2017年4月10日,，德國慕尼黑訊—英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）壯大現(xiàn)有的CoolMOS技術(shù)產(chǎn)品陣容，推出600 V CoolMOS? P7和600 V CoolMOS C7 Gold (G7)系列,。這兩個產(chǎn)品系列的擊穿電壓高達600 V，具備更出色的超結(jié)MOSFET性能,。它們可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)非常出色的功率密度,。

　　600 V CoolMOS P7：高效率和易用性的優(yōu)化組合

　　新推出的P7樹立效率標(biāo)桿并具備更高的性價比，可大大簡化設(shè)計,。該器件的目標(biāo)應(yīng)用包括充電器,、適配器、照明裝置,、電視,、PC電源、太陽能,、服務(wù)器,、電信和電動汽車充電等，其功率級別從100 W到15 kW不等,。在不同的拓?fù)渲校?00 V CoolMOS P7能夠?qū)⒛繕?biāo)應(yīng)用的效率提高1.5%,，并且，相比競爭產(chǎn)品而言,，工作溫度最多可降低4.2 °C,。

　　表面貼裝（SMD）和通孔封裝型號的導(dǎo)通電阻RDS(on) 范圍均為37 - 600 m?，因此,，600 V CoolMOS P7適合功率范圍很寬的多種應(yīng)用,。此外，超過2 kV（HBM）的出色的防靜電能力可保護器件免受生產(chǎn)中的靜電放電損壞,，從而有效提高制造品質(zhì),。最后，堅固耐用的體二極管能在LLC電路中硬換向事件期間保護器件,。

　　600 V CoolMOS C7 Gold(G7)：一流的FOM采用創(chuàng)新型無引線SMD TO封裝

　　G7具備較低的導(dǎo)通電阻RDS(on),、最小的柵極電荷QG，同時存儲于輸出電容的能量減少,，并具備無引線TO封裝的4管腳開爾文源極能力,。這可以最大限度降低PFC和LLC電路中的損耗，并將性能提升0.6%,，同時提高PFC電路的滿載效率,。G7只有1 nH的極低源極寄生電感,也有助于提高效率。

　　G7采用無引線TO封裝,，熱性能得以改善,，適用于大電流的設(shè)計，同時SMD工藝有助于降低安裝成本,。此外,，600 V G7具備業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻RDS(on) ,，從28 m?到150 m?不等。相比傳統(tǒng)的D2PAK封裝而言,，該器件的表面積,、高度和占板空間分別減小30%、50%和60%,。所有這些特性,，使該器件成為服務(wù)器、電信,、工業(yè)和太陽能等應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)最高效率并樹立功率密度標(biāo)桿的理想選擇,。