《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 模擬設(shè)計 > 解決方案 > 電子線路CAD分析中高頻電路的局限性

電子線路CAD分析中高頻電路的局限性

2006-04-14
關(guān)鍵詞: 電子線路 CAD

電子線路CAD模擬軟件PSPICE具有很強(qiáng)的功能,,在電子線路設(shè)計中具有廣闊的應(yīng)用前景,,但由于它對中高頻下的電路復(fù)雜參數(shù)無法準(zhǔn)確地描述,從而也就給高頻電路的分析帶來較在的困難,。 

關(guān)鍵詞:電路模擬軟件,;PSPICE,;頻率電路;固有頻率

探索片式電感的高頻應(yīng)用

引言

隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,片式電感作為新型基礎(chǔ)無源器件,以其良好的性能價格比和便于高密度貼裝等顯著優(yōu)點,迅速得到了廣泛應(yīng)用,尤其在以移動手機(jī)為代表的通信終端設(shè)備中,片式電感獲得了典型的高頻應(yīng)用,。由于RF電路的工作頻率不斷提升,片式電感在應(yīng)用方面的性能特點發(fā)生了明顯變化,已經(jīng)開始顯現(xiàn)出低端微波頻段的工作特性,。因此,為有效提升片式電感的電性參數(shù),,改善RF電路性能,,必須進(jìn)一步分析其低頻特性與高頻特性的不同規(guī)律。

另一方面,,不斷推陳出新的通信系統(tǒng)(GSM,、CDMA、PCS,、3G…)使得片式電感的工作頻率逐步達(dá)到了2GHz甚至更高,。因此,以傳統(tǒng)的集中參數(shù)電路理論對片式電感器件進(jìn)行阻抗分析,,則顯現(xiàn)出越來越明顯的局限性,。探索適合高頻條件下的工程分析手段也已成為片式電感研發(fā)、生產(chǎn),、分析和應(yīng)用的重要課題,。

阻抗分析

電感的物理意義是利用導(dǎo)電線圈儲存交變磁場能量,而在實際電路應(yīng)用中,電感器件的主要作用則是向電路提供所需的感性阻抗,在與其他相關(guān)元件配合下完成相應(yīng)的電路功能(匹配,、濾波、振蕩等),。常見的片式電感器件包括疊層片式,、繞線片式、光刻薄膜等形式,,其生產(chǎn)工藝和內(nèi)電極結(jié)構(gòu)均有所不同,。但在中低頻率條件下,由于信號波長遠(yuǎn)大于器件尺寸,器件的電路響應(yīng)受內(nèi)電極結(jié)構(gòu)的影響較小,通常都可以采用集中參數(shù)等效模型(見圖一)對片式電感的阻抗特性予以近似分析。據(jù)此可推導(dǎo)出常用電性能參數(shù)的函數(shù)式,。

導(dǎo)納函數(shù)

Y(j )=({1}\over{R_{O}}+{r}\over{r^{2}+ ^{2}L^{2}_{O}})+j( C_{O}-{ L_{O}}\over{r^{2}+ ^{2}L^{2}_{o}})

則阻抗函數(shù)

Z(j )={1}\over{Y(j )}=R( )+j ( )

可近似導(dǎo)出阻抗

Z( )=\sqrt{R^{2}( )+ ^{2}( )}

={ L_{O}}\over\sqrt{({ L_{O}}\over{R_{O}}+{r}\over{ L_{O}})^{2}+(1-{ ^{2}}\over{SRF^{2}})^{2}}

電感量

L( )={ ( )}\over{ }={L_{O}(1-{ ^{2}}\over{SRF^{2}})}\over{({{ L_{O}}\over{R_{O}}+{r}\over{ L_{O}})^{2}+(1-{ ^{2}}\over{SRF^{2}})^{2}}

品質(zhì)因素

Q( )={ ( )}\over{R( )}={(1-{ ^{2}}\over{SRF^{2}})}\over{({ L_{O}}\over{R_{O}}+{r}\over{ L_{o}})}

