近日,，彩虹藍光-北京大學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心簽約儀式在安徽合肥舉行,。雙方將攜手打造我國第三代半導(dǎo)體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的重要創(chuàng)新平臺,。

　　半導(dǎo)體作為在常溫下介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，廣泛應(yīng)用于測溫等領(lǐng)域,。隨著社會的不斷發(fā)展,，半導(dǎo)體不論是在科技或是經(jīng)濟方面，都具有巨大的作用,。為謀求半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地,，世界各國紛紛加快研究步伐。其中,，以GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導(dǎo)體材料及器件的開發(fā)是新興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心和基礎(chǔ),，其研究開發(fā)呈現(xiàn)出日新月異的發(fā)展勢態(tài)。

　　此次安徽合肥攜手中國電子,，著手打造彩虹藍光—北京大學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心,，也是積極部署第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新高地，落實科技強國戰(zhàn)略,，助力我國創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)發(fā)展的表現(xiàn),。

　　據(jù)悉，此次彩虹藍光-北京大學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心的建設(shè)將分為兩期,，先期將重點放在人才引進以及實驗室硬件條件打造上,，同時以電子材料和器件技術(shù)研發(fā)為重點，逐步打造我國第三代半導(dǎo)體研發(fā)平臺,。