總的來說，場效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種,。耗盡型場效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時存在溝道,、能夠?qū)щ姷腇ET;增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時不存在溝道、不能夠?qū)щ姷腇ET,。
這兩種類型的FET各有其特點(diǎn)和用途,。一般,，增強(qiáng)型FET在高速,、低功耗電路中很有使用價值;并且這種器件在工作時，它的柵偏電壓的極性與漏極電壓的相同,，則在電路設(shè)計中較為方便,。
(1)MOSFET：
對于Si半導(dǎo)體器件，由于Si/SiO2界面上電荷(多半是正電荷——Na+沾污所致)的影響,，使得n型半導(dǎo)體表面容易產(chǎn)生積累層,，而p型半導(dǎo)體表面容易反型(即出現(xiàn)表面反型層)，所以比較容易制造出p溝道的增強(qiáng)型MOSFET(E-MOSFET),，而較難以制作出n溝道的E-MOSFET,。正因為如此，故在早期工藝水平條件下,，常常制作的是p溝道的E-MOSFET,。
當(dāng)然，隨著工藝技術(shù)水平的提高,，現(xiàn)在已經(jīng)能夠很好地控制半導(dǎo)體的表面態(tài)以及表面電荷,，從而就能夠方便地制作出n溝道,、或者p溝道的D-MOSFET或者E-MOSFET，以適應(yīng)各種應(yīng)用的需要,。
MOSFET的導(dǎo)電是依靠表面溝道來進(jìn)行的,，而在0柵偏壓下能否產(chǎn)生溝道，則與半導(dǎo)體襯底的摻雜濃度直接有關(guān),。若采用較低摻雜濃度的襯底,，就可以獲得D-MOSFET;采用較高摻雜濃度的襯底，就可以獲得E-MOSFET,。
(2)JFET：
對于結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET),，最常見到的是耗盡型JFET(D-JFET);一般，不使用增強(qiáng)型JFET(E-JFET),。這主要是由于長溝道E-JFET在使用時較難以產(chǎn)生出導(dǎo)電的溝道,、從而導(dǎo)通性能不好的緣故。不過,，由于高速,、低功耗電路中應(yīng)用的需要，有時也需要采用E-JFET,。
JFET導(dǎo)電的溝道在體內(nèi),。這兩種晶體管在工藝和結(jié)構(gòu)上的差別主要在于其溝道區(qū)的摻雜濃度和厚度。D-JFET的溝道的摻雜濃度較高,、厚度較大,，以致于柵pn結(jié)的內(nèi)建電壓不能把溝道完全耗盡;而E-JFET的溝道的摻雜濃度較低、厚度較小,，則柵pn結(jié)的內(nèi)建電壓即可把溝道完全耗盡,。
但是，對于短溝道E-JFET,，情況則有所不同,，因為這種晶體管的漏極電壓可以作用到源極附近，使得溝道中的勢壘降低,，所以能夠形成導(dǎo)電溝道,。這種E-JFET從本質(zhì)上來說也就是靜電感應(yīng)晶體管。
(3)MESFET：
金屬柵極半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MESFET)是通過柵極Schottky勢壘下面耗盡層厚度的變化來控制導(dǎo)電溝道寬度,、并從而控制輸出源-漏電流的,。
MESFET的導(dǎo)電溝道是金屬柵極下面的未被耗盡的半導(dǎo)體層——溝道層。如果溝道層的摻雜濃度較高,、厚度較大,，則在0柵偏壓下，柵極Schottky勢壘的內(nèi)建電壓不足以耗盡整個溝道層,，即存在溝道,，這就是耗盡型MESFET(D-MESFET);相反,，如果溝道層的摻雜濃度較低、厚度較薄,，則在0柵偏壓下,，柵極Schottky勢壘的內(nèi)建電壓就可以耗盡整個溝道層，即不存在溝道,，這就是增強(qiáng)型MESFET(E-MESFET),。
(4)HEMT：
高電子遷移率晶體管(HEMT)是利用調(diào)制摻雜突變異質(zhì)結(jié)中的二維電子氣(2-DEG)——高遷移率的二維電子來工作的，導(dǎo)電溝道也就是2-DEG薄層,?？刂?-DEG的濃度(面密度)，即可控制輸出源-漏電流的大小,。在0柵偏壓下,，有否2-DEG，也就是耗盡型與增強(qiáng)型器件的根本區(qū)別,。
在HEMT中,，2-DEG出現(xiàn)在突變的調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)中，寬禁帶半導(dǎo)體一邊摻有施主雜質(zhì),，窄禁帶半導(dǎo)體一邊不摻雜(即為本征半導(dǎo)體),。對于GaAs體系的HEMT，寬禁帶半導(dǎo)體是n型AlGaAs,，窄禁帶半導(dǎo)體是i-GaAs;金屬柵極的下面就是n型AlGaAs層——稱為頂層,，它們形成Schottky勢壘(勢壘高度一般為1eV左右)。如果n型AlGaAs頂層的摻雜濃度適當(dāng)高,、厚度適當(dāng)大,，則在0柵偏壓下就會出現(xiàn)2-DEG，因此是耗盡型FET,。但是,，如果n型AlGaAs頂層的摻雜濃度較低,、厚度較薄,，則在Schottky勢壘的內(nèi)建電壓作用下即將耗盡2-DEG，即Schottky勢壘可伸入到i-GaAs層,，則HEMT在0柵偏壓下不會導(dǎo)電,，因此是增強(qiáng)型FET?？傊?，對于HEMT，主要是控制摻雜寬禁帶半導(dǎo)體層的摻雜濃度和厚度,。
但是,，如果HEMT所采用的調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)是極性很大的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié),，那么情況將有所不同。譬如n+-Al異質(zhì)結(jié),，由于其中的高遷移率2-DEG主要是由極化效應(yīng)中產(chǎn)生出來的,，因此，有時在Al控制層中即使不摻雜,，也能夠得到大量的2-DEG(可高達(dá)10-2),，這時的2-DEG面密度將主要決定于極化效應(yīng)的強(qiáng)度。