臺(tái)積電13日的法說會(huì)中,,針對近期兩大熱門議題:日本半導(dǎo)體大廠東芝NAND Flash部門競標(biāo)案、先進(jìn)制程3奈米晶圓廠的選址,,一一對外界做最新的回覆,。
自從臺(tái)積電董事長張忠謀公開表示,考慮參與日本半導(dǎo)體大廠東芝(Toshiba)競標(biāo)案后,,臺(tái)積電對該案的態(tài)度備受市場關(guān)注,,尤其參與競標(biāo)者又是鴻海、SK海力士(SK Hynix),、威騰(WD)等全球大廠,。
臺(tái)積電13日指出,內(nèi)部確實(shí)評估過該案,,但最后決定不去參與競標(biāo),,主要是兩大原因,第一,,內(nèi)部認(rèn)為這種標(biāo)準(zhǔn)型記憶體的商業(yè)模式和邏輯產(chǎn)業(yè)很不一樣,,第二是認(rèn)為這樣做并沒有太多綜效,因此,,臺(tái)積電沒有參與,,且強(qiáng)調(diào)假使臺(tái)積電參與其中,也會(huì)自己去競標(biāo),,不會(huì)是呼朋引伴的景象,,間接否認(rèn)和鴻海一同競標(biāo)的猜測是不正確的。
針對記憶體技術(shù)的布局,,臺(tái)積電表示,,對于標(biāo)準(zhǔn)型獨(dú)立式的記憶體晶片如PC DRAM晶片、NAND Flash晶片等并沒有興趣,,但是對于嵌入式記憶體技術(shù)的布局,,則是下了很大功夫。
臺(tái)積電目前是全球最大的嵌入式記憶體技術(shù)提供者,,用在邏輯制程平臺(tái)上,,做晶圓代工,像是新式記憶體技術(shù)如ReRAM,、MRAM等,,臺(tái)積電都有這些嵌入式記憶體技術(shù),,且因?yàn)?8奈米以下,傳統(tǒng)的嵌入式記憶體技術(shù)會(huì)有瓶頸,,MRAM是很好接棒的技術(shù)人選,,臺(tái)積電已經(jīng)在提供該技術(shù)使用在邏輯制程上了!
針對另一個(gè)熱門議題,,也就是臺(tái)積電3奈米制程的選址案,,因?yàn)橹皞鞒雠_(tái)積電基于穩(wěn)定和充足的水、電供應(yīng)考量,,有意到美國設(shè)立3奈米制程晶圓廠,。
臺(tái)積電指出,延續(xù)之前董事長張忠謀說法,,不排除任何可能性,,但在美國設(shè)晶圓廠并不是最理想的選擇,希望有更多地點(diǎn)可以選,。