幾年前斯坦福工程師率先開發(fā)的電阻式隨機存取存儲器（RRAM），它是一種新型電腦存儲器,，它基于一種新的半導體材料,，依賴于溫度和電壓來存儲數(shù)據(jù)。雖然它被證明比當前技術更快,，更節(jié)能,，但是RRAM的工作原理仍然是一個謎?，F(xiàn)在,，一個斯坦福團隊使用了全新工具來研究RRAM，發(fā)現(xiàn)其最佳工作溫度范圍遠低于此前預期,，為更高效的內存鋪平了道路,。

RRAM及其制造的半導體允許芯片堆疊在彼此之上，使得存儲器和邏輯組件以不能復制的方式靠近在一起,。這些3D“高層”芯片可以解決大數(shù)據(jù)處理延遲,，同時延長未來移動設備的電池壽命，提供更快,，更高能效的解決方案,。

RRAM工作的基本原理：在自然狀態(tài)下，RRAM材料是絕緣體,，阻止電子流動,，但是用電場將它們打開，為電子打開一個路徑,，讓電子流動,，這兩個狀態(tài)之間交替可以形成二進制代碼的基礎：即絕緣狀態(tài)表示0,，而通過電子的狀態(tài)代表1。

但是RRAM材料需要多少溫度才會導致開關目前還是未知因素,。由于沒有辦法測量由電力產生的熱量,，研究人員使用微熱級的熱板狀裝置加熱RRAM芯片。通過監(jiān)測電子何時開始流過RRAM材料,，團隊能夠測量材料形成導電通路所需的溫度,，并驚喜地發(fā)現(xiàn)其最佳工作溫度范圍在80°F和260°F（26.7和126.7℃）之間，遠低于此前估計的1160°F（626.7℃）,。因此,，未來的RRAM器件將需要更少的電力來產生這些溫度，使得它們更節(jié)能,。

RRAM可能不會在短時間內商業(yè)化,，成為消費者設備當中的存儲裝置，但研究人員說,，這一發(fā)現(xiàn)將有助于加快業(yè)界對這項技術的理解,，并為未來的工作提供更堅實的基礎