2015年Intel,、三星,、TSMC都已量產(chǎn)16/14nm FinFET工藝，下一個節(jié)點是明年的10nm,，而10nm之后的半導(dǎo)體制造工藝公認越來越復(fù)雜,，難度越來越高，甚至可能讓摩爾定律失效,，需要廠商拿出更多投資研發(fā)新技術(shù)新材料,。

　　TSMC在FinFET工藝量產(chǎn)上落后于Intel、三星,，不過他們在10nm及之后的工藝上很自信,，2020年就會量產(chǎn)5nm工藝，還會用上EUV光刻工藝,。

　　TSMC日前舉行股東會議,，雖然董事長張忠謀并沒有出席，不過兩大聯(lián)席CEO劉德音,、魏哲家及CFO何麗梅都出席了會議,，公布了TSMC公司Q2季度運營及技術(shù)發(fā)展情況，該公司調(diào)高了今年的資本支出到95-105億美元,，高于Intel公司的90-100億美元,，顯示對未來發(fā)展的看好。

　　至于工藝進展,，劉德音公布了TSMC的2020路線圖,，認為EUV光刻工藝在2020年時能有效降低量產(chǎn)5nm工藝的成本，TSMC計劃在5nm節(jié)點上應(yīng)用EUV工藝以提高密度,、簡化工藝并降低成本,。

　　目前TSMC公司已經(jīng)在7nm節(jié)點研發(fā)上使用了EUV工藝，實現(xiàn)了EUV掃描機,、光罩及印刷的工藝集成,。TSMC表示目前他們有4臺ASML公司的NX:3400光刻機在運行，2017年Q1季度還會再購買2臺,。

　　之前有報道稱三星也購買了ASML公司的量產(chǎn)型EUV光刻機,，目的是在2017年加速7nm工藝量產(chǎn)。

　　EUV是新一代半導(dǎo)體工藝突破的關(guān)鍵,，但進展一直比較緩慢,，至少比三星、TSMC兩家的嘴炮慢得多——早前TSMC宣稱在2016年的10nm節(jié)點就能用上EUV工藝,，之后又說7nm節(jié)點量產(chǎn)EUV工藝,，但現(xiàn)實情況并沒有這么樂觀，現(xiàn)在他們的說法也是2020年的5nm節(jié)點,，跟Intel的預(yù)計差不多了,。

　　5nm還很遙遠,，10nm及7nm還比較現(xiàn)實，TSMC表示他們的10nm工藝已經(jīng)有三個客戶完成流片,，雖然沒公布客戶名稱,，但用得起10nm工藝的芯片也就是蘋果A10、聯(lián)發(fā)科X30(被海思,、展訊刺激的聯(lián)發(fā)科在X30上爆發(fā)了)以及海思新一代麒麟處理器,，流片的估計就是這三家了。

　　TSMC表示今年底之前還會有更多客戶的10nm芯片流片,，該工藝將在2017年Q1季度量產(chǎn),。

　　至于7nm，TSMC表示他們已經(jīng)提前256Mb SRAM芯片,，進展順利,，CEO表示相信TSMC的7nm工藝在PPA密度、功耗及性能方面要比對手更出色,，已經(jīng)有高性能客戶預(yù)計在2017年上半年流片,，正式量產(chǎn)則是在2018年。