其中

SRF={1}\over{2 \sqrt{L_{O}C_{O}}}

=2 F

由這些函數(shù)表達(dá)式不難歸納出:

(1)在工作頻率低于自諧頻率SRF時,,片式電感的阻抗特性非常接近理想電感而呈現(xiàn)較好的線性特性,品質(zhì)因素Q也較高,,因此通常以此確定電感的額定工作頻段,;

(2)在電感量L0為額定值時,提高自諧頻率SRF的唯一方法是減小寄生電容C0,;

(3)在低頻工作區(qū),降低內(nèi)電極電阻r將有效提升品質(zhì)因素Q值,,而在高頻工作區(qū),減小電磁漏損(增大R0)對Q值的提高則更為顯著,;

(4)當(dāng)工作頻率 高于自諧頻率SRF時,片式電感呈現(xiàn)出容性阻抗特性,。

通常應(yīng)用中,利用阻抗分析儀檢測片式電感端電極間的Z( ),、L( ),、Q( )等參數(shù),即可準(zhǔn)確反映出工作頻率下實際電路的響應(yīng)特性,,據(jù)此可進(jìn)行準(zhǔn)確的電路設(shè)計與器件選擇,。作為比較,圖2中列出相同規(guī)格的高頻電感(SGHI1608H100N)與鐵氧體電感(SGMI1608M100N)的L(f),、Q(f)參數(shù)曲線,,顯然高頻電感有更高的自諧頻率和線性工作頻段,而鐵氧體電感則有較高的Q值,。

高頻分析

當(dāng)工作頻率較高(2GHz左右)時,,信號波長逐漸可以與器件尺寸相比擬。片式電感的阻抗呈現(xiàn)出明顯的分布特性,,即不同的參考位置存在不同阻抗,。圖1所示的分析模型已不適合用以描述高頻工作的電感器件。在高頻條件下,,器件的電路響應(yīng)可隨其尺寸和空間結(jié)構(gòu)的不同而發(fā)生相應(yīng)變化,,常規(guī)的阻抗測量參數(shù)已不能準(zhǔn)確反映實際電路中的響應(yīng)特性。以某型號移動手機(jī)RF功放電路為例,,其中兩款用于阻抗匹配的高頻電感(工作頻率1.9GHz)均采用光刻薄膜式電感,,若以相同規(guī)格及精度,,但Q值明顯較高的疊層片式電感(測量儀器HP-4291B)予以取代,其結(jié)果卻是電路傳輸增益下降近10%,。說明電路匹配狀態(tài)下降,,用低頻分析方法顯然無法準(zhǔn)確解釋高頻應(yīng)用問題,僅僅關(guān)注L( )和Q( )對片式電感的高頻分析是不適宜的,,至少是不夠的,。

電磁場理論在工程中常用來分析具有分布特性的高頻應(yīng)用問題。通常在利用阻抗分析儀(HP-4291B)對片式電感進(jìn)行的測量中,,可通過夾具補(bǔ)償和儀器校準(zhǔn)等手段將測量精度提高到 0.1nH左右,,理論上足以保證電路設(shè)計所需的精度要求。但不容忽視的問題是,,此時的測量結(jié)果僅僅反映了匹配狀態(tài)下(測量夾具設(shè)計為精確匹配)電感器件端電極界面之間的參數(shù)性能,對電感器件的內(nèi)部電磁分布情況和外部電磁環(huán)境要求卻未能反映出來,。相同測試參數(shù)的電感可能因內(nèi)電極結(jié)構(gòu)不同而存在完全不同的電磁分布狀態(tài),,在高頻條件下,片式電感的實際電路應(yīng)用環(huán)境(近似匹配,、密集貼裝,、PCB分布影響)與測試環(huán)境往往有差異,極易產(chǎn)生各種復(fù)雜的近場反射而發(fā)生實際響應(yīng)參數(shù)(L,、Q)的微量變化,。對RF電路中的低感值電感,這種影響是不容忽視的,,我們把這種影響稱之為“分布影響”,。

