SanDisk上周表示,，由于閃存具有局限性,，它的發(fā)展未來(lái)將走到盡頭,，SanDisk希望3D讀寫內(nèi)存能夠成為替代產(chǎn)品,，這種技術(shù)是由SanDisk2005年收購(gòu)的Matrix半導(dǎo)體公司開發(fā),。
3D內(nèi)存芯片將內(nèi)存陣列從橫向排列改為縱向排列,，從而能夠垂直存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù),。
SanDisk總裁兼首席運(yùn)營(yíng)官Sanjay Mehrotra上周表示：“SanDisk正在開發(fā)3D讀寫內(nèi)存,，我們認(rèn)為這種產(chǎn)品在未來(lái)10年將代替NAND閃存,?！?/p>
SanDisk已經(jīng)宣布和東芝合作開發(fā)3D內(nèi)存。
SanDisk主席兼首席執(zhí)行官Eli Harari說(shuō),，自從收購(gòu)了Matrix后,，他們?cè)?D內(nèi)存開發(fā)方面取得了不小的進(jìn)步，目前,，圍繞這種技術(shù),，SanDisk已經(jīng)取得了200多項(xiàng)專利。
不過(guò)SanDisk發(fā)言人Michael Wong 說(shuō),，3D內(nèi)存取代閃存還有很長(zhǎng)一段路要走,。
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