Q3是一個(gè)PNP型開關(guān),，此開關(guān)控制另一PNP型開關(guān)Q4,，Q5是另一NPN型開關(guān),，與本文無關(guān),。

　　實(shí)驗(yàn)是想研究Q3偏置電阻對(duì)Q4導(dǎo)通情況的影響,。電路的設(shè)計(jì)需求是Q3導(dǎo)通Q4截止,，反之亦然,。然而可能在Q3導(dǎo)通而VCE較大時(shí),，Q4也隨之導(dǎo)通,。這種情況在Q3負(fù)載電容R29固定時(shí)，往往是由R27取特定范圍值導(dǎo)致的,。在PSpice中做個(gè)DC掃描,，R27從100k變化到10M，結(jié)果發(fā)現(xiàn)Q3確實(shí)不用完全關(guān)斷Q4就導(dǎo)通了,，而且R29的電流不會(huì)降低太多,，也就是R29的分壓沒降低多少Q(mào)4即可導(dǎo)通，此時(shí)Q3對(duì)R29分壓影響迅速降低,，Q4開始保持R29的分壓,。這個(gè)電路的問題在于Q3對(duì)Q4的開關(guān)界限不夠明顯，在R27取值合適的情況下,，比如要么小于2M要么大于3M,，電路沒有問題，否則會(huì)導(dǎo)致之前所擔(dān)憂的情況,。

　　嘗試在Q3與Q4之間增加一個(gè)二極管,，以增加Q4導(dǎo)通的門檻。結(jié)果發(fā)現(xiàn)有一點(diǎn)點(diǎn)用,，但是這個(gè)二極管的壓降還很小,，對(duì)開關(guān)性能的改善不大。無論把這個(gè)二極管換成數(shù)個(gè)二極管的串聯(lián),，還是換成穩(wěn)壓管,，漏電流都是個(gè)問題，足以造成Q4的弱導(dǎo)通,，這里就不上圖了,。下一步考慮MOS管。

　　圖1

　　圖2

　　圖3

　　圖4