非常適用于各種電源裝置的PFC電路,，可大幅改善工作時效率
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開發(fā)出非常適用于服務(wù)器和高端計算機(jī)等的電源PFC電路※1的、第3代SiC（Silicon Carbide:碳化硅）肖特基勢壘二極管(以下稱“SiC-SBD”) “SCS3系列”,。
本產(chǎn)品采用新結(jié)構(gòu)，不僅繼承了量產(chǎn)中的第2代SiC-SBD所實(shí)現(xiàn)的業(yè)界最低正向電壓※2(VF=1.35V,、25℃)的特性,，同時還確保了高抗浪涌電流特性。因此,，還可用于服務(wù)器和高端計算機(jī)等的電源PFC電路,，非常有助于提高應(yīng)用的效率。
本產(chǎn)品已于2016年3月開始出售樣品,，計劃于2016年4月開始逐步投入量產(chǎn),。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd. （日本福岡縣），后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Korea Corporation（韓國）,。
今后,，ROHM將通過擴(kuò)大SiC元器件產(chǎn)品的陣容，繼續(xù)為電力電子設(shè)備的節(jié)能化作出貢獻(xiàn),。
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近年來，在太陽能發(fā)電系統(tǒng),、工業(yè)用各種電源裝置,、電動汽車及家電等電力電子領(lǐng)域，為提高功率轉(zhuǎn)換效率以實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步節(jié)能,，更高效率的功率元器件產(chǎn)品備受期待,。SiC器件與以往的Si器件相比，具有優(yōu)異的材料特性,，在這些領(lǐng)域中的應(yīng)用日益廣泛,。尤其是在服務(wù)器等這類要求更高電源效率的設(shè)備電源中，SiC-SBD產(chǎn)品因其快速恢復(fù)特性可有效提高效率而被用于PFC電路來提高設(shè)備效率,。在這些用途中,，抗浪涌電流※3特性成為重要的參數(shù)。一直以來,，ROHM的第1代,、第2代SiC-SBD產(chǎn)品均深獲客戶好評。為了進(jìn)一步擴(kuò)大應(yīng)用范圍,，ROHM 采用新產(chǎn)品結(jié)構(gòu),，成功開發(fā)出保持業(yè)界最高水平的低VF特性、并實(shí)現(xiàn)高抗浪涌電流特性的產(chǎn)品,。
＜特點(diǎn)＞
1.保持低VF特性,，實(shí)現(xiàn)高抗浪涌電流能力
此次開發(fā)的第3代SiC-SBD“SCS3系列”，為實(shí)現(xiàn)高抗浪涌電流能力,，采用了JBS（Junction Barrier schottky）結(jié)構(gòu),。以往的結(jié)構(gòu)是可有效提高抗浪涌電流能力,、并改善泄漏特性的結(jié)構(gòu)，而ROHM的第3代最新產(chǎn)品,，不僅具備以往產(chǎn)品的特點(diǎn),，而且還進(jìn)一步改善了第2代SiC-SBD所實(shí)現(xiàn)的低VF特性，將作為更高性能的產(chǎn)品大展身手,。
2.實(shí)現(xiàn)業(yè)界最低的正向電壓（VF=1.35V/25℃,、1.44V/150℃）
ROHM的第2代SiC-SBD，通過改善工藝和產(chǎn)品結(jié)構(gòu),，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最低的正向電壓,。在高溫條件下,，本產(chǎn)品的VF值比第2代產(chǎn)品更低,，導(dǎo)通損耗更低，效率更高,。
3.低泄漏電流特性
一般情況下,，降低正向電壓會導(dǎo)致反向漏電流增加，而ROHM的第3代最新SiC-SBD產(chǎn)品采用JBS結(jié)構(gòu),，成功減少漏電流并降低正向電壓,。本產(chǎn)品在額定電壓下的漏電流與第2代SiC-SBD相比，低至約1/20(650V,、Tj=150℃時),。
＜產(chǎn)品陣容＞
TO-220ACP封裝的產(chǎn)品陣容擴(kuò)大中,。另外,，在此基礎(chǔ)上還將逐步擴(kuò)大TO-263AB（表面貼裝型）封裝的產(chǎn)品陣容。
?。紤?yīng)用＞
計算機(jī),、服務(wù)器、空調(diào)等高端電源設(shè)備內(nèi)的PFC電路
?。夹g(shù)語解說＞
※1 PFC電路 (Power Factor Correction)
將電源產(chǎn)生的高次諧波電流控制在某范圍以內(nèi),，抑制峰值電流以期進(jìn)一步節(jié)能的電路。
※2 正向電壓(VF)
電從+向-流動時產(chǎn)生的電壓下降,。該值越低越有助于效率提升,。
※3 浪涌電流
雷擊等導(dǎo)致的電源電路等瞬間產(chǎn)生的超出常態(tài)的電流。