新聞要點：

　　·IC-CAP 為建立 GaN 和 GaAs HEMT 模型提供完整的 DynaFET 系統(tǒng)解決方案,，同時大幅提升測量速度

　　·MBP 支持 用于FDSOI技術(shù)的BSIM-IMG模型

　　·MQA 為混合 SPICE 語法和16-nm TSMC 建模接口（TMI）程序庫提供支持

　　2016 年 3 月 11 日，北京――是德科技公司（NYSE：KEYS）日前宣布,，推出最新版本的器件建模和表征軟件套件：集成電路表征和分析程序（IC-CAP）2016,、模型建立程序（MBP） 2016 和模型質(zhì)量檢驗（MQA）2016。該軟件版本通過在建模和表征效率方面的改進,，使設(shè)計師能夠表征并建立半導(dǎo)體器件模型,。

　　IC-CAP 2016

　　是德科技的 IC-CAP 2016 軟件是一個可為當今半導(dǎo)體建模工藝提供強大表征與分析能力的器件建模程序,。IC-CAP 2016 提供了完整的 DynaFET 系統(tǒng)解決方案,，用于為功率放大器（PA）應(yīng)用中使用的 GaN 和 GaAs HEMT 建模。IC-CAP 包括測量和建模軟件，以提取先進設(shè)計系統(tǒng)（ADS）DynaFET－一個自行開發(fā)的 GaAs 和 GaN HEMT 器件模型,。

　　ADS DynaFET 模型的關(guān)鍵優(yōu)勢是其能夠精確預(yù)測由于熱量和捕獲現(xiàn)象所造成的動態(tài)記憶效應(yīng),，這一成果反之又能為預(yù)測增益和功率增加效率（PAE）提供前所未有的精度——二者均為射頻 PA 電路設(shè)計中的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)。專用測量軟件可使用是德科技非線性網(wǎng)絡(luò)分析儀（NVNA）收集大信號數(shù)據(jù),。這些波形代表著在不同的射頻功率,、偏置點和輸出阻抗處所測得的動態(tài)負載線，然后直接加載至IC-CAP 2016 的提取包,。這一模型使用人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（ANN）來提取,，并可直接在 ADS 軟件中使用。

　　IC-CAP 2016 的另一關(guān)鍵特征是為是德科技E5270,、B1500A 和 B1505A 儀器驅(qū)動程序提供和之前版本相比達三倍的測量速度的改進,。這一速度的提升有助于緩解必須要以極高精度測量大量數(shù)據(jù)所面臨的挑戰(zhàn)；該過程在此前是一個極為耗時的過程,。IC-CAP 2016 還增添了新的儀器驅(qū)動程序以支持 是德科技E4990 阻抗分析儀 和 E5061B 網(wǎng)絡(luò)分析儀,。