LAPIS Semiconductor開(kāi)發(fā)出搭載超高速串行總線的鐵電存儲(chǔ)器
2016-02-24
ROHM集團(tuán)旗下的LAPIS Semiconductor公司(藍(lán)碧石半導(dǎo)體)面向需要高頻日志數(shù)據(jù)采集和緊急時(shí)的高速數(shù)據(jù)備份的智能儀表,、醫(yī)療保健設(shè)備、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)等,,開(kāi)發(fā)出搭載串行總線的64Kbit鐵電存儲(chǔ)器注1(以下稱“FeRAM”)“MR44V064B / MR45V064B”。
作為下一代非易失性存儲(chǔ)器而備受期待的FeRAM,,與已普及的一般非易失性存儲(chǔ)器相比,,具有“高速數(shù)據(jù)擦寫(xiě)”,、“高擦寫(xiě)耐久性”、“低功耗”的特點(diǎn),,因此,,是一種有助于實(shí)現(xiàn)應(yīng)用的節(jié)電化和高性能化的器件。
新產(chǎn)品不僅實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的1.8V最低工作電壓,,而且2節(jié)鎳氫充電電池也可使用FeRAM,。2節(jié)AAA充電電池可實(shí)現(xiàn)約11年的擦寫(xiě)壽命(每秒擦寫(xiě)64Kbit時(shí))等優(yōu)勢(shì),非常有助于應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)時(shí)間的驅(qū)動(dòng),,還可擴(kuò)大應(yīng)用到便攜設(shè)備和IoT領(lǐng)域,。另外,支持的最大工作頻率高達(dá)40MHz(SPI總線),,僅1.64msec即可完成64Kbit的數(shù)據(jù)擦寫(xiě),,因此,即使系統(tǒng)發(fā)生異常也可進(jìn)行超高速備份,,從而保證數(shù)據(jù)的高可靠性,。不僅如此,還具備兩種不同的串行總線(I2C總線,、SPI總線),,可靈活應(yīng)對(duì)客戶的系統(tǒng)規(guī)格。
本產(chǎn)品已從2016年1月起開(kāi)始量產(chǎn)銷售(樣品價(jià)格 500日元/個(gè),,不含稅),。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM總部工廠(京都市),后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律賓),。
今后,,藍(lán)碧石半導(dǎo)體還會(huì)繼續(xù)開(kāi)發(fā)省電且高性能的產(chǎn)品,不斷完善能夠滿足客戶需求的,、具備各種容量和接口等的產(chǎn)品陣容,。
<背景>
近年來(lái),,隨著節(jié)能化的發(fā)展趨勢(shì),,不僅車載、工業(yè)設(shè)備,,幾乎在所有應(yīng)用中均要求實(shí)現(xiàn)整個(gè)系統(tǒng)的低電壓化,。同時(shí),隨著高性能化發(fā)展,,數(shù)據(jù)量日益增加,,還要求更高速地將信息讀取/寫(xiě)入到存儲(chǔ)器。
藍(lán)碧石半導(dǎo)體利用ROHM的鐵電存儲(chǔ)器制造技術(shù)和藍(lán)碧石半導(dǎo)體的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)技術(shù)雙重優(yōu)勢(shì),,從2011年開(kāi)始 逐步擴(kuò)充FeRAM系列產(chǎn)品,。
<特點(diǎn)>
1.最低工作電壓1.8V,,可實(shí)現(xiàn)電池的長(zhǎng)時(shí)間驅(qū)動(dòng)
利用ROHM的低功耗鐵電工藝技術(shù)優(yōu)勢(shì),以及確保低電壓下選擇存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的晶體管柵極電位,,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的1.8V最低工作電壓,。
由此,僅2節(jié)鎳氫充電電池也可使用存儲(chǔ)器,。例如,,用2節(jié)AAA充電電池按每秒每次64Kbit(原稿紙約10張)持續(xù)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦寫(xiě),也可工作約11年,,因此還可應(yīng)用于需要長(zhǎng)時(shí)間電池驅(qū)動(dòng)的IoT領(lǐng)域,。
2.實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的高速工作
通過(guò)減輕存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的鐵電電容選擇時(shí)的選擇器負(fù)載,實(shí)現(xiàn)了超高速 存取,。I2C支持業(yè)界頂級(jí)工作頻率3.4MHz的Hs-mode。SPI也支持業(yè)界頂級(jí)的高達(dá)40MHz的工作頻率,,從而增強(qiáng)了FeRAM的優(yōu)勢(shì)之一----高速數(shù)據(jù)擦寫(xiě)特點(diǎn),。
64Kbit的數(shù)據(jù)擦寫(xiě)時(shí)間僅需1.64msec,速度非???,因此即使發(fā)生停電等意外電壓下降故障,也可在斷電前備份數(shù)據(jù),,因此數(shù)據(jù)丟失的風(fēng)險(xiǎn)非常低,,無(wú)需配置用于應(yīng)對(duì)停電的延長(zhǎng)供電的部件。非常適用于要求高速性且高數(shù)據(jù)保存安全性的應(yīng)用,。
【規(guī)格概要】
【銷售計(jì)劃】
-產(chǎn)品名 :MR44V064B / MR45V064B
-量產(chǎn)銷售時(shí)間 :2016年1月起
-量產(chǎn)銷售數(shù)量 :月產(chǎn)50萬(wàn)個(gè)
-樣品價(jià)格 :500日元/個(gè)(不含稅)
【應(yīng)用領(lǐng)域】
工業(yè)設(shè)備,、汽車配件、醫(yī)療設(shè)備,、便攜設(shè)備,、IoT領(lǐng)域
【術(shù)語(yǔ)解說(shuō)】
注1 鐵電存儲(chǔ)器
鐵電存儲(chǔ)器(Ferroelectric Random Access Memory)是即使斷電也可保存存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器之一,
存儲(chǔ)元件采用鐵電電容,,具有高速數(shù)據(jù)擦寫(xiě),、高擦寫(xiě)耐久性以及低功耗的特點(diǎn)。