被視為次世代存儲(chǔ)器技術(shù)之一的自旋力矩傳輸存儲(chǔ)器（STT－MRAM），在2016年12月舉辦的國(guó)際電子零組件會(huì)議（International Electron Devices Meeting,；IEDM）中公開了若干突破性研究成果,，最值得注意的是推出了容量超過1Gb的產(chǎn)品,，以及將STT－MRAM嵌入CMOS邏輯芯片的技術(shù)實(shí)證,。

MRAM算是次世代非揮發(fā)性存儲(chǔ)器科技中出現(xiàn)較早的一種,，其記憶單元以磁隧結(jié)（MTJ）組成,，由于占用體積大與耗電量高,，最大容量約16Mb，僅適用于若干特殊需求,；MTJ水平排列的iSTT－MRAM雖然成功縮小化,，記憶密度還是偏低，最大容量?jī)H256Mb,。

直到較新的pSTT－MRAM出現(xiàn),，MTJ改用垂直排列，才能進(jìn)一步擴(kuò)大記憶密度,，韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠SK海力士（SK Hynix）與東芝（Toshiba）從2011年起合作,，到2016年成功推出目前容量最大的STT－MRAM，記憶容量達(dá)4Gb,，雖然詳細(xì)數(shù)據(jù)并未公布,，不過報(bào)導(dǎo)推算記憶密度與DRAM相當(dāng)。

不過,，存儲(chǔ)器技術(shù)要求的不只有記憶容量與密度,，使用壽命與容錯(cuò)能力等數(shù)據(jù)也很重要，GlobalFoundries與Everspin Technologies合作,，對(duì)已上市的256Mb容量pSTT－MRAM進(jìn)行測(cè)試,，可在攝氏100度環(huán)境下保存數(shù)據(jù)10年以上，重復(fù)讀寫1億次也沒有明顯劣化問題,，顯示pSTT－MRAM技術(shù)已達(dá)成熟階段,。

但以目前的容量而言，STT－MRAM容量仍小,，離取代一般存儲(chǔ)器還有一段路要走,，另一種比較可行的應(yīng)用,，是把STT－MRAM嵌入其他系統(tǒng)芯片,，目前已有SRAM嵌入邏輯芯片的技術(shù)，而STT－MRAM記憶密度比SRAM更高,，有助于提高邏輯芯片內(nèi)的記憶容量,。

在IDEM 2016中，關(guān)于STT－MRAM嵌入系統(tǒng)芯片的應(yīng)用,，一個(gè)是高通（Qualcomm）與應(yīng)用材料（Applied Materials）的合作,，制造1Gb大容量的嵌入測(cè)試,，另一個(gè)則是三星電子（Samsung Electronics）的28納米制程8Mb容量嵌入STT－MRAM的研發(fā)。

高通的發(fā)表中指出相當(dāng)有趣的一點(diǎn),，就是在嵌入式設(shè)計(jì)中,，由于重復(fù)讀寫次數(shù)減少，在同樣的可靠性要求下,，一般RAM須要求到10的15次方次讀寫,，STT－MRAM只要能保證10的10～12次方次讀寫，就可滿足需求,。

而三星的28納米加工技術(shù)是目前最精密的STT－MRAM制程,，為在CMOS邏輯芯片中加入STT－MRAM，由于有些程序與CMOS邏輯電路制程重疊,，只要增加3道光罩就可以有效嵌入STT－MRAM,，意味有可能低成本制出內(nèi)嵌STT－MRAM的邏輯芯片。

接下來STT－MRAM的商業(yè)發(fā)展,，將先從大容量產(chǎn)品開始,，抑或在嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)上普及，有待持續(xù)觀察,。