《電子技術(shù)應(yīng)用》
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迎接7nm時(shí)代 英特爾,、臺(tái)積電等巨頭們都做了什么

2017-03-06

半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu) ICinsights 于2017年3月3日公告中指出,2017 年有11家半導(dǎo)體廠資本支出預(yù)算超過 10億美元,,占全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總合的78%,。而2013年,,全球僅有8家半導(dǎo)體廠資本支出預(yù)算超過10億美元水平。前十大廠有兩家今年資本支出成長在兩成以上,,分別是英特爾的25% 與格邏方德的33%,。

英特爾的做法

為了進(jìn)一步發(fā)展生產(chǎn)制程,英特爾將在 2017 年建立一座 7 納米制程的試驗(yàn)工廠,。該實(shí)驗(yàn)工廠將會(huì)測試 7 納米晶片生產(chǎn)制程,。不過,雖然英特爾并未提及會(huì)在何時(shí)開始這種制程晶片的量產(chǎn),,外界認(rèn)為至少在未來 2 到 3 年內(nèi)不會(huì)實(shí)現(xiàn),。

英特爾表示,7納米制程將為晶片帶來更大的設(shè)計(jì)變化,,使其體積變得更小,,也更為節(jié)能。英特爾計(jì)劃使用奇特的III-V材料(比如氮化鎵)來進(jìn)行晶片生產(chǎn),,在提高性能速度的同時(shí)也達(dá)到更長續(xù)航能力,。同時(shí),他們將會(huì)在生產(chǎn)中引入極紫外線(EUV)工具,,來協(xié)助進(jìn)行更加精細(xì)的功能蝕刻過程。

按照英特爾原來的“工藝,、架構(gòu),、優(yōu)化” 等三步驟來進(jìn)行規(guī)劃,7納米制程的處理器原本最快應(yīng)在 2020 年出樣,,2021 年發(fā)貨,。事實(shí)上,根據(jù)業(yè)內(nèi)推測,,這些7納米的處理器不太可能在6到7年內(nèi)問世,。

格羅方德的做法

格羅方德去年因產(chǎn)能閑置,資本支出大減 62%,。格邏方德已決定跳過 10納米,,直接挑戰(zhàn) 7 納米制程,預(yù)料今年絕多數(shù)資本支出將用于采購新設(shè)備與技術(shù)研發(fā),。

此外,,格羅方德在發(fā)展7納米的同時(shí)把注意力放到了實(shí)際應(yīng)用上:22納米FD-SOI(全耗盡型絕緣層覆硅)制程生產(chǎn)線,,產(chǎn)品將能廣泛運(yùn)用于行動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng),、汽車電子等領(lǐng)域,。

在物聯(lián)網(wǎng)浪潮下,F(xiàn)D-SOI技術(shù)也日漸受到重視,。與FinFET相比,,F(xiàn)D-SOI基板雖然較貴,但在掩模數(shù)量與制造工序比FinFET要少一些,,降低部分光罩成本也縮減了制造時(shí)間,,在技術(shù)上比FinFET更適合類比/混合訊號(hào)以及RF,F(xiàn)D-SOI還具備了低功耗的優(yōu)勢,,因此,,不少人認(rèn)為FD-SOI將是物聯(lián)網(wǎng)較佳選擇,或能與FinFET互補(bǔ),。

該企業(yè)2015 年推出的22納米FD-SOI平臺(tái)后,,在去年9月進(jìn)一步發(fā)表新的12納米FD-SOI技術(shù)。新一代12納米FD-SOI產(chǎn)品,,估計(jì)2018年底將于德國Dresden Fab 1投產(chǎn),,2019 年將22 納米FD-SOI 生產(chǎn)重心轉(zhuǎn)移至成都新廠。

臺(tái)積電和三星的做法:

在2017 年ISSCC(International Solid-State Circuits Conference,,國際固態(tài)電路研討會(huì))上,,臺(tái)積電  5 篇論文獲選(美國臺(tái)積電 1 篇),2 篇論文為類比電路領(lǐng)域,,記憶體電路設(shè)計(jì)則有 3 篇,。

業(yè)界認(rèn)為,臺(tái)積電將領(lǐng)先業(yè)界在大會(huì)上發(fā)表7納米FinFET技術(shù),。揭示迄今最小位元數(shù) SRAM 在7納米FinFET的應(yīng)用,,驗(yàn)證0.027μm2 256 Mbit SRAM測試晶片在7納米制程下,能大幅提升手機(jī),、平板電腦中央處理晶片運(yùn)算速度,,同時(shí)滿足低功率需求。

臺(tái)積電,、三星通常以 SRAM,、DRAM 來練兵,先從記憶體下手,,當(dāng)良品率提升到一定程度再導(dǎo)入邏輯產(chǎn)品,。臺(tái)積電先前預(yù)估10納米年底量產(chǎn)、7納米最快 2018 年第一季生產(chǎn),。

三星在10月初搶先臺(tái)積電宣布10納米量產(chǎn),,市場近期傳出臺(tái)積電7納米最快在明年2017 就可試產(chǎn),,4月接單。三星在7納米就引進(jìn)極紫外光微影設(shè)備,,并預(yù)計(jì)2017年年底7奈米量產(chǎn),。


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