國家01專項技術(shù)總師,、清華大學(xué)微電子學(xué)研究所所長魏少軍曾說過，存儲器產(chǎn)業(yè)講求規(guī)模，是一個需要長期持續(xù)投入的行業(yè),。據(jù)臺灣電子時報報道，紫光集團全球執(zhí)行副總裁暨長江存儲代行董事長高啟全透露,，紫光集團以拿下 25％ 的 DRAM 市占為目標(biāo),，若計入 3D NAND 投入成本，需要長達十年共計 1000 億美元的投資金額,。

DRAM 產(chǎn)業(yè)正在從一個波動劇烈的市場,，逐漸走向成熟。現(xiàn)階段,，DRAM 技術(shù)每進入新一代制程技術(shù)僅增加 20％的半導(dǎo)體機臺設(shè)備,，這意味著既存的半導(dǎo)體廠商的多數(shù)機臺設(shè)備已經(jīng)折舊完，如果購買全新的設(shè)備投入追趕顯得并不明智,。然而,，在傳統(tǒng) 2D 走向 3D NAND 技術(shù)時，幾乎所有的半導(dǎo)體機臺設(shè)備都要更換,，技術(shù)也在革新中,，在投入方面所有存儲器廠商都處在同一個出發(fā)點，踩準(zhǔn)這一時機大力投入,，積極追趕是非常好的機會,。

在具體的投入金額方面，高啟全算了一筆賬,。紫光集團拿下 25％ 的 DRAM 市占為目標(biāo)做例子,，晶圓廠的每月單月產(chǎn)能在 30 萬片，制程設(shè)備方面投資需要 270 億美元,，建廠成本在 330 億美元,，產(chǎn)能滿載后的每年固定投資在 30～40 億美元，累計 5 年再投資 150～200 億美元，總投資金額需要 480～530 億美元,，若再計入 3D NAND 的投資計劃,，未來 10 年紫光集團在存儲器領(lǐng)域的總投資金額將高達 1000 億美元。

這是一筆巨大的投入,?；仡櫯_灣存儲器產(chǎn)業(yè)的失敗的原因，高啟全表示,，1985年,，英特爾正式退出DRAM領(lǐng)域，在經(jīng)歷了日本,、韓國積極投入,，后來者居上，韓國最終坐穩(wěn)了第一把交椅,。臺灣在 2008 年成立臺灣創(chuàng)新內(nèi)存（TMC／TIMC）計劃集中發(fā)展 DRAM 產(chǎn)業(yè)資源,，但終究因為資金問題未能如愿，原本 5000 億新臺幣的資金需求,，政府僅提供了 80億,，遠遠達不到預(yù)期。

他強調(diào),，“現(xiàn)在唯一有機會成為全球抗衡三星勢力的只有大陸,，紫光會把這夢化為具體的實踐！”一定要有人扮演在全球平衡三星的勢力,，目前只有大陸有能力有資金投入進來,，長江存儲就是基于這個出發(fā)點而誕生，也是大基金唯一真正投資的存儲器企業(yè),。

目前,，長江存儲已齊聚 500 名研發(fā)人員在武漢投入 3D NAND 開發(fā)，同時考慮研發(fā) 20／18 納米的 DRAM 產(chǎn)品,，希望在技術(shù)開發(fā)具有一定競爭力后再投產(chǎn),。據(jù)長江存儲 CEO 楊士寧介紹，其 32 層 3D NAND 芯片順利實現(xiàn)了工藝器件和電路設(shè)計的整套技術(shù)驗證,，通過電學(xué)特性等各項指標(biāo)測試,，達到預(yù)期要求，今年底將提供樣片,，繼續(xù)向64 層 3D NAND 發(fā)展,。高啟全高調(diào)歡迎美光（Micron）加入合作，直言雙方合則兩利,，美光近一年來在全球DRAM 市占率從 28％ 掉到 18％,，不快加入長江存儲的陣營一起奮斗,，未來只會更辛苦。

據(jù)集微網(wǎng)了解,，繼長江存儲武漢的生產(chǎn)基地動工后,，紫光集團董事長趙偉國表示，再砸 460 億美元在成都和南京兩地啟動半導(dǎo)體基地,，三個生產(chǎn)基地合計共投入 700 億美元。他希望在十年內(nèi),，紫光集團將躋身全球前五大存儲器制造商,。“只要有足夠的時間,，中國半導(dǎo)體就能發(fā)展起來,。”

在人才方面,，紫光集團網(wǎng)羅前晨星創(chuàng)辦人楊偉毅出任紫光旗下長江存儲公司CTO,，又延攬晶圓代工廠聯(lián)電前CEO孫世偉，擔(dān)任全球執(zhí)行副總裁一職,。楊偉毅是當(dāng)初晨星的研發(fā)領(lǐng)袖,，半導(dǎo)體業(yè)界人士評估，他的技術(shù)能力將讓紫光如虎添翼,。而孫世偉加入后,，將協(xié)助紫光在成都設(shè)立12寸晶圓廠，擴大紫光集團在整個半導(dǎo)體藍圖的構(gòu)建,，與高啟全聯(lián)手共筑邏輯和存儲器的雙版圖,。