 63,。功率管承受最大峰值為360.79 V,接近電源電壓,。

  圖8給出輸出帶不同負(fù)載情況下其驅(qū)動(dòng)PWM波形,、輸出電壓及電流波形。

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  對(duì)比圖8(a),、(b)可以看出,,系統(tǒng)在高壓輕載時(shí)系統(tǒng)工作在DCM模式,輸出電壓會(huì)過(guò)沖,,而輸出電感電流亦會(huì)有一段754 μs死區(qū)(即PWM波丟失階段,,死區(qū)時(shí)間隨著負(fù)載的減輕而增加)。表2是由仿真負(fù)載數(shù)據(jù)從6 W~30 W時(shí)相對(duì)應(yīng)的輸出電壓及占空比的值,。

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  因此,,雙管正激不太適合工作在輕載及空載場(chǎng)合,正常情況下應(yīng)帶一定假負(fù)載,,如本文設(shè)計(jì)的需帶一定假負(fù)載20 W(即需要設(shè)計(jì)者調(diào)試出在最高輸入電壓下最輕負(fù)載下滿(mǎn)足的最低占空比),。

4 結(jié)論

  總體來(lái)說(shuō),雙管正激比單管正激拓?fù)浜?jiǎn)單,,磁復(fù)位電壓等于輸入電壓,,最大占空比因此被限制在低于50%以下,,不存在單管正激磁芯復(fù)位問(wèn)題,可靠性高,,不僅擴(kuò)大了開(kāi)關(guān)管及其負(fù)載功率的選擇范圍,,更有利于散熱系統(tǒng)的設(shè)計(jì),可以較少考慮精確激磁電感和漏感的影響,,對(duì)中等功率等級(jí)有很大的適應(yīng)性,,因此該變換器非常適用于高壓輸入及對(duì)精度要求較高的電源系統(tǒng)中,但適合工作在一定負(fù)載情況,,不太適合工作在空載或很輕負(fù)載的場(chǎng)合,。

  參考文獻(xiàn)

  [1] 王國(guó)禮,金新民.采用LCD箝位電路的正激DC-DC變換器[J].電工技術(shù)雜志,,2000(12):24-26.

  [2] 張友軍,,張玉珍.雙管正激DC/DC變換器的損耗計(jì)算與優(yōu)化設(shè)計(jì)[J].江蘇電器,2005(6):12-14.

  [3] 朱娟娟.基于Saber的單相Boost電路仿真與設(shè)計(jì)[J].科技廣場(chǎng),,2007(11):213-215.




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