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NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢(shì)明顯 價(jià)格走揚(yáng)

2016-06-22
關(guān)鍵詞: TrendForce DRAM TLC-Wafer eMMC

第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯,,TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)。

  TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示,,第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯,,TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng),而近一個(gè)月漲幅開(kāi)始增加,。

  DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,NAND Flash原廠持續(xù)降低對(duì)于通路(Channel)的供貨比重來(lái)滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SSD)的需求,并同時(shí)積極轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND Flash,,讓2D-NAND Flash的產(chǎn)出持續(xù)下滑,,因此現(xiàn)貨與通路市場(chǎng)的貨源更顯緊縮。

  DRAMeXchange預(yù)估2016年第三季的TLC-Wafer及現(xiàn)貨卡片價(jià)格將持續(xù)走揚(yáng),,而第四季的NAND Flash市況將視新一代iPhone與其他品牌智慧型手機(jī)新品上市后的銷(xiāo)售力道而定,。

  三星西安廠停電事故將加深市場(chǎng)供不應(yīng)求預(yù)期心理

  6月18日凌晨中國(guó)西安市南一變電站爆炸,使三星西安廠短暫停電數(shù)秒,,在工程師搶修設(shè)備,,并快速進(jìn)行線上晶圓損害清查后,目前部分產(chǎn)能已恢復(fù)生產(chǎn);現(xiàn)階段三星西安廠投產(chǎn)規(guī)模達(dá)每月10萬(wàn)片,,全數(shù)為先進(jìn)的3D-NAND Flash,,主要應(yīng)用在固態(tài)硬碟。

  楊文得指出,,依照事發(fā)當(dāng)日部分產(chǎn)能已能恢復(fù)生產(chǎn)的進(jìn)度來(lái)看,,此次停電對(duì)三星NAND Flash的產(chǎn)出影響有限,預(yù)估當(dāng)日其線上受損晶圓(Wafer-In-Process)片數(shù)約略在1萬(wàn)片以?xún)?nèi),,此缺口透過(guò)增加投片及縮短部份制程可以彌 補(bǔ),,但此突發(fā)事件恐將加深市場(chǎng)對(duì)第三季NAND Flash供不應(yīng)求的預(yù)期性心理。

  eMMC/eMCP受益平均搭載容量加大,、固態(tài)硬碟需求動(dòng)能強(qiáng)勁

  楊文得指出,,2016 年NAND Flash需求位元年成長(zhǎng)率為42%,其中以智慧型手機(jī),、平板及固態(tài)硬碟的需求為主要?jiǎng)幽?,占整體成長(zhǎng)比重逾90%。雖然今年智慧型手機(jī)出貨已進(jìn)入成長(zhǎng)高 原期,,但eMMC/eMCP市場(chǎng)仍得益于平均搭載容量的逐步放大,,如新一代iPhone極可能搭載最高256GB儲(chǔ)存容量,首波備貨需求大大挹注第三季 NAND Flash市場(chǎng)。

  此外,,eMMC/eMCP的降價(jià)趨勢(shì),,也激勵(lì)中國(guó)品牌等智慧型手機(jī)廠商競(jìng)相提高產(chǎn)品規(guī)格,32GB以上容量已成為高階智慧型手機(jī)搭載的大宗,,16GB所占比例則逐漸縮小,。

  今年固態(tài)硬碟強(qiáng)勁的需求動(dòng)能占整體NAND Flash高達(dá)34%,在各終端應(yīng)用領(lǐng)域稱(chēng)冠,。由于2016年底128GB固態(tài)硬碟價(jià)格將低于500GB傳統(tǒng)硬碟,,使得用戶(hù)級(jí)固態(tài)硬碟價(jià)格的吸引力愈趨顯 著。DRAMeXchange預(yù)估2016年筆記型電腦SSD搭載率有望在第四季挑戰(zhàn)40%門(mén)檻,。

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