金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類,， P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū),，分別叫做源極和漏極,，兩極之間不通導(dǎo),，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時,，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,，成為連接源極和漏極的溝道,。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度,，從而改變溝道的電阻,。這種MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道,，加上適當(dāng)?shù)钠珘?，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管,。統(tǒng)稱為PMOS晶體管,。

P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管,。此外,，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高，要求有較高的工作電壓,。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容,。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長,，加之器件跨導(dǎo)小,，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)出現(xiàn)之后,，多數(shù)已為NMOS電路所取代,。只是,因PMOS電路工藝簡單,價格便宜，有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù),。

PMOS集成電路是一種適合在低速,、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電,。如圖5所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電,。采用直接接口方式，一般CMOS的電源電壓選擇在10～12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求,。

MOS場效應(yīng)晶體管具有很高的輸入阻抗,，在電路中便于直接耦合,，容易制成規(guī)模大的集成電路。

各種場效應(yīng)管特性比較