幾年前斯坦福工程師率先開發(fā)的電阻式隨機(jī)存取存儲器（RRAM），它是一種新型電腦存儲器,，它基于一種新的半導(dǎo)體材料,，依賴于溫度和電壓來存儲數(shù)據(jù)。雖然它被證明比當(dāng)前技術(shù)更快,，更節(jié)能,，但是RRAM的工作原理仍然是一個謎。現(xiàn)在,，一個斯坦福團(tuán)隊(duì)使用了全新工具來研究RRAM,，發(fā)現(xiàn)其最佳工作溫度范圍遠(yuǎn)低于此前預(yù)期，為更高效的內(nèi)存鋪平了道路,。

RRAM及其制造的半導(dǎo)體允許芯片堆疊在彼此之上,，使得存儲器和邏輯組件以不能復(fù)制的方式靠近在一起,。這些3D“高層”芯片可以解決大數(shù)據(jù)處理延遲，同時延長未來移動設(shè)備的電池壽命,，提供更快,，更高能效的解決方案。

RRAM工作的基本原理：在自然狀態(tài)下,，RRAM材料是絕緣體,，阻止電子流動，但是用電場將它們打開,，為電子打開一個路徑,，讓電子流動，這兩個狀態(tài)之間交替可以形成二進(jìn)制代碼的基礎(chǔ)：即絕緣狀態(tài)表示0,，而通過電子的狀態(tài)代表1,。

但是RRAM材料需要多少溫度才會導(dǎo)致開關(guān)目前還是未知因素。由于沒有辦法測量由電力產(chǎn)生的熱量,，研究人員使用微熱級的熱板狀裝置加熱RRAM芯片,。通過監(jiān)測電子何時開始流過RRAM材料，團(tuán)隊(duì)能夠測量材料形成導(dǎo)電通路所需的溫度,，并驚喜地發(fā)現(xiàn)其最佳工作溫度范圍在80°F和260°F（26.7和126.7℃）之間,，遠(yuǎn)低于此前估計(jì)的1160°F（626.7℃）。因此,，未來的RRAM器件將需要更少的電力來產(chǎn)生這些溫度,，使得它們更節(jié)能。

RRAM可能不會在短時間內(nèi)商業(yè)化,，成為消費(fèi)者設(shè)備當(dāng)中的存儲裝置,，但研究人員說，這一發(fā)現(xiàn)將有助于加快業(yè)界對這項(xiàng)技術(shù)的理解,，并為未來的工作提供更堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)