高頻電路(包括高速數(shù)字電路)設(shè)計中,基于電路性能,、器件選擇和電磁兼容等因素的考慮,,通常是以網(wǎng)絡(luò)散射分析(S參數(shù))、信號完整性分析,、電磁仿真分析,、電路仿真分析等手段,來綜合考量實際電路系統(tǒng)的工作性能,。針對片式電感器件的“分布影響”問題,,一個可行的解決方案是對電感器件進(jìn)行結(jié)構(gòu)性電磁仿真并精確提取相應(yīng)的SPICE電路模型參數(shù),作為電路設(shè)計的依據(jù),,以此有效減小電感器件在高頻設(shè)計應(yīng)用中的誤差影響,。國外(日本)主要元器件企業(yè)的片式電感產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)大多包含有S參數(shù),通??捎糜诰_的高頻應(yīng)用分析,。

電路應(yīng)用

在高頻電路中比較常用的片式電感有光刻薄膜電感,、片式繞線電感和疊層片式電感三種。由于內(nèi)電極的結(jié)構(gòu)特點有明顯不同,,即使參數(shù)規(guī)格相同情況下,,其電路響應(yīng)卻不盡相同。實際電路應(yīng)用中對電感器件的選擇有一定規(guī)律和特點,,在此可略作歸納如下:

阻抗匹配:射頻電路(RF)通常由高放(LNA),、本振(LO)、混頻(MIX),、功放(PA),、濾波(BPF/LPF)等基本電路單元構(gòu)成。在特性阻抗各不相同的單元電路之間,,高頻信號需要低損耗耦合傳輸,,阻抗匹配成為必不可少。典型方案是利用電感與電容組合為“倒L”或“T”型匹配電路,,對其中的片式電感,,匹配性能的好壞很大程度是取決于電感量L的精確度,其次才是品質(zhì)因素Q的高低,。在工作頻率較高時,,往往使用光刻薄膜電感來確保高精度的L。其內(nèi)電極集中于同一層面,,磁場分布集中,,能確保裝貼后的器件參數(shù)變化不大。

諧振放大:典型的高頻放大電路通常采用諧振回路作為輸出負(fù)載,。對其增益和信噪比等主要性能參數(shù)來說,,片式電感的品質(zhì)因素Q成為關(guān)鍵。L的少許誤差影響可由多種電路形式予以補(bǔ)償和修正,,因而多采用繞線片式電感和疊層片式電感,,對工作頻率下的Q值要求較高。而薄膜片式電感無論是價格還是性能在此都不適合,。

本地振蕩:本振電路(LO)必須由含振蕩回路的放大電路構(gòu)成,,通常是以VCO-PLL的形式向RF電路提供精確的參考頻率,因此本振信號的質(zhì)量直接影響著電路系統(tǒng)的關(guān)鍵性能,。振蕩回路中的電感必須具有極高的Q值和穩(wěn)定度,,以確保本振信號的純凈、穩(wěn)定,。由于石英晶體具有相對較寬的阻抗動態(tài)補(bǔ)償,,此時對片式電感的L精度要求并不是首要指標(biāo),因此疊層片式電感和繞線片式電感多被用于VCO電路,。

高頻濾波:低通濾波(LPF)常見于高頻電路的供電去耦回路,,有效抑制高次諧波在供電回路的傳導(dǎo),,額定電流和可靠性是首要關(guān)注參數(shù);而帶通濾波(BPF)則多用于高頻信號的耦合,,或同時兼有阻抗匹配的作用,。此時插入衰減要盡量小,L,、Q是此時的重點參數(shù),。綜合比較,疊層片式電感最適合這種應(yīng)用,。

                   

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點,。轉(zhuǎn)載的所有的文章,、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者,。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失,。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:[email protected],。