半導體市況好熱鬧,，就在臺積電透露5nm將在2019年試產之際，聯(lián)電23日也宣布,，自主研發(fā)的14nm鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術,，已成功進入客戶芯片量產階段,，良率已達先進制程的業(yè)界競爭水平，此制程將幫助客戶開拓嶄新的應用于電子產品,。

聯(lián)電CEO顏博文表示，這次達成14nm量產的里程碑,，象征聯(lián)電成功攜手客戶,，將先進技術導入市場,，同時與其他客戶的合作也在順利進行中，將持續(xù)優(yōu)化此制程,，充分發(fā)揮14納米FinFET在效能,、功耗和閘密度所具備的優(yōu)勢，以驅動次世代硅芯片于網(wǎng)絡,、人工智能和各類消費產品等各領域的應用,。

聯(lián)電14納米 FinFET制程效能競爭力已達業(yè)界領先標準，速度較28nm增快55％,，閘密度則達兩倍,，此外，功耗亦較28nm減少約50％,。 此14nm客戶芯片現(xiàn)正于聯(lián)華電子臺南的Fab 12A晶圓廠生產中,，未來將因應客戶需求，穩(wěn)步擴充其14nm產能,。

聯(lián)電宣布自主研發(fā)的14nm鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術,， 也宣告聯(lián)電已決定將廈門聯(lián)芯的晶圓制程推進到28nm量產，搶食在大陸制造最大一塊的手機和網(wǎng)通芯片代工商機,。

顏博文強調,，14納米FinFET制程效能競爭力已達業(yè)界標準，速度比28 nm增快55%,，閘密度達兩倍,，而且芯片功耗也較28nm減少約50%。

因聯(lián)電28nm制程良率相當穩(wěn)定,，也是目前市場中端手機芯片和高端網(wǎng)絡芯片需求最迫切的制程,，預料聯(lián)電將會把重心集中沖刺聯(lián)芯將制程推升至28nm，挾大陸制造,，擠下強敵中芯,，在28nm拉升市占，讓聯(lián)電搶食大陸快速崛起的芯片大餅,，打通任督二脈,。

聯(lián)電目前與和艦共持有聯(lián)芯50%股權，聯(lián)芯去年11月開幕,，導入聯(lián)電的55nm及40nm制程技術生產,。