上海,，2016年4月15日–富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布,，推出具業(yè)界最低運(yùn)行功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T樣品,。

　　此FRAM產(chǎn)品采用I2C接口,，能以最高3.4 MHz的頻率及1.8V至3.6V寬電源電壓運(yùn)行。此外,，其平均電流極低,，以3.4 MHz運(yùn)行時(shí)為170 μA；以1 MHz運(yùn)行時(shí)則為80 μA,。

　　除了具業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)8引腳SOP（small outline package）之外,，富士通還提供小型8引腳SON（small outline non-leaded package），其適用于低功耗小型化電子設(shè)備,，例如以電池供電的可穿戴設(shè)備,、測(cè)量設(shè)備及智能電表等產(chǎn)品。

　　富士通利用FRAM非易失性,、快速寫入,、高讀寫耐力及低功耗等特性，將其應(yīng)用于可穿戴設(shè)備市場(chǎng)和IoT市場(chǎng)的無(wú)電池解決方案,。

　　目前為了滿足低功耗市場(chǎng)的需求,，富士通開發(fā)出其FRAM產(chǎn)品系列中具備最低運(yùn)行電流的64 Kbit FRAM—MB85RC64T（圖1）。

　　圖1：MB85RC64T封裝

　　該產(chǎn)品采用I2C接口,，能以1.8V至3.6V的電源電壓及最高3.4 MHz的頻率運(yùn)行,。其主要特性是運(yùn)行時(shí)的極低平均電流（3.4 MHz時(shí)為170 μA,；1 MHz時(shí)為80 μA）,。與現(xiàn)有的富士通產(chǎn)品相比，其運(yùn)行功耗降低近80%（圖2）,，為64 Kbit FRAM實(shí)現(xiàn)業(yè)界最低的運(yùn)行功耗,。

　　圖2：器件功耗比較

　　除了業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)8引腳SOP之外,，該產(chǎn)品還提供小型8引腳SON版本，其安裝面積約為SOP的20%（圖3）,；安裝體積則為SOP的8%,，適用于需要小型化的應(yīng)用。

　　圖3：安裝面積比較

　　MB85RC64T具有小型封裝且低功耗的特性,，適用于電池供電可穿戴設(shè)備,、測(cè)量設(shè)備、智能電表,、天然氣表,、水表等設(shè)備的內(nèi)存。

　　富士通將持續(xù)提供產(chǎn)品及解決方案,，為客戶帶來(lái)更具價(jià)值且更便利的應(yīng)用,。

　　產(chǎn)品規(guī)格

　　器件型號(hào)：MB85RC64T

　　內(nèi)存密度（組態(tài)）：64 Kbit（8K字符x 8位）

　　界面：I2C（Inter-Integrated Circuit）

　　運(yùn)行電壓：1.8v – 3.6 v

　　低功耗：有效電流170 μA（3.4MHz典型值）– 80 μA（1MHz典型值）

　　待機(jī)電流8.0 μA（Typ）

　　保證讀/寫周期：10兆次

　　數(shù)據(jù)保留：10年（85℃時(shí)）

　　封裝：8引腳SON，8引腳SOP