據(jù)導(dǎo)電方式的不同,，MOSFET又分增強(qiáng)型,、耗盡型。耗盡型是指,，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道,，加上正確的VGS時(shí),，能使多數(shù)載流子流出溝道,，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止,。

耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管,，是在制造過(guò)程中，預(yù)先在SiO2絕緣層中摻入大量的正離子,，因此,，在UGS=0時(shí),，這些正離子產(chǎn)生的電場(chǎng)也能在P型襯底中“感應(yīng)”出足夠的電子,，形成N型導(dǎo)電溝道。

當(dāng)UDS>0時(shí),，將產(chǎn)生較大的漏極電流ID,。如果使UGS<0，則它將削弱正離子所形成的電場(chǎng),，使N溝道變窄,，從而使ID減小。當(dāng)UGS更負(fù),，達(dá)到某一數(shù)值時(shí)溝道消失,，ID=0。使ID=0的UGS我們也稱為夾斷電壓,，仍用UP表示,。UGS<UP溝道消失，稱為耗盡型,。

N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)與增強(qiáng)型MOSFET結(jié)構(gòu)類似,，只有一點(diǎn)不同，就是N溝道耗盡型MOSFET在柵極電壓uGS=0時(shí),，溝道已經(jīng)存在,。該N溝道是在制造過(guò)程中應(yīng)用離子注入法預(yù)先在襯底的表面，在D,、S之間制造的,，稱之為初始溝道。N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)和符號(hào)如圖1.（a）所示,，它是在柵極下方的SiO2絕緣層中摻入了大量的金屬正離子,。所以當(dāng)VGS＝0時(shí)，這些正離子已經(jīng)感應(yīng)出反型層,，形成了溝道,。于是，只要有漏源電壓,，就有漏極電流存在,。當(dāng)VGS＞0時(shí)，將使ID進(jìn)一步增加。VGS＜0時(shí),，隨著VGS的減小漏極電流逐漸減小,，直至ID＝0。對(duì)應(yīng)ID＝0的VGS稱為夾斷電壓,，用符號(hào)VGS(off)表示,，有時(shí)也用VP表示。N溝道耗盡型MOSFET的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖1.（b）所示,。

由于耗盡型MOSFET在uGS=0時(shí),，漏源之間的溝道已經(jīng)存在，所以只要加上uDS,就有iD流通,。如果增加正向柵壓uGS,，柵極與襯底之間的電場(chǎng)將使溝道中感應(yīng)更多的電子，溝道變厚,，溝道的電導(dǎo)增大,。

如果在柵極加負(fù)電壓（即uGS＜0＝，就會(huì)在相對(duì)應(yīng)的襯底表面感應(yīng)出正電荷,，這些正電荷抵消N溝道中的電子,，從而在襯底表面產(chǎn)生一個(gè)耗盡層，使溝道變窄,，溝道電導(dǎo)減小,。當(dāng)負(fù)柵壓增大到某一電壓Up時(shí)，耗盡區(qū)擴(kuò)展到整個(gè)溝道,，溝道完全被夾斷（耗盡）,，這時(shí)即使uDS仍存在，也不會(huì)產(chǎn)生漏極電流,，即iD=0,。UP稱為夾斷電壓或閾值電壓，其值通常在–1V–10V之間N溝道耗盡型MOSFET的輸出特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線分別如圖2—60（a）,、（b）所示,。

在可變電阻區(qū)內(nèi)，iD與uDS,、uGS的關(guān)系仍為

在恒流區(qū),，iD與uGS的關(guān)系仍滿足式（2—81），即

若考慮uDS的影響,，iD可近似為

對(duì)耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管來(lái)說(shuō),，式（2—84）也可表示為

式中，IDSS稱為uGS=0時(shí)的飽和漏電流,，其值為

P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同,，只不過(guò)導(dǎo)電的載流子不同,，供電電壓極性不同而已。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣,。