更佳的效率,、EMI和堅(jiān)固性使SuperFET III MOSFET成為具有嚴(yán)苛堅(jiān)固性和可靠性要求的高性能產(chǎn)品的理想之選

　　加利福尼亞桑尼維爾 – 2016 年 9月 21日 — Fairchild,，現(xiàn)在是安森美半導(dǎo)體的一部分,，今天推出了其SuperFET? III系列,，用于650V N溝道MOSFET,，這是該公司新一代的MOSFET,，可滿足最新的通信,、服務(wù)器,、電動(dòng)車(EV)充電器和太陽(yáng)能產(chǎn)品的更高功率密度、系統(tǒng)效率和優(yōu)越的可靠性要求,。

　　SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性,、低EMI、卓越效率和優(yōu)異熱性能,，是高性能應(yīng)用的理想之選,。一流性能之外，該系列還提供了廣泛的封裝選擇,，賦予了產(chǎn)品設(shè)計(jì)者更大的靈活性,，特別是對(duì)于尺寸受限的設(shè)計(jì)。

　　Fairchild高功率工業(yè)事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理趙進(jìn)表示：「無(wú)論我們的客戶身處何種行業(yè),，他們都始終追求大幅提高其每一代新產(chǎn)品的效率,、性能和可靠性,，同時(shí)努力加快新產(chǎn)品上市的步伐。在設(shè)計(jì)新型SuperFET III MOSFET以幫助客戶實(shí)現(xiàn)其關(guān)鍵產(chǎn)品目標(biāo)的同時(shí),，我們還確保這些器件能夠降低BOM成本,、減小電路板空間并簡(jiǎn)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)?！?/p>

　　SuperFET III技術(shù)具有所有便捷驅(qū)動(dòng)型超結(jié) MOSFET的最低Rdson,，因此具有一流效率。這要?dú)w功于先進(jìn)的電荷平衡技術(shù),，與其前代SuperFET II產(chǎn)品相比,，在同樣的封裝尺寸內(nèi)，該技術(shù)將Rdson降低了44%,。

　　實(shí)現(xiàn)SuperFET III系列優(yōu)異堅(jiān)固性和可靠性的關(guān)鍵因素是其一流的體二極管以及比最接近的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品高兩倍的單脈沖雪崩能量(EAS)性能,。

　　650V SuperFET III系列在關(guān)閉期間的峰值漏極-源極電壓更低，改善了系統(tǒng)在低溫運(yùn)行條件下的可靠性,，因?yàn)榕c室溫下相比,，-25℃結(jié)溫時(shí)擊穿電壓自然降低了5%，而且低溫下的峰值漏極-源極電壓變得更高,。

　　這些可靠性優(yōu)勢(shì)對(duì)于各種工業(yè)應(yīng)用特別重要,，例如光伏逆變器、不間斷電源(UPS)和EV充電器,，因?yàn)樗鼈儽仨毮軌虺惺芨呋蛘吒偷沫h(huán)境溫度,。SuperFET III MOSFET系列于今日發(fā)布上市，具有多種封裝和參數(shù)選擇：