晶圓代工廠聯(lián)電獲準(zhǔn)授權(quán)28 納米技術(shù)予中國子公司聯(lián)芯集成電路制造（廈門），聯(lián)芯28 納米預(yù)計第二季導(dǎo)入量產(chǎn),，將搶攻中國手機(jī)芯片市場。

聯(lián)芯甫于去年底投產(chǎn),，目前以40 納米制程技術(shù)為主，月產(chǎn)能約1．1 萬片規(guī)模,。

聯(lián)電今天公告,，獲準(zhǔn)技術(shù)授權(quán)28 納米技術(shù)予中國子公司聯(lián)芯，技術(shù)授權(quán)金額2 億美元,。聯(lián)電表示,，聯(lián)芯將盡快導(dǎo)入28 納米制程，預(yù)計第二季可進(jìn)入量產(chǎn),，將搶攻中國手機(jī)芯片市場,；聯(lián)芯預(yù)計至今年底月產(chǎn)能將擴(kuò)增至1．6 萬片規(guī)模。

至于2 億美元技術(shù)授權(quán)金,，聯(lián)電指出,，將依進(jìn)度認(rèn)列，只因與聯(lián)芯為母子公司關(guān)系,，對損益無影響,，僅有現(xiàn)金收入。

N－1規(guī)則,，14nm量產(chǎn)后的推進(jìn)

根據(jù)臺灣規(guī)定,，投資大陸的技術(shù)要比臺灣的落后一代，也就是所謂的“N－1”規(guī)則,，聯(lián)電這次進(jìn)入大陸,，是因為其14nm正式投入量產(chǎn)。

23日也宣布，自主研發(fā)的14nm鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術(shù),，已成功進(jìn)入客戶芯片量產(chǎn)階段,，良率已達(dá)先進(jìn)制程的業(yè)界競爭水平，此制程將幫助客戶開拓嶄新的應(yīng)用于電子產(chǎn)品,。

聯(lián)電CEO顏博文表示,，這次達(dá)成14nm量產(chǎn)的里程碑，象征聯(lián)電成功攜手客戶,，將先進(jìn)技術(shù)導(dǎo)入市場,，同時與其他客戶的合作也在順利進(jìn)行中,，將持續(xù)優(yōu)化此制程,，充分發(fā)揮14納米FinFET在效能、功耗和閘密度所具備的優(yōu)勢,，以驅(qū)動次世代硅芯片于網(wǎng)絡(luò),、人工智能和各類消費產(chǎn)品等各領(lǐng)域的應(yīng)用。

聯(lián)電14納米 FinFET制程效能競爭力已達(dá)業(yè)界領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn),，速度較28nm增快55％,，閘密度則達(dá)兩倍，此外,，功耗亦較28納米減少約50％,。 此14nm客戶芯片現(xiàn)正于聯(lián)華電子臺南的Fab 12A晶圓廠生產(chǎn)中，未來將因應(yīng)客戶需求,，穩(wěn)步擴(kuò)充其14nm產(chǎn)能,。

聯(lián)電宣布自主研發(fā)的14納米鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術(shù)， 也宣告聯(lián)電已決定將廈門聯(lián)芯的晶圓制程推進(jìn)到28nm量產(chǎn),，搶食在大陸制造最大一塊的手機(jī)和網(wǎng)通芯片代工商機(jī),。

顏博文強(qiáng)調(diào)，14納米FinFET制程效能競爭力已達(dá)業(yè)界標(biāo)準(zhǔn),，速度比28 nm增快55％,，閘密度達(dá)兩倍，而且芯片功耗也較28nm減少約50％,。

28nm進(jìn)攻大陸,，中芯國際受沖擊？

聯(lián)芯集成電路是聯(lián)電和廈門政府合作的12寸晶圓廠,，計劃開始于2015年,，而到2016年6月，該工廠已經(jīng)交付投產(chǎn),，并在7月底投入試產(chǎn),，良率也高達(dá)98％。在產(chǎn)能布建上，2016第4季月產(chǎn)能約達(dá)3千片,，從2017年開始,，逐季擴(kuò)充產(chǎn)能，2018年第二季平均月產(chǎn)能就可達(dá)到2．5萬片規(guī)模,。

業(yè)界人士認(rèn)為,，聯(lián)芯55／40納米米制程可用來生產(chǎn)嵌入式芯片、CMOS影像感測器,、通訊芯片等,，高通將成為聯(lián)芯主要客戶之一。

目前,，聯(lián)電28納米制程采用嶄新的應(yīng)力技術(shù)（SMT,， t－CESL， c－CESL） 與嵌入式SiGe,，以強(qiáng)化電子遷移率的表現(xiàn),，專為需要高效能與低功耗之應(yīng)用產(chǎn)品所開發(fā)。目前已采用28HLP SiON 與28HPM／HPC HK／MG 制程量產(chǎn)多家客戶產(chǎn)品,。聯(lián)電現(xiàn)正積極擴(kuò)增28納米產(chǎn)能,，以滿足客戶對此廣受歡迎制程的高度需求。

28HLP – 采用強(qiáng)化的SiON技術(shù)

聯(lián)電高效能低功耗（HLP） 制程為40納米平順的制程移轉(zhuǎn)途徑,，具備了便于設(shè)計采用,，加速上市時程，以及優(yōu)異的效能／成本比,。針對有高速要求的客戶應(yīng)用產(chǎn)品,，此制程提供了大幅提升的效能與功耗，速度可較業(yè)界其他晶圓專工廠提供的28nm SiON制程提升10％,。

28HPM／HPC － 采用高介電系數(shù)／金屬閘極堆疊技術(shù)

聯(lián)電28HPM／HPC 技術(shù)廣泛支援各種元件選項,，以提升彈性及符合效能需求，同時針對多樣的產(chǎn)品系列,，例如應(yīng)用產(chǎn)品處理器,、手機(jī)基頻、WLAN,、平板電腦,、FPGA 及網(wǎng)通IC等。具備高介電系數(shù)／金屬閘極堆疊及豐富的元件電壓選項,、記憶體位元組及降頻／超頻功能,，有助于系統(tǒng)單芯片設(shè)計公司推出效能及電池壽命屢創(chuàng)新高的產(chǎn)品。

在聯(lián)芯進(jìn)入28nm之后,，因為聯(lián)電的良率明顯比中芯國際的穩(wěn)定,，而這個制程更是中端手機(jī)芯片和高端網(wǎng)絡(luò)芯片的必備制程,，他們進(jìn)入大陸，勢必會給中芯國際造成沖擊,。對于中芯來說,，需要應(yīng)對的問題又多了一個。