IDT公司改進(jìn)RF開關(guān)性能
2015-12-02
美國加利福尼亞州圣何塞,,2015年12月2日 – IDT公司(IDT?)(NASDAQ:IDTI)今天宣布推出業(yè)界首款采用正在申請專利的KZ恒阻抗技術(shù)的單極雙擲(SPDT)RF開關(guān)產(chǎn)品,, IDT F2923是一款低插入損耗單極雙擲吸收式(absorptive)RF開關(guān),,設(shè)計用于包括基站(2G,,3G,,4G,,5G),、無線回程,、CATV和便攜式手持設(shè)備等多種RF應(yīng)用。
F2923采用的KZ技術(shù)可以在射頻端口間切換時控制所有端口的阻抗,,保持了回波損耗,。對于沒有采用KZ技術(shù)的常規(guī)開關(guān),由于在開關(guān)時不能很好地控制開關(guān)阻抗,,因而在切換RF路徑時會產(chǎn)生較大的電壓駐波比(VSWR)瞬態(tài),,該VSWR瞬態(tài)會降低系統(tǒng)性能以及可靠性。在各種不同的動態(tài)或“熱交換”方案下,,KZ技術(shù)的優(yōu)勢包括:
· 最小化TDD系統(tǒng)中切換的Tx/Rx頻率合成器阻抗?fàn)恳突謴?fù)時間
· 在功率放大器,、驅(qū)動器和低噪聲放大器等兩個RF器件之間切換時,可避免產(chǎn)生有害和錯誤的瞬態(tài)
· 在開關(guān)如3dB 耦合器(coupler)或者 4通道功分器等分布式網(wǎng)絡(luò)的一個路徑時,能夠使未切換路徑瞬態(tài)幅度和相位誤差最小化
IDT公司射頻事業(yè)部總經(jīng)理Chris Stephens 介紹說:“對于最新的SPDT開關(guān)產(chǎn)品,,我們要強調(diào)能夠大幅改善開關(guān)在線切換性能的新KZ技術(shù),。F2923的推出再次證明IDT公司在系統(tǒng)設(shè)計專家所期望的核心RF技術(shù)創(chuàng)新方面的領(lǐng)導(dǎo)地位?!?/p>
除了KZ技術(shù),,該器件還可提供下述性能:
在2GHz下,插入損耗僅為0.48dB
IIP3大于66dBm @ 2GHz
在2GHz下,,業(yè)界領(lǐng)先的74 dB隔離度
IDT公司創(chuàng)新的KZ技術(shù)覆蓋從300kHz至8000MHz的寬頻率范圍,,在從一個RF端口切換到另一個時能夠確保器件具有近乎恒定的阻抗(VSWR <1.4:1,其他標(biāo)準(zhǔn)開關(guān)相比之下為9:1),,同時不影響隔離度、線性度或插入損耗,。F2923采用3.3V單電源正電壓供電,,支持標(biāo)準(zhǔn)的1.8V和3.3V控制邏輯電平。